在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法技术

技术编号:9172098 阅读:284 留言:0更新日期:2013-09-19 21:14
一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法,包括以下步骤:步骤1:在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜;步骤2:在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;步骤3:在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜;步骤4:利用微纳米球的聚光作用,通过光刻机对光刻胶进行曝光;步骤5:去掉微纳米球单层膜,并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列;步骤6:通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上,在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列;步骤7:利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜,湿法腐蚀蓝宝石衬底,从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列;步骤8:去除单晶薄膜掩膜后,完成制备。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法,包括以下步骤:步骤1:在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜;步骤2:在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;步骤3:在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜;步骤4:利用微纳米球的聚光作用,通过光刻机对光刻胶进行曝光;步骤5:去掉微纳米球单层膜,并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列;步骤6:通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上,在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列;步骤7:利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜,湿法腐蚀蓝宝石衬底,从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列;步骤8:去除单晶薄膜掩膜后,完成制备。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:董鹏王军喜闫建昌张韵曾建平孙莉莉李晋闽
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:

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