本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长In...

一种皮下植入式药物释放系统，包括：一体外激励与控制电路，该体外激励与控制电路包括一第一传输电极和一第二传输电极；一皮下植入芯片，该皮下植入芯片包括一第一传输端和一第二传输端，该第一传输端与该体外激励与控制电路的第一传输电极耦接，该第二传...

本发明公开了一种II型III-V族量子点材料的生长方法，包括：在衬底上生长缓冲层；降温到量子点的生长温度，向生长有缓冲层的衬底喷射第一种V族元素，使生长有缓冲层的衬底周围充满该第一种V族元素；将喷射的元素切换为第二种V族元素，使生长有缓...

一种MEMS振荡器，包括：一MEMS谐振器；一第一阻抗匹配网络，其输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一第二阻抗匹配网络，其输出端与MEMS谐振器的输入端连接；一放大器，其输入端与第一阻抗匹配网络的输出端连接；一移相网络，其输入端与放大...

本发明公开了一种可杀菌消毒的无线充电系统，其包括基座、盖子、无线充电模块和紫外LED模块；其中，盖子盖在基座上，所述无线充电模块置于基座内部，所述紫外LED模块位于所述无线充电系统内部，其用于发出能够杀菌消毒的紫外光。本发明公开的上述无...

本发明公开了一种锁模外腔半导体激光器，该锁模外腔半导体激光器沿其光路依次包括半导体器件、准直透镜、波长调谐元件、聚焦透镜和反射镜。该锁模外腔半导体激光器采用等边色散棱镜作为波长调谐元件。相比于闪耀光栅，等边色散棱镜对光的损耗较小，从而保...

一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一...

本发明提供了一种半导体激光器驱动电路。该半导体激光器驱动电路包括：脉冲整形电路，用于对输入的窄脉冲信号的波形进行整形，并进一步压缩其脉宽；以及功率放大电路，与脉冲整形电路相连接，用于利用高压，对脉冲整形电路输出的窄脉冲信号进行功率放大，...

一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：一外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；在P型GaN层上形成一透明电极层；在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下...

本发明公开了一种平面型雪崩光电探测器，其外延结构包括：吸收层，其用于吸收目标探测光，将目标探测光的光子转化为光生载流子；N型下电荷层，其用于调控所述雪崩光电探测器器件内部电场分布；倍增层，其用于倍增所述光生载流子；P型上电荷层，其也用于...

本发明公开了一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构，该掺杂结构包括一硅基电光调制器调制区波导，该波导为脊型光波导结构，在该波导内分别有第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域，其中在该第二掺杂区域与第三掺杂区域的交...

一种具有宽度周期性渐变表面的全息光栅的制备方法，包括如下步骤：步骤1：使用材料生长技术，在一洁净衬底表面沉积薄膜材料；步骤2：在薄膜材料上旋涂光刻胶并前烘；步骤3：利用全息干涉曝光技术，曝光、显影得到图形化的光刻胶掩膜板，从而形成由衬底...

本实用新型公开了一种光纤声发射检测与定位系统，包括：由多个光纤激光传感器串联而成的光纤激光传感器应变花；封装固定该多个光纤激光传感器并传递声发射信号的光纤激光传感器应变花底板；耦合该多个光纤激光传感器并传递声发射信号的声耦合剂；接收并解...

本实用新型公开了一种光纤浮子流量计，包括：安装于被测管道的导流管；安装于导流管内部用以在流体的作用下旋转并产生振动的浮子；安装于导流管内部用以感受浮子产生的振动的测量膜片；以及两端固定于测量膜片上用以测量振动频率的光纤光栅。本实用新型采...

本实用新型公开了一种压差式光纤流量计，该压差式光纤流量计包括：安装于被测管道的导流管；安装于导流管上并且两端均与导流管联通的测量管，以测量流体的流量；安装于测量管内的测力膜片，以在导流管的两端的压力差下产生变形；安装于测力膜片的光纤光栅...

本实用新型公开了一种光纤两相流量计，该光纤两相流量计包括：安装于被测管道的外壳；安装于外壳内部的固定梁；安装于固定梁用以测量流量的光纤激光器；以及安装于外壳外部用以测试光纤激光器的检测到的振动信号的解调设备。利用本实用新型，采用一根光纤...

本发明公开了一种低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列，包括：N型衬底；形成于该N型衬底之上的N型缓冲层；形成于该N型缓冲层之上的N型啁啾光子晶体波导；形成于该N型啁啾光子晶体波导之上的有源层；形成于该有源层之上的P型限制层...

本发明公开了一种半导体侧泵激光器的冷却方法和冷却装置。所述半导体侧泵激光器包括激光腔和设置于激光腔内的激光晶体棒，所述激光腔采用多排半导体bar条对激光晶体棒进行泵浦，所述方法包括在所述激光腔的腔壁上设置多个喷雾装置，该喷雾装置向所述激...

本发明公开了一种半导体灯泵侧泵激光器的冷却方法，所述半导体灯泵侧泵激光器包括激光腔和在激光腔内放置有激光晶体和氙灯，所述激光腔为椭圆形，且激光晶体棒和氙灯放置在椭圆的焦点附近，所述方法包括：在所述激光腔的腔壁上设置多个喷雾装置，该喷雾装...

一种环形垂直结构相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次淀积第一电热绝缘材料层和下电极材料层；在下电极材料层上淀积第二电热绝缘材料层，在下电极材料层上开孔；在第二电热绝缘材料层上依次淀积插塞电极材料层和第三电热绝缘材料层；在第三电热绝缘...