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昭和电工株式会社专利技术
昭和电工株式会社共有2541项专利
含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂和磁记录介质制造技术
下述式(1)表示的含氟醚化合物,R
冷却器及其基板、以及半导体装置制造方法及图纸
本发明提供一种冷却器,其具备充分的冷却性能,并且能够将基板高精度地固定于容器主体。本发明的冷却器具备容器主体(1)和基板(5),容器主体(1)是在上表面具有开口的箱形,基板(5)在内周部(6)的下表面侧形成多个散热翅片(61),并且能够...
锂离子二次电池用负极材料和锂离子二次电池制造技术
一种锂离子二次电池用负极材料,其包含覆盖碳的复合材料,所述覆盖碳的复合材料含有:复合材料和覆盖该复合材料的追加的非晶碳,所述复合材料含有含硅颗粒、石墨颗粒和非晶碳;对于该覆盖碳的复合材料,X射线光电子能谱法(XPS)中观测到的、99~1...
感光性树脂组合物及其制造方法技术
一种感光性树脂组合物,其含有:共聚物(A),其含有具有封端异氰酸基的结构单元(a)以及具有酸基的结构单元(b);含羟基的有机溶剂(B);反应性稀释剂(C);以及光聚合引发剂(D)。
共聚物以及滤色器用感光性树脂组合物制造技术
一种滤色器用感光性树脂组合物,其含有:共聚物(A)、溶剂(B)、反应性稀释剂(C)、光聚合引发剂(D)以及着色剂(E),其中,所述共聚物(A)含有:具有封端异氰酸基的结构单元(a)、具有酸基的结构单元(b)以及具有环氧基的结构单元(c)。
含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质制造技术
一种含氟醚化合物,其特征在于,由下述式(1)表示。R
卤代化合物和富勒烯衍生物的制造方法技术
本发明的富勒烯衍生物的制造方法是通过使形成富勒烯骨架的彼此相邻的2个碳原子与规定的卤代化合物,在芳香族性溶剂和具有C=O或S=O键的非质子性极性溶剂的混合溶剂中,在选自锰、铁、锌中的至少一种金属的存在下进行反应,从而制造具有式(1)所示...
铝制品表面的处理方法技术
提供一种铝制品表面的处理方法,该方法不使用难以进行废液处理的化学品,能够使铝制品表面体现出有效的锚固效应,并且能够在与对该表面施加的涂布树脂层、层叠纤维增强塑料等有机材料层之间形成牢固的化学键。本发明的铝制品表面的处理方法,其特征在于,...
SiC基板的评价方法、SiC外延晶片的制造方法及SiC外延晶片技术
本公开提供一种能够确定可能成为SiC器件的缺陷的原因的部位的SiC基板的评价方法。在本实施方式涉及的SiC基板的评价方法中,在将外延膜层叠于从SiC锭切出的SiC基板的第1面之前,将激发光照射于所述第1面,进行光致发光测定。
感光性树脂组合物、有机EL元件间隔壁及有机EL元件制造技术
本发明提供有机EL元件的间隔壁形成所使用的、含有着色剂的高灵敏度的感光性树脂组合物。一实施方式的有机EL元件间隔壁用感光性树脂组合物包含:(A)粘合剂树脂;(B)有机低分子化合物,上述有机低分子化合物的摩尔体积为130cm
热导率测定装置、加热装置、热导率测定方法和品质保证方法制造方法及图纸
一种热导率测定装置,具有:样品容器,其具有多个容纳部;驱动部,其使样品容器的多个容纳部移动;以及,辐射温度计,其测定样品容器的规定位置的温度。
基座和化学气相生长装置制造方法及图纸
本发明提供基座和化学气相生长装置。该基座是被用于在晶片的主面上采用化学气相生长法使外延膜生长的化学气相生长装置的基座,具有基台和配置于所述基台的外周部的用于支持所述晶片的外周部的3个突起部。
SiC单晶制造装置制造方法及图纸
本发明涉及SiC单晶制造装置,具备晶体生长用容器、隔热材料、加热器和温度测定器,所述晶体生长用容器具有收纳SiC原料的原料收纳部和设置有支持籽晶的籽晶支持部的盖部,所述隔热材料覆盖所述晶体生长用容器、且具有贯穿孔,所述加热器对所述晶体生...
单晶生长方法技术
本发明的目的是提供一种能够抑制升华了的原料气体在原料表面再结晶化、并抑制在晶体生长的单晶内发生异种多形的单晶生长方法。该单晶生长方法包括:在具备用于收纳原料的内底部以及与所述内底部相对的晶体设置部的坩埚中,在所述内底部收纳原料的收纳工序...
SiC单晶的制造方法和被覆构件技术
一种SiC单晶的制造方法和被覆构件,所述SiC单晶的制造方法具有收纳工序、设置工序和晶体生长工序,所述收纳工序中,在能够收纳原料且能够在与所述原料相对的位置安置籽晶的坩埚的内底部收纳粉末的原料,所述设置工序中,在所述原料的所述籽晶侧的第...
晶体生长装置制造方法及图纸
提供能够提高加热效率、并且同时实现坩埚温度的均匀性和坩埚温度的准确的测定,从而实现晶体的高品质化的晶体生长装置。一种晶体生长装置(1),具备:热源(11);坩埚(14),其由能够接纳原料(A1)的容器主体(12)和能够安装晶种(B1)的...
单晶生长用坩埚和单晶生长方法技术
本发明的目的是提供能够抑制升华的原料气体在原料表面再结晶化、并抑制进行晶体生长的单晶内发生异种多形的单晶生长用坩埚和单晶生长方法。该单晶生长用坩埚具备用于收纳原料的内底部、与所述内底部相对的晶体设置部、以及在从所述晶体设置部俯视时至少覆...
热辅助磁记录介质和磁存储装置制造方法及图纸
提供一种热辅助磁记录介质,依次具有基板、底层、及包含具有L1
n型4H-SiC单晶基板和n型4H-SiC单晶基板的制造方法技术
提供在掺杂有施主和受主这两者的构成中贯穿位错密度小、结晶性比以往提高了的n型4H‑SiC单晶基板。本发明的n型4H‑SiC单晶基板,作为施主的N元素的浓度和作为受主的B元素的浓度两者均为3×10
Al-Mg-Si系合金板制造技术
一种Al‑Mg‑Si系合金板,化学组成含有0.2~0.8质量%的Si、0.3~1质量%的Mg、0.5质量%以下的Fe及0.5质量%以下的Cu,还含有0.1质量%以下的Ti和0.1质量%以下的B中的至少1种,余量由Al及不可避免的杂质构成...
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