【技术实现步骤摘要】
制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法
本专利技术涉及光电器件
，尤其涉及一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。
技术介绍
LED显示屏是八十年代后期在全球迅速发展起来的新型信息显示媒体，它利用LED发光二极管构成的点阵模块或像素单元组成大面积显示屏幕，除了具有显著的节能效果外，还具有可靠性高、使用寿命长、环境适应能力强、价格性能比高、使用成本低以及大面积显示等特点，在短短的十来年中，迅速成长为平板显示领域的主流产品，在信息显示领域得到了广泛应用。LED以往一般用于室内外超大屏幕显示，目前在体育设施、宣传广告、舞台舞美、会议场所等方面都有较多的应用。未来LED显示技术可能会应用于对画质要求较高的专业领域，随着成本的下降逐渐进入普通家用市场。未来主要的发展趋势包括两个方向:更高画质和高清(更大的像素数量和更小的像素尺寸)、更低成本和更优效率。实现高清显示的关键技术是实现超小发光像素，需要更小尺寸的LEDRGB全彩发光单元。图1是现有技术全彩LED显示阵列示意图。图2是现有技术全彩LED显示阵列中的全彩LED封装单元结构图。请参照图1和图2，目前RGB...
【技术保护点】
一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法，其特征在于，包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。
【技术特征摘要】
1.一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法，其特征在于，包括: 步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片； 步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤F包括: 子步骤F1，对所述衬底的背面进行减薄抛光； 子步骤F2，在减薄抛光后的衬底背面，对准正面的每列管芯，依次分别涂覆红色荧光粉、涂覆绿色荧光粉和不涂荧光粉，从而形成按列依次排布的所述红、绿、蓝LED管芯。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述子步骤F2具体包括: 在所述衬底背面放置模版，该模版上有一列列镂空列线条，模版与每列管芯对准，每隔两列管芯的距离有一 条镂空列线； 在镂空列线中喷涂红色荧光粉，并通过加热固化所述红色荧光粉； 将所述模板平移到相邻的一列管芯对准，再对镂空列线中喷涂绿色荧光粉，并通过加热固化所述绿色荧光粉。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤F之前还包括: 步骤C，对多个独立的LED结构进行ICP台面刻蚀，形成多个独立的正装LED芯片； 步骤D，制作所述正装LED芯片的P电极和所述晶圆级全彩LED显示阵列的控制线电极； 步骤E，制作所述正装LED芯片的N电极和所述晶圆级全彩LED显示阵列的数据线电极。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤C包括: 子步骤Cl，对多个独立的LED结构进行台面刻蚀，在每个独立的LED结构的一侧位置，形成台面； 子步骤C2，在刻蚀了台面和跑道的GaN外...
【专利技术属性】
技术研发人员：李璟，杨华，薛斌，王国宏，王军喜，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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