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本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括：N型半导体层以及依次位于N型半导体层上的多量子阱层和P型半导体层；P型半导体层包括沿远离多量子阱层的方向依次层叠的掺杂Mg的第一GaN层、未掺杂Mg的第二G...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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