The invention discloses an inter band cascaded laser with an W type active structure. The laser is fabricated on the GaSb substrate, in turn, the InAs / AlSb confinement layer, the GaSb waveguide layer, the W type active region, the waveguide layer on the GaSb, the InAs / AlSb confinement layer and the InAs contact layer. The W type active region consists of InAs / AlSb electron injection region, InAs / AlSb hole injection region, and InAs / GaInSb / AlSb / GaInSb / InAs, W type quantum well. The invention is formed by combining a W type active area structure (InAs / GaInSb / AlSb / GaInSb / InAs) and an inter band cascaded laser structure. The inter band cascade laser disclosed by the invention increases the gain of the active region and the performance of the laser by increasing the overlap of the electron and hole wave functions in the active region.
【技术实现步骤摘要】
—种具有W型有源区结构的带间级联激光器
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。
技术介绍
据2005年BAE世界范围内的飞行器战损统计，48%战斗机、65%直升机、62%运输机的损失来自于红外制导的地空/空空导弹。美国等西方国家大量装备了 3-5微米红外凝视成像制导的战术导弹、战略导弹，在战争中威胁极大。而对付其最有效地方法，就是3-5微米中红外激光对抗武器系统。带间级联激光器(Interband Cascade Lasers, ICL)作为一种新型的激光器,工作波长可覆盖3-5 μ m波段。带间级联激光器(Interband Cascade Laser, ICL)的有源区是把带间直接跃迁的II型量子阱与级联的电子、空穴注入区结合起来形成的。带间跃迁的II型量子阱即克服了传统II1-V族材料量子阱结构禁带范围有限的问题，可以通过调节InAs、GaInSb厚度，理论上可调节禁带宽度到零。但II型量子阱中电子与空穴分别限制在InAs与GaInSb阱中，导致有源区波函数交叠较小，从而降低了有源区增益。
技术实现思路
针...
【技术保护点】
一种具有W型有源区结构的带间级联激光器，其特征在于：该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs／AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs／AlSb上限制层和InAs接触层。
【技术特征摘要】
1.一种具有W型有源区结构的带间级联激光器，其特征在于: 该激光器是通过在GaSb衬底上,依次制备InAs / AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs / AlSb上限制层和InAs接触层。2.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于:所述的GaSb衬底为η掺杂，厚度为500um。3.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于:所述的InAs/ AlSb下限制层为η掺杂，厚度为3.2 μ m。4.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于:所述的GaSb下波导层为不掺杂，厚度为0.2um。5.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于:所述的W型有源区还包括InAs / AlSb 电子注入区和 GaSb / AlSb 空穴注入区和 InAs / GaInSb / AlSb / GaInSb /InAs W型量子阱组成。6.如权利要求1所述的带间级联激光器，其特征在于:所述的GaSb上波导层为不掺杂，厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，邢军亮，徐应强，任正伟，牛智川，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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