非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法技术

技术编号:9061637 阅读:161 留言:0更新日期:2013-08-22 00:50
本发明专利技术公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法,其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法,是采用等离子体增强化学气相沉积的方法,在通入腔室氢气的情况下,对太阳能电池的非晶硅与多晶硅薄膜界面进行钝化处理。氢等离子体界面处理可以降低多晶硅薄膜的表面态,从而使得SPA结构的HIT电池的非晶硅与多晶硅薄膜的界面态减少,使得光照下产生的光生载流子在界面处的复合减少,增加了光生载流子的收集,提高电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法,其特征在于,该方法是采用等离子体增强化学气相沉积的方法,在通入腔室氢气的情况下,对太阳能电池的非晶硅与多晶硅薄膜界面进行钝化处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李浩曾湘波谢小兵杨萍李敬彦张晓东王启明
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:

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