本申请公开了一种调节组件及晶圆驱动装置，晶圆驱动装置包括用于承载晶圆的承载机构，调节组件包括调节面板、第一调节机构和第二调节机构；调节面板包括自上而下排布的第一调节板、第二调节板、第三调节板和第四调节板，相邻两个调节板之间能够沿设定方向...

本申请公开了一种晶圆驱动结构及取件调节方法，该晶圆驱动结构包括基座、旋转机构、升降机构、调节块和驱动电机。基座用于承载晶圆，旋转机构用于支撑基座；旋转机构和升降机构均沿竖直方向延伸，升降机构包括穿设于基座的伸缩件；调节块用于连接旋转机构...

本申请公开了一种晶圆驱动装置及半导体设备，该晶圆驱动装置包括调节组件和与调节组件连接的晶圆驱动结构，调节组件用于沿第一方向或第二方向调节晶圆驱动结构的位置，第一方向与第二方向不重合，从而增大调节组件的调节范围，提高晶圆驱动装置的调节能力...

本技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基座及镀膜设备。该基座包括基座主体、支撑机构以及顶升调节机构，基座主体用于承载待镀膜衬底，支撑机构包括转动调节板以及固定板，转动调节板与固定板转动连接，转动调节板支撑于基座主体的底部，转动调节板...

本申请公开了一种离子加速装置，其包括第一加速电极和第二加速电极；第一加速电极包括弧形的第一加速面板，第一加速电极上形成有可供离子束穿过的第一豁口，第一豁口构成于第一加速面板内；第二加速电极包括弧形的第二加速面板，第二加速电极上形成有可供...

本申请公开了一种质量分析装置，用于筛选离子注入机中的预设离子束。质量分析装置包括磁轭、励磁线圈、磁极组件和分析狭缝。磁极组件包括呈扇形的第一磁极和第二磁极，第一磁极具有第一极面，第二磁极具有第二极面，第一极面和第二极面沿上下方向对称设置...

本发明提供双层进气外延工艺中改善膜厚均匀性的方法及晶圆和设备，所述方法包括：衬底片在上层进气和下层进气的双层气体作用下进行外延生长，得到膜厚均匀的晶圆；其中，所述上层进气包括第一载气和反应源气，所述下层进气包括第二载气；所述第一载气和第...

本发明属于半导体加工技术领域，公开了缓存腔体及晶圆暂存装置，缓存腔体包括缓存腔组件，缓存腔组件的缓存腔本体具有容置晶圆的缓存腔，上腔盖本体和下腔盖本体分别可拆卸连接于缓存腔本体两端以封闭缓存腔，上腔盖本体和/或下腔盖本体朝向缓存腔的一侧...

本发明公开了一种基于界面的单晶炉控制方法、系统、装置、设备及介质。响应于变量配置操作，对各工艺控制流程分别配置对应的变量；响应于脚本编辑操作，基于所述变量生成各工艺控制流程分别对应的自定义控制脚本；响应于数据通信操作，接收单晶炉系统发送...

本发明实施例公开了一种基于基座旋转的外延片制备方法及使用该方法的外延设备，通过在外延生长准备过程包括根据反应腔的第一初始温度、预先设定的补偿温度将反应腔升温至第一目标温度，并控制基座基于设定的爬坡值升速至第一目标转速后，对待外延衬底进行...

本发明属于半导体加工技术领域，公开了气体混合结构、匀气装置及预清洗设备。气体混合结构包括进气接头。进气接头具有混合流道及出气口，第一注气设备用于沿第一方向向混合流道内通入等离子体，第二注气设备用于沿第二方向向混合流道内通入反应气体，第一...

本技术属于晶圆生产加工技术领域，公开了晶圆负载锁定装置，其包括锁定壳和冷却结构。锁定壳内具有至少两个用于存放晶圆的锁定腔；冷却结构可拆卸连接于锁定壳，以使晶圆负载锁定装置能够在第一状态和第二状态之间切换；当处于第一状态时，冷却结构与锁定...

本技术属于晶圆生产技术领域，公开了冷却结构及晶圆锁定装置。冷却结构包括冷却盘、水冷管以及多个导热件。冷却盘的一侧具有冷却面，另一侧具有冷却腔；水冷管绕设于冷却腔的腔壁内以供冷却水循环流动；多个导热件均间隔分布于冷却面，导热件的一端伸入冷...

本发明公开了一种外延设备，属于半导体设备技术领域

本实用新型公开了一种原子沉积非接触式腔内密封结构和半导体沉积设备，属于半导体沉积设备技术领域

本实用新型涉及半导体加工设备技术领域，公开一种抽气环装置及半导体加工设备。其中抽气环装置包括同轴设置的抽气环和控制环，抽气环靠近控制环的一侧设置有第一工作面，控制环靠近抽气环的一侧设置有第二工作面，第一工作面和第二工作面之间设置有排气通...

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种外延工艺的控制方法及控制装置、半导体加工设备。外延工艺的控制方法包括：在参考晶圆的外延沉积过程中，采用预设控制模型基于PID算法分别控制反应腔的各个加热区域的加热功率；调节预设控制模型的控制参数...

本实用新型公开了一种晶圆升降装置及半导体加工设备，该晶圆升降装置包括外罩组件、支撑管、导向环、驱动组件和波纹管，支撑管设于外罩组件内，且支撑管的一端穿出外罩组件且伸入晶圆盒以支撑晶圆盒内的晶圆架，导向环安装于外罩组件，且套设于支撑管以导...

本实用新型公开了一种晶圆升降装置及半导体加工设备，该晶圆升降装置包括支撑管、第一端板、第二端板、驱动机构以及波纹管，支撑管的一端伸入晶圆盒，且用于支撑晶圆，第一端板套设于支撑管的一端且与晶圆盒贴合，第二端板连接于支撑管的另一端且封闭支撑...

本发明公开了一种用于外延生长的双层进气反应腔和外延生长工艺，双层进气反应腔包括反应腔体、基座和隔板，基座悬空设置在反应腔体内，隔板设在腔室内，隔板环绕基座设置并与基座之间具有一定间隔，隔板将腔室分隔为上下排布的工艺气体流通腔和吹扫腔，工...