本发明公开了一种用于外延生长的双层进气反应腔和外延生长工艺，双层进气反应腔包括反应腔体、基座和隔板，基座悬空设置在反应腔体内，隔板设在腔室内，隔板环绕基座设置并与基座之间具有一定间隔，隔板将腔室分隔为上下排布的工艺气体流通腔和吹扫腔，工...

本实用新型提供一种晶圆传送装载设备，所述晶圆传送装载设备包括箱体、晶圆盒装载组件和关窗件。箱体的侧壁具有第一窗口，晶圆盒装载组件设在箱体具有第一窗口的一侧，晶圆盒装载组件包括升降平台，升降平台相对于箱体可升降移动，关窗件设在升降平台上，...

本实用新型提供一种晶圆盒装载设备，所述晶圆盒装载设备包括固定平台、升降平台、限位座和夹持组件。升降平台的中部具有用于容纳固定平台的容纳空间，升降平台相对于固定平台可升降移动，限位座设在升降平台上，限位座环绕形成放置空间，放置空间位于容纳...

本发明公开了一种外延生长装置，所述外延生长装置包括壳体、隔板、基座、进气组件和排气组件，所述壳体上具有腔室，所述隔板设于所述腔室内，所述隔板将所述腔室分隔为第一空腔和第二空腔，所述隔板上具有沿其厚度方向延伸的避让孔，所述基座的至少一部分...

本发明公开了一种外延设备中晶圆的传动装置，包括基座、升降模块、旋转模块和调节模块，调节模块中的机架用于承载传动装置的所有组件，以机架为支撑，调整组件通过调节升降模块的底座，实现基座在X轴、Y轴上的位置以及基座的水平度的调节。升降模块的升...

本发明提供了一种用于热电偶的轴向定位装置，所述轴向定位装置包括基座组件、第一限位件、第二限位件和驱动组件，第一限位件、第二限位件和驱动组件均设在基座组件上，驱动组件连接第一限位件和/或第二限位件，以调节第一限位件和第二限位件的间距，并具...

本发明公开了一种用于外延设备中晶圆的升降装置。升降装置包括基座、晶圆升降组件、安装座、波纹管组件。基座用于承载晶圆，基座上设有若干通孔，晶圆升降组件设在安装座上，包括升降轴和若干顶针，顶针设在升降轴的顶端并从下至上一一对应地穿过若干通孔...

本发明属于硅外延控制方法的技术领域，具体涉及一种改善硅外延片滑移线的方法。本发明提供的一种改善硅外延片滑移线的方法，包括以下步骤：(1)将温控片装入经过清洁处理的外延炉反应腔中，进行恒温烘烤，对经过恒温烘烤的温控片进行电阻率测试，获得温...

本发明公开一种半导体设备晶圆暂存腔室和半导体工艺设备，半导体设备晶圆暂存腔室包括暂存腔室、晶圆支撑结构、调节连杆机构、升降执行机构和水冷机构，所述暂存腔室的内部具有容纳空间，所述晶圆支撑结构位于所述容纳空间内，所述晶圆支撑结构上沿第一方...