本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L1

本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30...

提供产业废弃物的排出量少、工业上能够利用的六氟‑1,3‑丁二烯的制造方法。六氟‑1,3‑丁二烯的制造方法具备下述工序：反应工序，使化学式CF

本发明涉及液相色谱用填充剂以及使用了该填充剂的柱，上述液相色谱用填充剂包含：具有来源于(甲基)丙烯酸酯的单体单元和来源于二乙烯基苯的单体单元的共聚物的粒子，其特征在于，上述来源于(甲基)丙烯酸酯的单体单元：上述来源于二乙烯基苯的单体单元...

提供一种辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、包含具有L1

提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L1

一种电化学制造锗烷的方法，在具有隔膜、阳极和包含银的阴极的电化学单元中，向包含锗化合物的电解液通电，在阴极使锗烷产生。

一种金属箔与树脂膜的层压用粘接剂，其包含：(A)具有选自羟基、羧基、丙烯酰基中的至少1种官能团的聚氨酯1～20质量％；(B)不具有活性氢且具有2个以上烯属不饱和键的单体30～90质量％；(C)具有1个烯属不饱和键的脂肪族单体1～55质量...

本实用新型提供一种抑制换热器的换热管的弯曲部的内部的压力损失的增大的换热器。所述换热器包括呈并列状地配置的多个板翅片、和具有贯通了板翅片的多个直管部及将相邻的两个直管部连接的弯曲管部的换热管，在换热管的直管部的周围固定有板翅片，换热管的...

一种电化学制造锗烷的方法，在具有隔膜、阳极和包含钯的阴极的电化学单元中，向包含锗化合物的电解液通电，在阴极使锗烷产生。

一种电化学制造锗烷的方法，在具有隔膜、阳极和包含金的阴极的电化学单元中，向包含锗化合物的电解液通电，在阴极使锗烷产生。

本发明涉及一种电子控制装置封装用树脂组合物，其包含：(A)选自不饱和聚酯树脂和乙烯基酯树脂中的至少一种热固性树脂、(B)聚合性不饱和化合物、(C)无机填充材料、(D)玻璃纤维、(E)内部脱模剂、(F)偶联剂、以及(G)固化剂，相对于(A...

本发明提供由含有卤化锌的混合物制造高纯度的卤化锌水溶液的方法。卤化锌水溶液的制造方法具备下述工序：添加工序，在含有碳原子数3以下的醇、卤化锌和锌的混合物中添加水和卤化氢而获得混合液；以及蒸馏工序，将混合液进行蒸馏而将碳原子数3以下的醇从...

锂离子二次电池(1)具备电池单元(100)和外装部(200)，电池单元(100)包含金属制的基板(10)和在基板(10)上层叠薄膜而构成的电池部(20)，外装部(200)设置在基板(10)中的电池部(20)的形成面侧，与基板(10)一同...

提供一种能够将硅氮化物层的蚀刻速度和硅氧化物层的蚀刻速度控制为相同程度的蚀刻方法。将具备具有层叠了的硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)的层叠膜(5)的被处理体，通过含有由碳、溴和氟构成的卤化碳化合物的蚀刻气体进行处理。硅氧化物层(2)和...

本发明一方案的成膜装置，具备：成膜室即成膜空间；成膜处理前室；向成膜空间供给原料的原料供给口；用于对晶片的温度进行测定的开口部，所述晶片载置于在所述成膜空间内配置的载置台的晶片载置面上；以及将所述成膜空间与成膜处理前室进行间隔的间隔板，...

本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L1

本实用新型提供在接受传热介质具有的冷能或热能的受热体的数量增加时也能降低成本的传热装置。传热装置(1)具有流通传热介质的传热介质流通路(4)，并具备传热介质流通体(2)和多个热传导部件(3)，传热介质流通体(2)的下表面为传热面(5)，...

一种用于形成锂离子二次电池的正极层的溅镀靶(100)，由多个第1粒子(110)和多个第2粒子(120)的烧结体构成，多个第1粒子(110)分别作为无机固体电解质包含锂磷氧化物(例如Li

本发明的遮蔽构件配置于单晶生长装置内，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器、原料收纳部、基板支持部和加热装置，所述原料收纳部位于所述晶体生长用容器内的下部，所述基板支持部配置在所述原料收纳部的上方，且以与所述原料收纳部相对的方式支持基板，...