一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生长方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，包括反应室、样品台和进气道，所述反应室的内部设置有样品台，所述样品台的内部设置有冷却流道，所述样品台的上端与反应室之间设置有石英窗，所述反应室的侧面设置有混合气体导向排出结构，所述反应室的上端设置有进气道；夹持冷却结构吹出的冷却气体会使得限位杆与进气管之间的间隙增大，使得进气管受到的摩擦力减小，而当冷却气体进入到气囊的内部后会对混合气体进行冷却，同时进气管会对混合气体进行搅拌，使得混合气体的内部混合更加均匀，冷却气体还会带动进气管进行转动，从而随着金刚石膜的沉积进气管的高度随之上升，增加金刚石膜的沉积效果。金刚石膜的沉积效果。金刚石膜的沉积效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生长方法


[0001]本专利技术涉及金刚石单晶生长
，具体为一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生长方法。

技术介绍

[0002]微波等离子体化学气相沉积(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition)，简称MPCVD，是一种将微波发生器产生的微波用波导管经隔离器进入反应室，在微波的激励下，使反应室中的气体分子电离产生等离子体，在衬底上沉积得到金刚石膜，而一般的的MPCVD装置在进行使用时还有一些缺点，比如：
[0003]一般的的MPCVD装置在进行使用时不可以对气体进行预混合，从而使得混合气体流入到装置的内部后，混合气体中的成分会出现不均匀的现象，从而在金刚石膜进行沉积时，金刚石的表面会出现缺陷等现象，同时在装置进行使用时，不可以对装置的内部进行有效的冷却，使得装置在进行使用时，样品台的温度会持续的上升，进而不利于金刚石膜的沉积，在对金刚石膜进行沉积时，随着金刚石膜的增多，金刚石膜的高度会持续的升高，而一般的MPCVD装置在进行使用时不可以对气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，包括反应室(1)、样品台(2)和进气道(9)，其特征在于：所述反应室(1)的内部设置有样品台(2)，所述样品台(2)的内部设置有冷却流道，所述样品台(2)的上端与反应室(1)之间设置有石英窗(6)，所述反应室(1)的侧面设置有混合气体导向排出结构，所述反应室(1)的上端设置有进气道(9)，所述进气道(9)的内部滑动设置有进气管(10)，所述进气管(10)和反应室(1)为螺纹连接，所述进气管(10)的内部设置有移动搅拌结构，所述进气管(10)的侧面贴合设置有夹持冷却结构。2.根据权利要求1所述的一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，其特征在于：所述冷却流道包括排气孔(3)、进气道(4)和循环道(5)，所述排气孔(3)开设在样品台(2)的内部中心处，所述排气孔(3)的侧面等角度开设有呈环形的进气道(4)，邻位所述进气道(4)的相向侧等距设置有循环道(5)。3.根据权利要求2所述的一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，其特征在于：所述混合气体导向排出结构包括导向道(7)和导向块(8)，所述导向道(7)呈倾斜状，所述反应室(1)的上端内侧直径小于反应室(1)的下端内侧直径，所述导向道(7)的下端内部等角度设置有纵切面呈半圆形的导向块(8)。4.根据权利要求3所述的一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，其特征在于：所述导向道(7)的下端与进气道(4)处于同一水平面，所述导向块(8)与进气道(4)呈交叉状分布。5.根据权利要求1所述的一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，其特征在于：所述进气管(10)的上端外侧等距套设有若干个密封环(11)，所述进气管(10)滑动设置在进气道(9)的内部。6.根据权利要求1所述的一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，其特征在于：所述移...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚闯，满卫东，蒋梅荣，杨春梅，杨武，
申请(专利权)人：上海征世科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：