一种用于硅外延生长的石墨托盘制造技术

本实用新型专利技术涉及硅外延生长的技术领域，公开了用于硅外延生长的石墨托盘，包括：托盘组件和支撑转轴；本实用新型专利技术在托盘主体上设置了凹槽结构，以在托盘主体进行硅外延生长时减少托盘主体因受热膨胀而产生的应力集中现象，避免托盘主体和托盘主体表面的SiC涂层开裂，解决现有技术中石墨托盘受热膨胀，产生应力集中的现象，导致石墨托盘及表面涂层开裂，影响石墨托盘的使用寿命的问题。墨托盘的使用寿命的问题。墨托盘的使用寿命的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅外延生长的石墨托盘


[0001]本技术涉及硅外延生长的
，尤其是一种用于硅外延生长的石墨托盘。

技术介绍

[0002]受益于市场环境的改变，近年来国内半导体市场发展迅速，半导体相关材料需求日益旺盛，硅外延片是板单体制造链中极为重要的基础材料。
[0003]硅外延片需要在硅外延生长炉中制造，将硅片放置在硅外延生长炉中的炉石墨托盘上，令其发生外延生长，石墨托盘的中间部分具有支撑凹槽，在支撑凹槽中设置支撑转轴，令石墨托盘固定在支撑转轴上，由支撑转轴带动石墨托盘进行旋转。
[0004]由于硅外延生长需要在高温环境中进行，而高温会导致石墨托盘受热膨胀，从而产生应力集中的现象，应力集中会导致石墨托盘和石墨托盘的表面涂层开裂，影响石墨托盘的使用寿命。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种用于硅外延生长的石墨托盘，旨在解决现有技术中石墨托盘受热膨胀，产生应力集中的现象，导致石墨托盘及表面涂层开裂，影响石墨托盘的使用寿命的问题。
[0006]本技术是这样实现的，本技术提供一种用于硅外延生长的石墨托盘，包括：
[0007]托盘组件和支撑转轴；
[0008]所述托盘组件包括托盘主体和凹槽结构；
[0009]所述托盘主体具有用于承载硅片的第一面和与所述第一面相对的第二面，所述第二面的中心位置设置有支撑槽，所述支撑转轴通过所述支撑槽与所述托盘主体固定连接；
[0010]所述凹槽结构设置在所述第一面上，用于减少应力集中。
[0011]在一些实施例中，所述凹槽结构包括若干线段型凹槽。
[0012]在一些实施例中，所述若干线段型凹槽以所述支撑槽为中心呈放射型均匀布置在所述第一面上。
[0013]在一些实施例中，所述凹槽结构包括若干孔洞型凹槽。
[0014]在一些实施例中，所述若干孔洞型凹槽以所述支撑槽为中心呈放射型均匀布置在所述第一面上。
[0015]在一些实施例中，所述托盘主体的表面设置有SiC涂层。
[0016]在一些实施例中，所述SiC涂层的厚度为30mm~300mm。
[0017]在一些实施例中，所述支撑槽的开口截面呈圆形，所述支撑转轴的截面外形呈圆形，所述支撑槽与所述支撑转轴互相卡合。
[0018]在一些实施例中，所述托盘主体的外形呈圆盘状。
[0019]本技术提供了一种用于硅外延生长的石墨托盘，具有以下有益效果：
[0020]本技术在托盘主体上设置了凹槽结构，以在托盘主体进行硅外延生长时减少托盘主体因受热膨胀而产生的应力集中现象，避免托盘主体和托盘主体表面的SiC涂层开裂，解决现有技术中石墨托盘受热膨胀，产生应力集中的现象，导致石墨托盘及表面涂层开裂，影响石墨托盘的使用寿命的问题。
附图说明
[0021]图1是本技术实施例提供的一种用于硅外延生长的石墨托盘示意图；
[0022]图2是本技术实施例提供的一种用于硅外延生长的石墨托盘的凹槽结构的示意图；
[0023]图3是本技术实施例提供的一种用于硅外延生长的石墨托盘的凹槽结构的另一种示意图；
[0024]图4是本技术实施例提供的一种用于硅外延生长的石墨托盘的凹槽结构的第三种示意图。
[0025]附图标记：1
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托盘组件、2
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支撑转轴、11
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托盘主体、12
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凹槽结构、111
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第一面、112
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第二面、13
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支撑槽、121
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线段型凹槽、3
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SiC涂层。
具体实施方式
[0026]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0027]本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0028]以下结合具体实施例对本技术的实现进行详细的描述。
[0029]参照图1、图2、图3、图4所示，为本技术提供较佳实施例。
[0030]本技术提供一种用于硅外延生长的石墨托盘，包括：
[0031]托盘组件1和支撑转轴2。
[0032]具体地，托盘组件1包括托盘主体11和凹槽结构12，其中，托盘主体11具有相对设置的第一面111和第二面112，第一面111用于承载硅片，第二面112的中心位置设置有支撑槽13，支撑转轴2通过支撑槽13与托盘主体11固定连接。
[0033]需要说明的是，在实际使用中，支撑转轴2设置在下方，托盘主体11设置在上方，此时托盘主体11的第一面111朝向上方，用于承载硅片，支撑转轴2用于带动托盘主体11旋转，以对硅片进行制备。
[0034]具体地，凹槽结构12设置在第一面111上，用于减少应力集中。
[0035]需要说明的是，应力集中是指结构或构件的局部区域的最大应力值比平均应力值
高的现象，应力集中能使物体产生疲劳裂纹，也能使脆性材料制成的零件发生恒静载断裂。
[0036]更具体地，物体由于外因（受力、湿度、温度场变化等）而变形时，在物体内各部分之间产生相互作用的内力，单位面积上的内力称为应力。
[0037]更具体地，石墨托盘用于硅外延生长，而硅外延生长需要在高温环境下进行，在进行硅外延生长时托盘主体11将会受热膨胀，随着持续地受热，托盘主体11将会产生应力集中的现象。
[0038]本技术提供了一种用于硅外延生长的石墨托盘，具有以下有益效果：
[0039]本技术在托盘主体11上设置了凹槽结构12，以在托盘主体11进行硅外延生长时减少托盘主体11因受热膨胀而产生的应力集中现象，避免托盘主体11和托盘主体11表面的SiC涂层3开裂，解决现有技术中石墨托盘受热膨胀，产生应力集中的现象，导致石墨托盘及表面涂层开裂，影响石墨托盘的使用寿命的问题。
[0040]在一些实施例中，凹槽结构12包括若干线段型凹槽121。
[0041]具体地，线段型凹槽121的外形呈笔直的线段型，具有一定的宽度、长度以及深度，当托盘主体11受热膨胀时，线段型凹槽121给予了凹槽旁侧的托盘主体11扩展的空间，因此托盘主体11无需在膨胀过程中互相挤压，从而导致应力集中。
[0042]优选地，若干线段型凹槽121以支撑槽13本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于硅外延生长的石墨托盘，其特征在于，包括：托盘组件和支撑转轴；所述托盘组件包括托盘主体和凹槽结构；所述托盘主体具有用于承载硅片的第一面和与所述第一面相对的第二面，所述第二面的中心位置设置有支撑槽，所述支撑转轴通过所述支撑槽与所述托盘主体固定连接；所述凹槽结构设置在所述第一面上，用于减少应力集中。2.如权利要求1所述的一种用于硅外延生长的石墨托盘，其特征在于，所述凹槽结构包括若干线段型凹槽。3.如权利要求2所述的一种用于硅外延生长的石墨托盘，其特征在于，所述若干线段型凹槽以所述支撑槽为中心呈放射型均匀布置在所述第一面上。4.如权利要求1所述的一种用于硅外延生长的石墨托盘，其特征在于，所述凹槽结构包括若...

【专利技术属性】
技术研发人员：周祖豪，雷宏涛，盛思义，
申请(专利权)人：广州志橙半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：