本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括：印章体，其底面具有待加工纳米图形的反相图形；保护层，至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面，其材料为抗腐蚀液的材料；以及金属催化层，至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上，其材...

本发明提供了一种具有光子晶体的白光发光二极管，其包括：衬底、n型接触层、活性发光层、p型接触层，所述活性发光层位于n型接触层和p型接触层中间；所述多孔状光子晶体制作在所述发光二极管的表层，其孔状内部填充有纳米量级的荧光粉，其表面覆盖有透...

一种紫外发光二极管结构，包括：一基底；一N型AlGaN层，其制作在基底上，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；一P型GaN...

本发明公开了一种氮化镓系发光二极管，该发光二极管包括至少一层低温插入层。所述插入层是AlxGal-xN，其中0≤x≤1或者InyAl1-yN，其中0≤y≤1或者AlaInbGal-a-bN，其中0≤a＜1，0≤b＜1。所述插入层的生长温...

一种具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法，其中该LED外延结构，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一缓冲层，其制作在成核层上；一n型接触层，其制作在缓冲层上；一多量子阱有源区，其制作在n型接触层上面的一侧，另一侧形成一台面...

一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上淀积生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上淀积生长InAs层，未到临界厚度时暂停淀积生长；步骤4：将生长有InAs层的衬底退火；步骤5：将退火...

本实用新型公开了一种差动式光纤土压计，该差动式光纤土压计包括：压力盒(10)，为中空的圆饼形结构；圆形的盒盖(20)，设置于压力盒(10)的上端，密封压力盒(10)；设置于压力盒(10)内部第一支撑柱(30)和第二支撑柱(31)，二者与...

本实用新型公开了一种基于双L型梁的光纤光栅土压力传感器，包括：盒体，为饼状筒形结构，其顶部内表面具有直接感受外界土压力信号的一个承压膜片；安装于盒体内部的两个支撑轴；安装于两个支撑轴上的两个L型梁，每个L型梁均具有竖直方向部分和水平方向...

本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO2层；步骤S2：刻蚀所述SiO2层，以在该SiO2层上形成多个沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3：采用低压MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长...

本发明公开了一种自动调节电容式MEMS陀螺仪的检测端谐振频率的电路，所述电容式MEMS陀螺仪包括中心质量块、驱动端和检测端，驱动端包括驱动端电极，检测端包括检测端电极，所述检测端电极具有一输入端，该输入端用于输入一偏置电压(Vi)，以在...

一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非...

本发明公开了一种混合硅基回音壁模式微腔激光器，适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该微腔激光器包括硅基波导部分和III-V族半导体增益部分，III-V族半导体增益部分形成于硅基波导部分之上，硅基部分采用硅/二氧化硅/硅，即所谓SOI结构，...

本发明公开了一种滤波式波长可调谐外腔激光器，其可在一定波长范围内任意控制激射波长，包括：宽带光源、准直透镜、第一双折射元件、第二双折射元件、第一半波片、第二半波片、干涉滤光片、会聚透镜和光纤，所述超辐射发光管包括宽带光源，其发出的光经准...

本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法，该结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制...

一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出多个沟槽；分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的...

本发明公开了一种原子层沉积的设备，其是由盖板和主体腔室构成的可开闭的封闭腔室；所述盖板内表面设置有气路单元，所述气路单元包括多个气流通道，所述多个气流通道通过间隔层相间隔，且每个所述气流通道与盖板的外表面上设置的多个气孔相连通；所述主体...

本发明提供了一种便携式激光定距装置。该便携式激光定距装置包括：承载件；光斑接收模块，固定于所述承载件的正面，用于接收照射于其上的辅助定距激光的光斑图像；以及数据处理模块，设置于所述承载件中，用于计算光斑接收模块接收光斑的面积值，将该面积...

本发明公开了一种谐振式微机电系统机翼风力传感器及其制作方法，该传感器包括：衬底；形成于衬底上的绝缘层；形成于绝缘层上的条形检测电极；形成于绝缘层上且位于条形检测电极两侧的两个条形驱动电极；横跨于两个条形驱动电极之上与条形驱动电极垂直且相...

一种低损伤GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层，形成GaN外延片；...

本发明提供了一种单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法。该单模光子晶体垂直腔面发射激光器，利用透明导电层透光和导电特性，使得电流均匀的注入有源区，从而解决了电流注入问题，提高了单模输出功率。