发光二极管及其制作方法技术

本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括：N型半导体层以及依次位于N型半导体层上的多量子阱层和P型半导体层；P型半导体层包括沿远离多量子阱层的方向依次层叠的掺杂Mg的第一GaN层、未掺杂Mg的第二GaN层和掺杂Mg的第三GaN层；第三GaN层包括交替层叠的多个具有第一Mg掺杂浓度的第一子层和多个具有第二Mg掺杂浓度的第二子层，第二Mg掺杂浓度大于第一Mg掺杂浓度。本公开实施例能提高LED的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于背光、照明、景观等各个光源领域。

2、相关技术中，led包括：依次层叠的n型半导体层、多量子阱层和p型半导体层。其中，p型半导体层是具有单一的mg掺杂浓度的gan层。

3、然而，p型半导体层中用于提供空穴的mg的激活效率较低，会降低有效空穴的数量，从而导致电子和空穴的辐射复合效率较低，影响led的发光效率。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，能提高led的发光效率。所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种发光二极管，包括：n型半导体层以及依次位于所述n型半导体层上的多量子阱层和p型半导体层；所述p型半导体层包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的掺杂mg的第一gan层、未掺杂mg的第二gan层和掺杂mg的第三gan层；所述第三gan层包括交替层叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一GaN层(61)包括沿远离所述多量子阱层(40)的方向依次层叠的具有第三Mg掺杂浓度的第三子层(611)和具有第四Mg掺杂浓度的第四子层(612)，所述第四Mg掺杂浓度大于所述第三Mg掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述发光二极管，其特征在于，所述第一Mg掺杂浓度为1*1019cm-3至6*1019cm-3，所述第二Mg掺杂浓度为5*1019cm-3至1*1020cm-3，所述第三Mg掺杂浓度为1*1019cm-3至6*1019cm-3，所述第四Mg掺杂浓度为5*1019...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一gan层(61)包括沿远离所述多量子阱层(40)的方向依次层叠的具有第三mg掺杂浓度的第三子层(611)和具有第四mg掺杂浓度的第四子层(612)，所述第四mg掺杂浓度大于所述第三mg掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述发光二极管，其特征在于，所述第一mg掺杂浓度为1*1019cm-3至6*1019cm-3，所述第二mg掺杂浓度为5*1019cm-3至1*1020cm-3，所述第三mg掺杂浓度为1*1019cm-3至6*1019cm-3，所述第四mg掺杂浓度为5*1019cm-3至1*1020cm-3。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一gan层(61)的厚度为60nm至140nm，所述第二gan层(62)的厚度为1nm至5nm，所述第三gan层(63)的厚度为30nm至70nm。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振，从颖，龚逸品，梅劲，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：