石墨载盘制造技术

本公开提供了一种石墨载盘，涉及半导体技术领域。该石墨载盘包括石墨覆盖盘，所述石墨覆盖盘的承载面具有多个第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁具有多个凸起结构，所述多个凸起结构沿所述第一凹槽的圆周方向分布。外延片的生长过程中，部分载流气体会流入第一凹槽的侧壁与行星盘之间的缝隙区域。第一凹槽侧壁上的多个凸起结构，使得流入该缝隙区域的载流，更容易形成湍流状态的载流场，湍流状态的载流场使得副反应生成物不易在该缝隙区域中堆积，避免了行星盘的旋转受到阻碍，从而影响到外延片的均匀性，同时也防止了行星盘旋转时，部分堆积的副产物被甩落至正在生长的外延片上，有利于提高外延片的晶体质量。高外延片的晶体质量。高外延片的晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
石墨载盘


[0001]本公开涉及半导体
，特别涉及一种石墨载盘。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于显示设备中。
[0003]外延片的生长是制作发光二极管的重要步骤。外延片的生长通常在MOCVD(Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，金属有机物化学气相沉积)反应腔中进行。反应腔内设置有石墨载盘，石墨载盘的表面上具有多个圆形的凹槽，凹槽内设置有行星盘，行星盘用于放置衬底。
[0004]外延片的生长过程中，行星盘的侧壁与凹槽的侧壁之间的间隙处存在规则的气流场，使副产物在该处不断累积，当副产物在行星盘的侧壁堆积过多时，行星盘的旋转就会受到阻碍，影响正常的生产。并且，副产物在每个行星盘侧壁的堆积程度存在一定差异，使每个行星盘遭受的影响不同，导致每个行星盘的转速产生差异，从而影响到外延片最终的均匀性。副产物还存在脱落的可能性，脱落的副产物如果落到正在生长的外延片上，还会大大影响最终形成的外延片的质量。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种石墨载盘，可以解决相关技术中外延片成型后厚度不均、所含副产物杂质过多的问题。所述技术方案如下：
[0006]该石墨载盘包括石墨覆盖盘，所述石墨覆盖盘的承载面具有多个第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁具有多个凸起结构，所述多个凸起结构沿所述第一凹槽的圆周方向分布，所述凸起结构靠近所述第一凹槽的轴线的表面为弧形凸面，所述弧形凸面的横截面和纵截面均为弧线，所述横截面平行于所述承载面，所述纵截面垂直于所述横截面，且过所述第一凹槽的轴线。
[0007]可选地，所述弧形凸面的纵截面的两端的连线平行于所述第一凹槽的轴线。
[0008]可选地，所述弧形凸面的纵截面为半圆弧。
[0009]可选地，所述弧形凸面的纵截面为四分之一圆弧，所述四分之一圆弧靠近所述第一凹槽的槽底的一端的切线平行于所述第一凹槽的轴线。
[0010]可选地，所述石墨覆盖盘包括多个石墨覆盖件与石墨盘，所述多个石墨覆盖件位于所述石墨盘的第一表面，且分别与所述石墨盘可拆卸相连，所述石墨盘的第一表面和所述多个石墨覆盖件围成多个所述第一凹槽。
[0011]可选地，所述多个石墨覆盖件包括多个第一石墨覆盖件、多个第二石墨覆盖件和多个第三石墨覆盖件；所述多个第二石墨覆盖件位于所述石墨盘的中心位置，且围绕所述石墨盘的中心圆周分布，相邻的第二石墨覆盖件相互拼接；所述多个第一石墨覆盖件和所
述多个第三石墨覆盖件位于所述石墨盘的边缘位置，分布为多个组，所述多个组沿所述石墨盘的边缘分布，每个组包括沿所述石墨盘的边缘分布的两个第一石墨覆盖件和位于所述两个第一石墨覆盖件之间的一个第三石墨覆盖件。
[0012]可选地，所述石墨覆盖件靠近所述石墨盘的表面具有多个第二凹槽，所述石墨盘靠近所述石墨覆盖件的表面具有多个第三凹槽，所述石墨覆盖件与所述石墨盘之间通过第一连接件连接，所述第一连接件位于所述第二凹槽和所述第三凹槽中。
[0013]可选地，所述石墨覆盖件包括覆盖件本体和延长部，所述延长部位于所述第一凹槽的槽底，且与所述覆盖件本体相连。
[0014]可选地，所述石墨载盘还包括多个行星盘，多个所述行星盘分别位于所述多个第一凹槽内，所述行星盘靠近所述第一凹槽的槽底的表面与所述延长部之间具有空隙。
[0015]可选地，所述行星盘靠近所述石墨盘的表面具有第四凹槽，所述石墨盘靠近所述行星盘的表面具有第五凹槽，所述石墨盘与所述行星盘之间通过第二连接件连接，所述第二连接件位于在所述第四凹槽和所述第五凹槽中。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]石墨载盘置于化学气相沉积反应腔中，在进行外延片的生长工艺时，石墨载盘的表面的第一凹槽用于放置行星盘，衬底被放置在多个行星盘上。外延片的生长过程中，部分载流气体会流入第一凹槽的侧壁与行星盘之间的缝隙区域。第一凹槽侧壁上的多个凸起结构，使得流入该缝隙区域的载流气体，更容易形成湍流状态的载流场，湍流状态的载流场使得副反应生成物不易在该缝隙区域中堆积，避免了行星盘的旋转受到阻碍，有利于提高外延片的均匀性，同时也防止了行星盘旋转时，部分堆积的副产物被甩落至正在生长的外延片上，有利于提高外延片的晶体质量。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本公开实施例提供的一种石墨载盘的俯视结构示意图；
[0020]图2是本公开实施例提供的一种石墨载盘的纵截面局部结构示意图；
[0021]图3是本公开实施例提供的另一种石墨载盘的纵截面局部结构示意图；
[0022]图4是本公开实施例提供的一种石墨载盘的横截面局部结构示意图。
具体实施方式
[0023]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0024]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少
一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
[0025]图1是本公开实施例提供的一种石墨载盘的俯视结构示意图，如图1所示，该石墨载盘包括石墨覆盖盘1，石墨覆盖盘1的承载面具有多个第一凹槽2，第一凹槽2的侧壁具有多个凸起结构3，多个凸起结构3沿第一凹槽2的圆周方向分布，凸起结构3靠近第一凹槽2的轴线的表面为弧形凸面4，弧形凸面4的横截面和纵截面均为弧线。其中，弧形凸面4的横截面平行于石墨覆盖盘1的承载面，弧形凸面4的纵截面垂直于弧形凸面4的横截面，且弧形凸面4的纵截面过第一凹槽2的轴线。
[0026]石墨载盘置于化学气相沉积反应腔中，在进行外延片的生长工艺时，石墨载盘的表面的第一凹槽2用于放置行星盘15，衬底被放置在多个行星盘15上。外延片的生长过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨载盘，其特征在于，所述石墨载盘包括石墨覆盖盘(1)，所述石墨覆盖盘(1)的承载面具有多个第一凹槽(2)，所述第一凹槽(2)的侧壁具有多个凸起结构(3)，所述多个凸起结构(3)沿所述第一凹槽(2)的圆周方向分布，所述凸起结构(3)靠近所述第一凹槽(2)的轴线的表面为弧形凸面(4)，所述弧形凸面(4)的横截面和纵截面均为弧线，所述横截面平行于所述承载面，所述纵截面垂直于所述横截面，且过所述第一凹槽(2)的轴线。2.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于，所述弧形凸面(4)的纵截面的两端的连线平行于所述第一凹槽(2)的轴线。3.根据权利要求2所述的石墨载盘，其特征在于，所述弧形凸面(4)的纵截面为半圆弧。4.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于，所述弧形凸面(4)的纵截面为四分之一圆弧，所述四分之一圆弧靠近所述第一凹槽(2)的槽底的一端的切线平行于所述第一凹槽(2)的轴线。5.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于，所述石墨覆盖盘(1)包括多个石墨覆盖件(5)与石墨盘(6)，所述多个石墨覆盖件(5)位于所述石墨盘(6)的第一表面，且分别与所述石墨盘(6)可拆卸相连，所述石墨盘(6)的第一表面和所述多个石墨覆盖件(5)围成多个所述第一凹槽(2)。6.根据权利要求5所述的石墨载盘，其特征在于，所述多个石墨覆盖件(5)包括多个第一石墨覆盖件(7)、多个第二石墨覆盖件(8)和多个第三石墨覆盖件(9)；所述多个第二石墨覆盖件(8)位于所述石墨盘(6)的中心位置，且围绕所述石墨盘(6)的中心圆周分布，相邻的第二石墨覆盖件(8)相互拼接...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈张笑雄，胡任浩，张舜，龚逸品，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：