本发明提供复合石墨粒子、复合石墨粒子的制造方法、电极片以及锂离子二次电池。一种复合石墨粒子，具有由人造石墨构成的芯材、和包含非粉体状的非晶质碳材料和粉体状的导电性碳材料且被覆所述芯材的被覆层，所述非粉体状的非晶质碳材料的质量相对于所述芯...

本发明的目的是提供一种具有高氧还原能力的包含氮氧化钛的氧还原催化剂。本发明的氧还原催化剂是氮元素含量为8.0～15质量％的氮氧化钛，所述氮氧化钛在粉末X射线衍射测定中具有锐钛矿型二氧化钛的晶体结构，X射线光电子能谱分析中的信号强度比N‑...

一种锂离子二次电池(1)，具备进行使用锂离子的充放电的电池部(100)、和在内部收纳电池部(100)的外装部(30)。电池部(100)是将第1电池部(10)和第2电池部(20)层叠而构成的，该第1电池部是将第1正极层(11)、第1固体电...

本发明的SiC晶片的缺陷测定方法包括：装置管理步骤，针对由发光强度不会因激励光的反复照射而变化的材料形成、并且在表面具有由凹部和/或凸部构成的图案的标准样品，在测定SiC晶片的缺陷之前，以与测定SiC晶片的缺陷时相同的照射条件照射所述激...

本发明的目的是提供一种具有高氧还原能力的包含氮氧化钛的氧还原催化剂。本发明的氧还原催化剂是氮元素含量为0.1～2.0质量％的氮氧化钛，所述氮氧化钛在粉末X射线衍射测定中具有金红石型二氧化钛的晶体结构，且X射线光电子能谱分析中的信号强度比...

本发明的碳化硅单晶的制造方法是使用导向构件而使上述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，并且在上述单晶生长工序与上述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，所述单晶生长工序以在上述...

本发明的集电板在至少一面具有包围预定区域的周缘壁，在所述周缘壁的所述一面侧的露出面即第1面上，沿着与所述周缘壁的延伸方向正交的方向测定出的表面粗糙度(Ra)大于沿着所述周缘壁的延伸方向测定出的表面粗糙度(Ra)。

液冷式冷却装置用散热器(6)包括多个翅片板(14)、和将全部翅片板(14)一体地连结的连结构件(15)。翅片板(14)包括纵长方形的平板状板主体(16)、和与板主体(16)的两端部一体地设置的窄幅部(17)。将全部翅片板(14)在板主体...

该集电板至少在一面具有能够流通电解液的多个槽，所述槽的内表面具有表面粗糙度(Ra)小于连接所述槽之间的第1面的表面粗糙度(Ra)的部分。

本发明涉及采用升华再结晶法的碳化硅单晶锭的制造方法。制造方法包括：升温工序，使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度；单晶生长工序，维持晶体生长温度，使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长；以及降温工序，使...

本发明的集电板在至少一面具有电解液能够流通的多个流路，在所述多个流路之间所规定的内部壁的第1面上，沿着所述内部壁的宽度方向测定出的表面粗糙度(RaT)小于沿着所述内部壁的长度方向测定出的表面粗糙度(RaL)。

锂离子二次电池(1)具备电池单元(50)和外装部(30)，电池单元(50)包含金属制的基板(5)、在基板(5)的正面形成的第1电池部(10)和在背面形成的第2电池部(20)，外装部(30)在内部收纳第1电池部(10)和第2电池部(20)...

一种氧化还原液流电池的运行方法，所述氧化还原液流电池具有正极和负极这2个电极以及隔膜，向正极供给正极电解液并向负极供给负极电解液来进行充放电，所述运行方法具有使向所述正极供给的正极电解液和向负极供给的负极电解液中的一者或两者的压力以1/...

该集电板至少在一面具有流通电解液的多个流路，位于所述多个流路之间的壁部的第1面的算术表面粗糙度(Ra)为1μm以上且300μm以下，所述壁部的第1面是所述壁部在所述一面侧的露出面。

提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。

本发明提供一种用于获得低电阻的蓄电装置的蓄电装置用集电体。一种蓄电装置用集电体，其特征在于，在片状的导电性基材的一面或两面形成有被覆层，所述被覆层含有粉末状碳材料、酸改性聚1,1‑二氟乙烯和聚乙烯基吡咯烷酮，所述被覆层中的所述聚乙烯基吡...

本发明提供下述式(1)所示的含氟醚化合物。R

提供能够制造使基底面位错的发生数降低至100cm

本发明涉及SiC锭及SiC锭的制造方法。该SiC锭具备：芯部；和表面层，形成于所述芯部的生长方向的表面，所述表面层的线性膨胀系数比所述芯部的线性膨胀系数小。

本公开涉及SiC单晶的加工方法及SiC锭的制造方法。该SiC单晶(1)的加工方法包括：测定工序，至少沿着通过俯视中央的第1方向和与所述第1方向正交的第2方向来测定SiC单晶(1)的原子排列面(2)的形状；及表面加工工序，对所述SiC单晶...