一种化学气相沉积设备用加热装置及化学气相沉积设备制造方法及图纸

本申请公开一种化学气相沉积设备用加热装置及化学气相沉积设备，包括第一加热部件

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积设备用加热装置及化学气相沉积设备


[0001]本申请涉及半导体设备制造
，具体地涉及一种化学气相沉积设备用加热装置及化学气相沉积设备
。

技术介绍

[0002]半导体
CVD
设备又称化学气相沉积设备，是制备高质量半导体单晶薄膜的主要装备，包括碳化硅外延设备
、MOCVD、PECVD
等
。
特别是碳化硅外延设备
、MOCVD
设备是集真空
、
高温
、
高速旋转等技术为一体的高科技装备
。
其反应原理是，衬底片放置在石墨托盘上进行加热，反应气体流经被加热到反应温度的基片
(
即衬底
)
表面，发生化学反应生成单晶薄膜
。
温度对外延掺杂生长的浓度厚度均匀性影响很大，因此加热装置的设计对薄膜生长十分重要，但现有技术中，加热装置受热会发生膨胀，致使石墨托盘底部的温场不均匀，从而影响外延片的浓度和厚度均匀性
。

技术实现思路
<br/>[0003]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种化学气相沉积设备用加热装置，其特征在于，包括：隔热件；第一加热部件，所述第一加热部件设置于所述隔热件上；第二加热部件，所述第二加热部件设置在所述第一加热部件的外围，所述第二加热部件具有两个引出固定端，两个所述引出固定端位于同一侧且与隔热件连接，所述第二加热部件远离引出固定端的一侧具有支撑件，所述支撑件与所述隔热件的表面抵接，其中，所述第二加热部件受热膨胀，所述第二加热部件远离所述引出固定端的一侧径向膨胀，使所述第一加热部件与所述第二加热部件同心或同轴
。2.
根据权利要求1所述的一种化学气相沉积设备用加热装置，其特征在于，所述第二加热部件相对所述第一加热部件偏心设置，且所述第二加热部件的圆心偏向所述第二加热部件的引出固定端的一侧
。3.
根据权利要求2所述的一种化学气相沉积设备用加热装置，其特征在于，所述第二加热部件的圆心到所述第一加热部件的圆心的距离为偏心距离
a
，且所述偏心距离
1mm≤a≤4mm。4.
根据权利要求1所述的一种化学气相沉积设备用加热装置，其特征在于，所述第二加热部件远离引出固定端的一侧径向延伸有至少一个与所述支撑件相适配的导向槽
。5.
根据权利要求4所述的一种化学气相沉积设备用加热装置，其特征在于，配置有一个所述导向槽，所述导向槽的轴线与第二加热部件的圆心处于同一直径线上
。6.
根据权利要求4所述的一种化学气相沉积设备用加热装置，其特征在于，配...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鹏，蒲勇，卢勇，
申请(专利权)人：芯三代半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：