【技术实现步骤摘要】
提高制备效率的MOCVD外延设备及其使用方法
[0001]本公开涉及外延生长
，特别涉及一种提高制备效率的MOCVD外延设备及其使用方法。
技术介绍
[0002]金属有机化合物化学气相沉积(英文：Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD)设备是常见的外延生长设备，MOCVD外延设备通常包括一个反应腔以及放置在反应腔内的外延托盘，衬底放置在外延托盘，反应腔内通入的有机金属源与反应气体在衬底上反应并沉积生长外延层以得到外延片。
[0003]部分外延层在衬底上生长的过程中，除了需要在MOCVD外延设备内进行生长，还需要转移至不同的设备中进行高温处理或者其他处理。衬底与衬底上的外延层在不同的设备中进行转移再进行处理，会大幅度提高衬底上外延层的制备效率，并且外延层中掺入杂质的可能性也会增加，导致得到的外延片的质量不够理想，外延片的制备效率也较低。
技术实现思路
[0004]本公开实施例提供了一种提高制备效率的MOCVD外延设备及其...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高制备效率的MOCVD外延设备，其特征在于，所述MOCVD外延设备包括安装壳体(1)、反应腔部件(2)、处理腔部件(3)、第一隔离部件(4)与第一转移部件(5)，所述反应腔部件(2)与所述处理腔部件(3)均位于所述安装壳体(1)内，且所述反应腔部件(2)与所述处理腔部件(3)间隔分布，所述反应腔部件(2)包括第一生长反应腔(21)与第一外延托盘(22)，所述第一外延托盘(22)可转动地分布在所述第一生长反应腔(21)内，所述处理腔部件(3)包括外延材料处理腔(31)、靶基底(32)、等离子体处理组件(33)与第二加热结构，所述靶基底(32)与所述等离子体处理组件(33)间隔分布在所述外延材料处理腔(31)内，所述第一生长反应腔(21)的最大高度小于所述外延材料处理腔(31)的最大高度，所述等离子体处理组件(33)用于对放置在所述靶基底(32)上的衬底进行等离子体处理，所述第一隔离部件(4)与所述第一转移部件(5)间隔分布在所述安装壳体(1)内，所述第一隔离部件(4)用于实现所述第一生长反应腔(21)与所述外延材料处理腔(31)的连通或者隔离，所述第一转移部件(5)用于在所述第一生长反应腔(21)与所述外延材料处理腔(31)之间转移所述衬底。2.根据权利要求1所述的提高制备效率的MOCVD外延设备，其特征在于，所述MOCVD外延设备还包括第二隔离部件(6)与第二转移部件(7)，所述反应腔部件(2)还包括第二生长反应腔(24)与第二外延托盘(25)，所述第二生长反应腔(24)位于所述安装壳体(1)内，所述第二生长反应腔(24)与所述第一生长反应腔(21)分别位于所述外延材料处理腔(31)的两侧，所述第二外延托盘(25)可转动地分布在所述第二生长反应腔(24)内，所述第二隔离部件(6)用于实现所述外延材料处理腔(31)与所述第二生长反应腔(24)的连通或者隔离，所述第二转移部件(7)用于在所述外延材料处理腔(31)与所述第二生长反应腔(24)之间转移所述衬底。3.根据权利要求2所述的提高制备效率的MOCVD外延设备，其特征在于，所述第二生长反应腔(24)的最小高度大于所述外延材料处理腔(31)的最小高度，所述第二生长反应腔(24)的最小高度大于所述第一生长反应腔(21)的最大高度。4.根据权利要求3所述的提高制备效率的MOCVD外延设备，其特征在于，所述反应腔部件(2)还包括与所述第一生长反应腔(21)及所述第二生长反应腔(24)分别对应的第一加热组件(26)与第三加热组件(27)，所述处理腔部件(3)包括第二加热组件(34)，所述第一加热组件(26)、所述第二加热组件(34)与所述第三加热组件(27)用于分别加热所述第一生长反应腔(21)、所述外延材料处理腔(31)与所述第二生长反应腔(24)。5.根据权利要求1～3任一项所述的提高制备效率的MOCVD外延设备，其特征在于，所述第一转移部件(5)包括六自由...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈张笑雄，王群，陶羽宇，陆香花，龚逸品，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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