本技术公开了一种人造单晶金刚石培育用的干燥设备，包括底座，底座上端中心处固定连接有操作台，操作台上端中心处固定连接有放置板，底座通过支架连接有支撑板，支撑板底端固定连接有电动推杆，电动推杆的输出端固定连接有固定套，固定套上端设有进气法兰...

本技术公开了一种单晶金刚石的抛光装置，包括固定板，固定板上端开设有凹槽且凹槽内转动连接有第一丝杆，第一丝杆上螺纹连接有移动柱，移动柱上通过第一转轴转动连接有支撑环，支撑环通过支架连接有固定盘，固定盘上固定连接有驱动电机且驱动电机的输出端...

本发明公开了一种提升金刚石拼接处质量的方法，用于解决拼接处质量不均匀、位错密度大、结合强度差的问题，属于CVD金刚石生长领域。本发明对金刚石拼接处进行激光切割，使得拼接处形成V型槽，同时引入含氧气体，对拼接处的V槽进行优先生长修复，修复...

本发明公开了一种附带原料气均匀电离功能的单晶金刚石生长设备，涉及单晶金刚石制备技术领域，该生长设备包括进料仓与进料床，进料仓内上设置有进料盘，进料盘与进料仓滑动连接，进料盘上设置有升降架，升降架上设置有升降气缸，升降气缸输出端上设置有合...

本发明公开了附带温度调控机构的mpcvd金刚石生长设备，涉及金刚石生长技术领域，包括主体、承载台、水冷系统、微波系统、加热系统和供气系统，所述主体内部下方设置有真空泵，所述主体内部上方设置有混合管，所述混合管内部设置有活塞板，所述活塞板...

本发明提供附带籽晶温度自检功能的mpcvd金刚石生长设备，涉及气相沉积技术领域。该附带籽晶温度自检功能的mpcvd金刚石生长设备包括金刚石生长炉体和安装于金刚石生长炉体一侧并与金刚石生长炉体相连通的进气管，所述金刚石生长炉体内部顶面固定...

本发明提供一种附带原料气浓度分层控制功能的单晶金刚石生长设备，涉及金刚石生长领域。本发明包括电离室、微波系统、电离筒、控制器、换热器、供气管道和供料气泵，所述电离筒设置于电离室内部，所述供料气泵出气口与换热器底部进气口之间设置有供气结构...

本发明公开了一种用MPCVD法阶梯性掺氮生长单晶金刚石的方法，包括：S1、将单晶金刚石基材置于CVD装置中；S2、将含碳气体引入于CVD装置中腔体中同时，通入一定比例的氮气；S3、在引入气体的同时将室内的压力控制为6.6kPa至26.6...

本发明公开了一种单晶金刚石生产设备用控温散热装置，控温散热装置包括柜体、控制系统、微波发生器、反应室、密封基板，控制系统与柜体紧固连接，微波发生器与柜体紧固连接，微波发生器与控制系统电连接，反应室与微波发生器的输出端连通，密封基板与反应...

本发明提供了一种等离子体反应室和微波等离子体化学气相沉积装置。等离子体反应室包括真空腔室，真空腔室中包括从外部伸入腔体的基台结构，真空腔室的顶部在基台结构上方位置设有微波窗，用于供微波进入真空腔室，激发反应区域中的反应气体；真空腔室包括...

本发明公开了一种可提升

本实用新型公开了一种适用于CVD设备的进气装置，包括设备进气管，设备进气管的一端插接有过滤套筒，过滤套筒远离设备进气管一端的外壁开凿设有伸缩槽，伸缩槽的内部插接有限位块，设备进气管的内壁相对限位块的位置开凿设有限位插槽，限位块与限位插槽...

本发明提供了一种用于生长单晶金刚石的基台结构，包括：基台，基台上表面的中心设有单晶金刚石的生长区域，生长区域的外侧环绕有突起于基台上表面的多个遮挡件，多个遮挡件与生长区域隔开且相邻的两个遮挡件之间设有间隙，基台呈空心结构且空心部分设有冷...

本实用新型公开了一种单晶金刚石生长升降台，包括支撑平台和驱动电机，驱动电机输出端固定连接有螺纹杆，螺纹杆外壁螺纹连接有滑动筒，滑动筒顶部固定连接在支撑平台底部，支撑平台顶部开设有固定槽，固定槽内部滑动连接有四个夹持板，四个夹持板相远离一...

本实用新型公开了一种用于MPCVD设备的冷却结构，包括设备外壳和冷凝管，设备外壳上开设有安装孔，冷凝管卡接在安装孔内，设备外壳外侧固定连接有散热器，冷凝管位于设备外壳外侧一端固定连接在散热器上，安装孔内固定连接有限位板，冷凝管上转动连接...

本发明公开了一种管状材料内表面进行MPCVD的方法及装置，包括：操作台，所述操作台的上表面设置有支撑块，所述操作台的上表面放置有管材，所述管材的内部贯穿有金属丝，所述金属丝的表面安装有金属刺，所述金属丝连接着支撑块的侧表面，所述支撑块的...

一种用于单晶钻石片制造设备的真空检测装置，包括真空计，真空计的底端固定连接有软管，真空计的外壁固定连接有固定盒，软管插接于固定盒，固定盒中间开设有孔洞，且孔洞设置在真空计显示器的上方，且固定盒的内壁固定连接有橡胶软垫，本实用新型具有以下...

本发明公开了一种单晶金刚石生产设备的控温装置，包包括装置外壳，所述装置外壳的顶部一侧固定安装有冷水机。本发明中通过利用冷却盘管对进入进单晶金刚石生产设备的空气进行冷却，再由风扇将冷却后的空气经过滤网送往单晶金刚石生产设备内部，完成对单晶...

本发明公开了一种MPCVD装置生长台的升降控制系统，包括装置底座，所述装置底座的顶部固定安装有装置外壳，所述装置外壳的内部安装有生长台，所述装置底座的顶部开凿有安装槽。本发明中通过螺纹丝杆与安装槽的内部两侧转动连接，且螺纹丝杆穿过安装槽...

本发明公开了一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，包括反应室、样品台和进气道，所述反应室的内部设置有样品台，所述样品台的内部设置有冷却流道，所述样品台的上端与反应室之间设置有石英窗，所述反应室的侧面设置有混合气体导向排出结构，所述反应...