【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及缓存腔体及晶圆暂存装置。
技术介绍
1、随着智能制造、电子设备等产业快速崛起和半导体技术的发展，市场对芯片的需求量日益增长，半导体设备的稳定性及产能则成为各个厂商关注的重点。半导体加工设备一般设置有暂存腔(loadlock chamber,llc)来缩短单片工艺时间以提高产能，暂存腔设置在半导体加工设备的前端模块(efem)和中转模块(whc)之间；晶圆在中转模块连接的反应腔内完成镀膜后由真空机械手传送至暂存腔内，并在暂存腔内进行冷却，而后由大气机械手将晶圆从暂存腔内取出并传送至前端模块的料盒内。
2、现有的半导体加工设备的暂存腔一般采用风冷方式进行冷却，冷却方式单一，存在冷却效率低、腔内气流紊乱因此腔内颗粒物容易被扬起而污染晶圆表面，影响晶圆的加工效率和加工质量。
技术实现思路
1、本专利技术的第一个目的在于提供缓存腔体，能提供较高的冷却效率，避免腔内气流紊乱造成的颗粒物扬起而污染晶圆表面的问题，提升晶圆的加工效率和加工质量。
2、为达此目的，本专利技术一方面采用以下技术方案：
3、提供缓存腔体，包括：
4、缓存腔组件，所述缓存腔组件包括缓存腔本体、上腔盖本体和下腔盖本体，所述缓存腔本体具有容置晶圆的缓存腔，所述上腔盖本体和所述下腔盖本体分别可拆卸连接于所述缓存腔本体的两端以封闭所述缓存腔，所述上腔盖本体和/或所述下腔盖本体朝向所述缓存腔的一侧设置有凸起部，所述缓存腔组件开设有连通所述缓存腔的进气口
5、所述上腔盖本体和/或所述下腔盖本体开设有连通所述缓存腔的若干导流槽，所述导流槽连通所述进气口和/或所述出气口以形成若干冷却流道，所述冷却气体沿所述冷却流道流动。
6、在其中一个实施例中，所述缓存腔本体开设有连通所述缓存腔的上开口和下开口，所述上腔盖本体封闭所述上开口，所述下腔盖本体封闭所述下开口，所述进气口开设于所述上腔盖本体，所述出气口开设于所述下腔盖本体；和/或，
7、所述进气口和所述出气口对称设置于所述缓存腔的轴线两侧。
8、在其中一个实施例中，所述上腔盖本体朝向所述缓存腔的一侧设置有第一凸起部，所述第一凸起部和所述缓存腔本体的内腔壁之间形成第一导流槽；和/或，
9、所述下腔盖本体朝向所述缓存腔的一侧具有第二凸起部，所述第二凸起部和所述缓存腔本体的内腔壁之间形成第二导流槽。
10、在其中一个实施例中，所述第一凸起部包括第一侧壁和第一顶板，所述第一侧壁垂直于所述上腔盖本体，所述第一顶板沿水平面延伸；和/或，
11、所述第二凸起部包括第二侧壁和第二顶板，所述第二侧壁倾斜设置，所述第二顶板沿水平面延伸。
12、在其中一个实施例中，所述进气口开设于所述上腔盖本体，所述第一凸起部内凹以形成避让侧壁，所述避让侧壁环绕所述进气口以形成第三导流槽，所述第三导流槽连通所述第一导流槽以形成所述冷却流道；和/或，
13、所述出气口开设于所述下腔盖本体，所述下腔盖本体上还开设有连通所述缓存腔的真空检测口和/或举升组件安装口，所述第二凸起部避让所述真空检测口和/或所述举升组件安装口和/或所述出气口以形成第四导流槽，所述第四导流槽连通所述第二导流槽以形成所述冷却流道。
14、在其中一个实施例中，所述缓存腔组件还包括进气机构，所述进气机构包括扩散器，所述扩散器连接于所述进气口，所述扩散器用于过滤所述进气口进入的所述冷却气体；和/或，
15、所述缓存腔组件还包括进气机构，所述进气机构可拆卸连接所述上腔盖本体，所述进气机构设置有密封圈，所述密封圈环绕所述进气口设置以密封所述进气机构和所述上腔盖本体的连接处。
16、在其中一个实施例中，所述缓存腔体还包括冷却组件，所述冷却组件包括设置于所述缓存腔内的水冷盘机构，所述水冷盘机构内置水冷通道，所述水冷盘机构用于支撑并冷却所述晶圆。
17、在其中一个实施例中，所述冷却组件还包括水冷管，所述水冷管嵌设于所述水冷通道内，所述水冷管具有进水端口和出水端口，所述进水端口和所述出水端口分别连通外部供冷系统以使冷却水在所述水冷管内流动；和/或，
18、所述下腔盖本体开设有连通所述缓存腔的水冷盘连接口，所述水冷盘机构可拆卸连接于所述下腔盖本体，以穿过所述水冷盘连接口并位于所述缓存腔内；和/或，
19、所述水冷盘机构包括相互连接的主盘体和盖板，所述主盘体和所述盖板两者中的至少一个开设有水冷槽以形成所述水冷通道。
20、在其中一个实施例中，所述水冷通道为螺旋形，螺旋形的所述水冷通道的中心和所述缓存腔的轴向重合，且所述进水端口设置于所述水冷通道的中心，所述出水端口设置于所述水冷通道远离所述中心的末端；和/或，
21、所述水冷盘机构包括多个支撑头，所述支撑头可拆卸连接于所述主盘体且凸出于所述主盘体的上表面，所述支撑头用于支撑所述晶圆。
22、在其中一个实施例中，部分所述导流槽内凹设置于主盘体的上表面，所述导流槽包括多个径向导流槽和多个周向导流槽，所述径向导流槽的长度沿所述主盘体的径向延伸且多个所述径向导流槽沿周向间隔设置，所述周向导流槽环绕所述主盘体的中心延伸且多个所述周向导流槽沿径向间隔设置，所述径向导流槽和所述周向导流槽相互连通以形成所述冷却流道；和/或，
23、所述缓存腔本体的内腔壁和所述水冷盘机构的外侧壁之间形成第五导流槽。
24、在其中一个实施例中，所述冷却组件还包括温度传感器，所述温度传感器连接所述水冷盘机构，所述温度传感器用于检测所述水冷盘机构的温度。
25、在其中一个实施例中，所述缓存腔本体还开设有连通所述缓存腔的第一连接口和第二连接口，所述第一连接口用于连接前端加工模块，所述第二连接口用于连接中转模块，所述晶圆能够可转移地位于在所述连接前端加工模块或者所述中转模块或者所述缓存腔内；和/或，
26、所述缓存腔本体内设置有多个所述缓存腔，所述缓存腔间隔设置且相互隔离，多个所述缓存腔分别容置多个所述晶圆，所述缓存腔组件相应设置有多组，以分别对应多个所述缓存腔；和/或，
27、所述缓存腔体还包括举升组件，所述举升组件包括设置于所述缓存腔内的举升支架，所述举升支架能够托举所述晶圆，所述举升组件能够沿所述缓存腔的轴向往复移动。
28、在其中一个实施例中，所述下腔盖本体上还开设有连通所述缓存腔的举升组件安装口，所述举升组件可拆卸连接于所述下腔盖本体以使所述举升支架穿过所述举升组件安装口并位于所述缓存腔内；
29、所述下腔盖本体具有定位安装面，所述举升组件贴合抵接所述定位安装面。
30、本专利技术的第二个目的在于提供晶圆暂存装置，具有上述的缓存腔体，其冷却效率高，可避免腔内气流紊乱造成的颗粒物扬起而污染晶圆表面的问题，提升晶圆的加工效率和加工质量，使晶圆暂存装置的可靠性较好。
【技术保护点】
1.缓存腔体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的缓存腔体，其特征在于，所述缓存腔本体(11)开设有连通所述缓存腔(111)的上开口和下开口，所述上腔盖本体(12)封闭所述上开口，所述下腔盖本体(13)封闭所述下开口，所述进气口(14)开设于所述上腔盖本体(12)，所述出气口(15)开设于所述下腔盖本体(13)；和/或，
3.根据权利要求1所述的缓存腔体，其特征在于，所述上腔盖本体(12)朝向所述缓存腔(111)的一侧设置有第一凸起部(101)，所述第一凸起部(101)和所述缓存腔本体(11)的内腔壁之间形成第一导流槽(201)；和/或，
4.根据权利要求3所述的缓存腔体，其特征在于，所述第一凸起部(101)包括第一侧壁(1011)和第一顶板(1012)，所述第一侧壁(1011)垂直于所述上腔盖本体(12)，所述第一顶板(1012)沿水平面延伸；和/或，
5.根据权利要求3所述的缓存腔体，其特征在于，所述进气口(14)开设于所述上腔盖本体(12)，所述第一凸起部(101)内凹以形成避让侧壁(1013)，所述避让侧壁(1013
6.根据权利要求1所述的缓存腔体，其特征在于，所述缓存腔组件(1)还包括进气机构(16)，所述进气机构(16)包括扩散器(161)，所述扩散器(161)连接于所述进气口(14)，所述扩散器(161)用于过滤所述进气口(14)进入的所述冷却气体；和/或，
7.根据权利要求1所述的缓存腔体，其特征在于，所述缓存腔体还包括冷却组件(2)，所述冷却组件(2)包括设置于所述缓存腔(111)内的水冷盘机构(21)，所述水冷盘机构(21)内置水冷通道(22)，所述水冷盘机构(21)用于支撑并冷却所述晶圆。
8.根据权利要求7所述的缓存腔体，其特征在于，所述冷却组件(2)还包括水冷管(23)，所述水冷管(23)嵌设于所述水冷通道(22)内，所述水冷管(23)具有进水端口(231)和出水端口(232)，所述进水端口(231)和所述出水端口(232)分别连通外部供冷系统以使冷却水在所述水冷管(23)内流动；和/或，
9.根据权利要求8所述的缓存腔体，其特征在于，所述水冷通道(22)为螺旋形，螺旋形的所述水冷通道(22)的中心和所述缓存腔(111)的轴向重合，且所述进水端口(231)设置于所述水冷通道(22)的中心，所述出水端口(232)设置于所述水冷通道(22)远离所述中心的末端；和/或，
10.根据权利要求9所述的缓存腔体，其特征在于，部分所述导流槽(20)内凹设置于主盘体(211)的上表面，所述导流槽(20)包括多个径向导流槽(205)和多个周向导流槽(206)，所述径向导流槽(205)的长度沿所述主盘体(211)的径向延伸且多个所述径向导流槽(205)沿周向间隔设置，所述周向导流槽(206)环绕所述主盘体(211)的中心延伸且多个所述周向导流槽(206)沿径向间隔设置，所述径向导流槽(205)和所述周向导流槽(206)相互连通以形成所述冷却流道；和/或，
11.根据权利要求7所述的缓存腔体，其特征在于，所述冷却组件(2)还包括温度传感器(24)，所述温度传感器(24)连接所述水冷盘机构(21)，所述温度传感器(24)用于检测所述水冷盘机构(21)的温度。
12.根据权利要求1-11任一项所述的缓存腔体，其特征在于，所述缓存腔本体(11)还开设有连通所述缓存腔(111)的第一连接口(112)和第二连接口(113)，所述第一连接口(112)用于连接前端加工模块，所述第二连接口(113)用于连接中转模块，所述晶圆能够可转移地位于在所述连接前端加工模块或者所述中转模块或者所述缓存腔(111)内；和/或，
13.根据权利要求12所述的缓存腔体，其特征在于，所述下腔盖本体(13)上还开设有连通所述缓存腔(111)的举升组件安装口(133)，所述举升组件(3)可拆卸连接于所述下腔盖本体(13)以使所述举升支架(31)穿过所述举升组件安装口(133)并位于所述缓存腔(111)内；
14.晶圆暂存装置，其特征在于，包括如权利要求1-13任一项所述的缓存腔体。
...【技术特征摘要】
1.缓存腔体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的缓存腔体，其特征在于，所述缓存腔本体(11)开设有连通所述缓存腔(111)的上开口和下开口，所述上腔盖本体(12)封闭所述上开口，所述下腔盖本体(13)封闭所述下开口，所述进气口(14)开设于所述上腔盖本体(12)，所述出气口(15)开设于所述下腔盖本体(13)；和/或，
3.根据权利要求1所述的缓存腔体，其特征在于，所述上腔盖本体(12)朝向所述缓存腔(111)的一侧设置有第一凸起部(101)，所述第一凸起部(101)和所述缓存腔本体(11)的内腔壁之间形成第一导流槽(201)；和/或，
4.根据权利要求3所述的缓存腔体，其特征在于，所述第一凸起部(101)包括第一侧壁(1011)和第一顶板(1012)，所述第一侧壁(1011)垂直于所述上腔盖本体(12)，所述第一顶板(1012)沿水平面延伸；和/或，
5.根据权利要求3所述的缓存腔体，其特征在于，所述进气口(14)开设于所述上腔盖本体(12)，所述第一凸起部(101)内凹以形成避让侧壁(1013)，所述避让侧壁(1013)环绕所述进气口(14)以形成第三导流槽(203)，所述第三导流槽(203)连通所述第一导流槽(201)以形成所述冷却流道；和/或，
6.根据权利要求1所述的缓存腔体，其特征在于，所述缓存腔组件(1)还包括进气机构(16)，所述进气机构(16)包括扩散器(161)，所述扩散器(161)连接于所述进气口(14)，所述扩散器(161)用于过滤所述进气口(14)进入的所述冷却气体；和/或，
7.根据权利要求1所述的缓存腔体，其特征在于，所述缓存腔体还包括冷却组件(2)，所述冷却组件(2)包括设置于所述缓存腔(111)内的水冷盘机构(21)，所述水冷盘机构(21)内置水冷通道(22)，所述水冷盘机构(21)用于支撑并冷却所述晶圆。
8.根据权利要求7所述的缓存腔体，其特征在于，所述冷却组件(2)还包括水冷管(23)，所述水冷管(23)嵌设于所述水冷通道(22)内，所述水冷管(23)具有进水端口(231)和出水端口(232...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，沈文杰，潘文博，苏坤，张凌峰，朱雪伟，朱凌锋，
申请(专利权)人：浙江求是创芯半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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