本发明公开了一种LED四色植物补光装置，包括：红光LED阵列、蓝光LED阵列、远红光LED阵列、绿光LED阵列、基板5和控制电路；其中所述红光LED阵列、蓝光LED阵列、远红光LED阵列和绿光LED阵列依次顺序排列固定在基板5上；所述控...

一种晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管单元模组，形成发光二极管阵列，该发光二极管单元模组包括多个发光二极管；步骤3：在发光二极管单元模组中的发光二极管上涂覆荧光粉，通过...

本发明提供了一种制备硅基微电极的方法。该方法利用贵金属纳米颗粒在硅片表面催化腐蚀形成纳米孔洞阵列；在该纳米孔洞阵列上制备下绝缘层、导电层和上绝缘层，进而形成带有纳米孔洞阵列的微记录点。本发明制备硅基微电极的方法减少了工艺流程，降低了成本。

本发明公开了一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法。该方法在多种相变材料在水平金属电极间的高精度自对准制备的基础上，通过加电脉冲控制全限制量子点的相变，并且采用TEM对相变过程进行实时监测、记录，从而能够实时检测各量子点的相变，近似...

一种制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中每个发光二极管包括以下步骤：在一衬底上依次生长n型层、有源层和p型层；在p型层上面的一侧向下刻蚀，分别形成第一、第二台面；在第一、第二台面上向下制备导电通孔，并填充导电金属；制备绝缘层；制备p...

本发明公开了一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法，其包括如下步骤：在发光二级管外延片上沉积掩蔽层；在所沉积掩蔽层上旋涂上光刻胶，并在光刻胶上铺单层密排自组装小球；进行曝光，去除所述单层密排自组装小球；进行显影获得带有孔洞图形的...

本发明公开了一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，更换衬底舟和反应室内管，高...

本发明提供了一种校正光学向量-矩阵乘法器激光通路一致性的方法。该方法通过一基准激光通路来标定和校对其他激光通路的参数，从而解决了各激光通路由于特性参数不一致而导致的对应于相同的输入向量的输出光强不一致性。

本实用新型公开了一种测力式光纤流量计，该测力式光纤流量计包括：将该测力式光纤流量计与被测管道固接的外壳(10)；安装于外壳(10)侧壁外部且两端均与外壳(10)内部密封联通的测量管(20)；安装于测量管(20)内部在流体的压力下产生变形...

本实用新型公开了一种基于波登管的光纤流量计，包括：将该光纤流量计与被测管道固接的外壳；安装于该外壳内部用以产生涡街的涡街发生体；安装于该外壳内部且平行于流体流动方向用以感受涡街产生的振动的测量膜片；透过该外壳的侧壁且与该外壳密封固接用以...

本实用新型公开了一种光纤涡街流量计，该光纤涡街流量计包括：将该光纤激光涡街流量计与被测管道固接的外壳；安装于该外壳内部用以产生涡街的涡街发生体；安装于该外壳内部且平行于流体流动方向用以感受涡街产生的振动的测量膜片；设置于该外壳侧壁的一圆...

本实用新型公开了一种光纤激光涡街流量计，该光纤激光涡街流量计包括：将该光纤激光涡街流量计与被测管道固接的外壳(10)；安装于该外壳(10)内部用以产生涡街的涡街发生体(50)；以及安装于该涡街发生体(50)以测量涡街频率的光纤激光器(3...

本发明提供了射频低噪声放大器。该射频低噪声放大器采用了电流复用的技术，使两组分别由NMOS和PMOS组成的差分对共享静态偏置电流，从而在维持晶体管同样的电压-电流转换能力的基础上节约了静态偏置电流，从而减小了功耗。

本发明公开了一种单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法，包括：选择一磷化铟衬底1；在该衬底1上依次外延生长缓冲层2、多量子阱有源区3；在多量子阱有源区3的表层采用全息曝光刻蚀制作均匀光栅4；在均匀光栅4上生长包层5和电接触层6...

本发明提供了一种聚合物太阳能电池及其制备方法。该聚合物太阳能电池包括：衬底；透明导电电极，形成于衬底上；空穴传输层，形成于透明导电电极上，其内镶嵌金属纳米颗粒；光敏层，形成于空穴传输层上；电子传输层，形成于光敏层上，其内含金属纳米颗粒；...

一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子...

本发明公开了一种利用自组装小球在透明衬底上制作用于光刻版的金属网格模板的方法，包括如下步骤：选择表面平整的透明材料作为透明衬底；在透明衬底上铺上单层自组装密排小球；将单层自组装密排小球刻蚀拉开，形成非密排小球；在非密排小球层上覆盖金属层...

本发明公开了一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器，该电吸收调制器制作在衬底上，包括：形成于衬底上的下反射镜；形成于下反射镜上的介质缓冲层；形成于介质缓冲层上的单层石墨烯薄膜；形成于单层石墨烯薄膜上的DBR结构的上反射镜；以及形成于单层石墨...

一种集成化的相干光通信用电光调制器结构，包括：一光分束器，其具有一个输入端，一个多模波导区和四个输出端，该四个输出端所输出光场光强相等，外侧的两个输出光场的相位与居中的两个输出光场的相位相差90度；四个电光调制器，其输入端与光分束器的四...

一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外...