【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；步骤3：在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；步骤4：将样品进行抛光，清洗；步骤5：将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；步骤6：在样品表面生长砷化镓盖层，完成材料的制备。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周旭亮，于红艳，米俊萍，潘教青，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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