发光二极管及其制作方法技术

本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：衬底、转移层、第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述转移层、所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层依次层叠在所述衬底；所述转移层包括二维材料层。该发光二极管无需采用激光剥离技术或化学剥离技术剥离衬底，可以解决激光剥离技术剥离衬底时，剥离面出现损伤的问题，同时还可以确保剥离衬底时的剥离效率，以提升发光二极管的制作效率。

【技术实现步骤摘要】

本公开发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。

技术介绍

1、发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。

2、相关技术提供了一种发光二极管的结构，该发光二极管至少包括衬底、依次层叠在衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层。相关技术中，发光二极管在生长之后，会通过激光剥离技术或化学剥离技术剥离发光二极管的衬底，并将发光二极管转移至基板上。

3、然而，采用激光剥离技术剥离衬底时，会导致剥离面出现损伤，不利于发光二极管的质量；采用化学剥离技术剥离衬底时，剥离效率较低，不利于发光二极管的制作效率。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管无需采用激光剥离技术或化学剥离技术剥离衬底，可以解决激光剥离技术剥离衬底时，剥离面出现损伤的问题，同时还可以确保剥离衬底时的剥离效率，以提升发光二极管的制作效率。所述技术方案如下：

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述二维材料层的二维材料为如下之一：六方氮化硼、石墨、石墨烯、二硫化钼。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述转移层(101)的厚度为5～30nm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层(102)包括依次层叠的三维GaN层(202)、二维GaN层(203)、N型GaN层(204)；

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层(102)还包括N型AlGaN层(201)，所...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述二维材料层的二维材料为如下之一：六方氮化硼、石墨、石墨烯、二硫化钼。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述转移层(101)的厚度为5～30nm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层(102)包括依次层叠的三维gan层(202)、二维gan层(203)、n型gan层(204)；

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层(102)还包括n型algan层(201)，所述n型algan层(201)位于所述转移层(101)与所述三维gan层(202)之间，所述n型algan层(201)中al组分比例为10％～20％。

6.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈张笑雄，毛佳甜，朱宸綦，王群，龚逸品，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：