【技术实现步骤摘要】
一种外延设备
[0001]本专利技术涉及半导体设备
,尤其涉及一种外延设备
。
技术介绍
[0002]外延设备用于晶体的外延生长,其包括反应腔,晶体设于反应腔内与反应腔内的反应气体发生反应实现晶圆外延生长
。
根据工艺要求,反应腔内晶圆的支撑结构需要具备升降功能和旋转功能,其中,支撑结构升降功能用以实现晶圆取片,支撑结构旋转功能用以实现晶圆均匀的外延生长
。
[0003]相关技术中,为实现上述两种功能,设计了相互独立的升降石英轴和旋转石英轴,以分别实现支撑结构的升降和旋转功能
。
然而,升降石英轴和旋转石英轴组合的结构,容易产生以下问题:升降石英轴和旋转石英轴结构紧凑,以避免对反应腔内的反应气体流场和温度场产生影响,然而安装
、
调试以及维护等难度较大,结构相对较多且复杂,成本费用较高;二者之间可能会干涉,容易产生刮擦,产生颗粒,污染反应腔内晶圆,影响产品质量
。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种外延设备,解决了结构复杂
、
成本高
、
安装
、
调试以及维护等难度较大的问题,能够提高产品质量
。
[0005]为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:
[0006]一种外延设备,包括:
[0007]反应腔体;
[0008]基座和顶针,均设于所述反应腔体内,所述顶针能够穿过所述基座,且所述顶针能够一端抵接于所述反 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种外延设备,其特征在于,包括:反应腔体
(1)
;基座
(3)
和顶针
(4)
,均设于所述反应腔体
(1)
内,所述顶针
(4)
能够穿过所述基座
(3)
,且所述顶针
(4)
能够一端抵接于所述反应腔体
(1)
的底部,另一端凸出于所述基座
(3)
,晶圆
(21)
能够取放于所述顶针
(4)
以及承载于所述基座
(3)
;驱动组件,包括升降驱动件
(51)
和旋转驱动件
(52)
,所述升降驱动件
(51)
通过石英轴
(8)
驱动所述基座
(3)
,使所述基座
(3)
沿竖直方向移动,所述旋转驱动件
(52)
通过所述石英轴
(8)
驱动所述基座
(3)
,使所述基座
(3)
绕平行于竖直方向的中心线转动
。2.
根据权利要求1所述的外延设备,其特征在于,所述反应腔体
(1)
内设有垫块
(15)
,所述顶针
(4)
抵接于所述垫块
(15)。3.
根据权利要求2所述的外延设备,其特征在于,所述顶针
(4)
设于所述基座
(3)
上,所述垫块
(15)
和所述顶针
(4)
分别设有多个,多个所述垫块
(15)
和多个所述顶针
(4)
分别间隔设置,所述外延设备还包括检测件,所述检测件用于检测所述基座
(3)
的位置,所述检测件和所述驱动组件通讯连接,所述驱动组件驱动所述基座
(3)
转动以使多个所述垫块
(15)
和多个所述顶针
(4)
一一对应
。4.
根据权利要求2所述的外延设备,其特征在于,所述垫块
(15)
的周侧为平滑面
。5.
根据权利要求1所述的外延设备,其特征在于,还包括磁流体密封件
(6)
和转接件
(7)
...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹建伟,沈文杰,王明明,潘文博,张凌峰,朱雪伟,苏坤,
申请(专利权)人:浙江求是创芯半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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