一种用于生长单晶金刚石的基台结构制造技术

本发明专利技术提供了一种用于生长单晶金刚石的基台结构，包括：基台，基台上表面的中心设有单晶金刚石的生长区域，生长区域的外侧环绕有突起于基台上表面的多个遮挡件，多个遮挡件与生长区域隔开且相邻的两个遮挡件之间设有间隙，基台呈空心结构且空心部分设有冷却液，每个遮挡件的下部穿过基台上表面以浸入基台内部的冷却液中。冷却液中。冷却液中。

【技术实现步骤摘要】
一种用于生长单晶金刚石的基台结构


[0001]本专利技术涉及真空微电子
，尤其涉及一种用于生长单晶金刚石的基台结构。

技术介绍

[0002]钻石，是高品质的单晶金刚石，由于具有十分优越的性能，因此在很多领域有着广泛的应用。然而天然钻石数量稀少，价格昂贵，缺乏品质的一致性，很难实现批量的应用。用高温高压法(HTHP法)制备的人造钻石，由于含有金属催化剂，会影响到钻石的外观和性质。目前，采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术，能够在衬底材料表面生长出高质量的人造金刚石。
[0003]图1示出了一种常规等离子体反应室100的示意图，该反应室100内设有常规技术的基台结构110。微波等离子体化学气相沉积装置一般包括微波系统、真空系统、供气系统和如图1所示的等离子体反应室100。等离子体反应室100中设有一个可自旋转的基台结构110，基台上表面放置有圆形且具有一定厚度的供金刚石生长的晶种。微波系统产生的微波进入等离子体反应室100，在基台结构上方激发供气系统提供的气体产生等离子体球PB，等离子体球PB紧贴在晶种表面，通过调整不同的反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于生长单晶金刚石的基台结构，包括：基台，基台上表面的中心设有单晶金刚石的生长区域，所述生长区域的外侧环绕有突起于基台上表面的多个遮挡件，所述多个遮挡件与所述生长区域隔开且相邻的两个遮挡件之间设有间隙，所述基台呈空心结构且空心部分设有冷却液，每个遮挡件的下部穿过基台上表面以浸入基台内部的冷却液中。2.如权利要求1所述的基台结构，其特征在于，所述遮挡件的材质包括单晶金刚石或多晶金刚石。3.如权利要求1所述的基台结构，其特征在于，所述遮挡件自基台上表面的突起高度大于生长单晶金刚石的晶种的高度。4.如权利要求3所述的基台结构，其特征在于，所述基台的空心部分内设有调节垫块，所述遮挡件的下部穿过基台上表面支撑于所述调节垫块上，所述调节垫块的高度配置用于调节所述遮挡件的突起高度。5.如权利要求3所述的基台结构，其特征在于，所述遮挡...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚闯，满卫东，蒋梅荣，
申请(专利权)人：上海征世科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：