【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅外延设备用旋转装置
[0001]本申请涉及半导体领域，具体地涉及一种碳化硅外延设备用旋转装置。
技术介绍
[0002]外延生长过程中，将晶圆(有时也称衬底)放置在托盘上，再加热托盘或者承载机构，然后进行后续的外延生长工艺步骤。在外延工艺中，需要对晶圆进行高速旋转，在旋转过程中，旋转载盘易于底座之间发生摩擦，不仅影响旋转载盘旋转的平稳性而且降低设备的使用寿命。目前现有晶圆旋转多采用目电机带动旋转载盘旋转或者采用单一气体控制旋转载盘旋转，这样两种控制方式不易转速控制旋转载盘的旋转速度。
技术实现思路
[0003]为克服上述缺点，本申请的目的在于：提供一种碳化硅外延设备用旋转装置，通过在底座的侧壁设置出气孔，确保旋转载盘与底座之间有微小间隙，避免旋转载盘在旋转的过程中与底座侧壁发生摩擦，保证旋转平稳性，增加旋转载盘的使用寿命。
[0004]为了达到以上目的，本申请采用如下技术方案：
[0005]一种碳化硅外延设备用旋转装置，包括：
[0006]支撑筒，所述支撑筒内设置有气动悬浮组件，所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延设备用旋转装置，其特征在于，包括：支撑筒，所述支撑筒内设置有气动悬浮组件，所述气动悬浮组件上设置有抽气环和定位环，所述气动悬浮组件包括底座，所述底座上设置有分气盘和旋转载盘，所述旋转载盘朝向所述底座的一侧的周边设有叶片，所述底座对应所述旋转载盘的一侧的周边设有凸起，所述凸起内径向延伸有出气孔，所述分气盘轴向延伸有第一进气通道，所述底座轴向延伸有与出气孔相通的第二进气通道，所述支撑筒的内腔配置有与抽气环连通的抽气通道。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延设备用旋转装置，其特征在于，所述出气孔径向倾斜设置且出气孔的轴线与底座的水平面呈钝角。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延设备用旋转装置，其特征在于，所述叶片与旋转载盘所在的平面呈倾斜设置。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延设备用旋转装置，其特征在于，所述凸起的边缘配置有凹槽，其用于与分气盘匹配。5.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延设备用旋转装置，其特征在于，所述分气盘对应底座的一侧中部配置有与第一进气...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑英杰，蒲勇，蒋家旺，赵鹏，
申请(专利权)人：芯三代半导体科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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