昭和电工株式会社专利技术

昭和电工株式会社共有2541项专利

  • 待解决的技术问题提供一种生产具有高硬度和优异耐磨性的氧化铝烧结体的方法。方案一种生产氧化铝烧结体的方法,包括:将碱土金属化合物施加至包括未烧结的氧化铝成型体或氧化铝烧结体的氧化铝原料的表面上的步骤;将施加了碱土金属化合物的氧化铝原料在1...
  • 一种感光性树脂组合物,其包含:具有特定的结构单元并且酸价(mgKOH/g)不同的两种以上的(甲基)丙烯酸系聚合物、溶剂、反应性稀释剂以及光聚合引发剂,所述感光性树脂组合物包含:在将所述两种以上的(甲基)丙烯酸系聚合物中的具有最大酸价的(...
  • R
  • 一种SiC单晶的评价用样品取得方法,其特征在于,具有:使用从晶种沿着c轴方向使SiC结晶生长而成的SiC锭,在从构成结晶生长方向的顶端面的弯曲面朝向所述晶种的厚度位置在径向上切断所述SiC锭,得到包含所述弯曲面的头构件的工序;和研磨所述...
  • 提供具有可靠性高的焊接部的冷却装置等。一种冷却装置,是通过激光焊接将性质不同的两方铝材接合从而构成的冷却装置,其特征在于,通过激光焊接而形成的熔融部的硬度比两方铝材之中的一方铝材的硬度硬。
  • 一种含有富勒烯的润滑油组合物,其包含基油、和富勒烯,上述富勒烯是溶解的,并且浓度为1质量ppm以上且小于50质量ppm。
  • 要解决的技术问题是提供具有高硬度和优异耐磨性的氧化铝烧结体、磨料粒和磨轮。所提供的技术方案是氧化铝烧结体,其包含:内层,其中在内层中所含的氧化铝晶粒具有1.0‑2.0的平均纵横比;和从外部覆盖至少一部分内层的外层,其中在外层中所含的氧化...
  • 本发明涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。该SiC化学气相沉积装置具有在内部构成沉积空间的炉体和位于上述沉积空间的下部且在载置面上载置SiC晶片的载置台,上述炉体在与上述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件,上述...
  • 本发明的SiC外延生长装置具备载置SiC晶片的载置台和覆盖所述载置台的炉体,所述炉体具备原料气体供给口、第1吹扫气体供给口和第2吹扫气体供给口,所述原料气体供给口位于与所述载置台相对的位置,向所述生长空间供给原料气体,所述第1吹扫气体供...
  • 依次执行使富勒烯C
  • 本发明的润滑油组合物包含基油、和富勒烯加成体。
  • 本发明涉及散热器、冷却装置,提供能够使多个翅片的间隔高精度地均匀的散热器等。所述散热器具有板状且在与板面正交的方向排列的多个翅片(11)和向多个翅片(11)各自的外侧突出的多个突出部(12),多个突出部(12)中的、相邻的突出部(12)...
  • 本发明的SiC单晶锭的制造方法中,在坩埚的下部配置由高热传导率原料构成的高热传导率原料层,并在所述高热传导率原料层的上侧和下侧的至少一侧配置由低热传导率原料构成的低热传导率原料层,从而形成原料部,以原料部的最高温度处于所述高热传导率原料...
  • 提供可以将硅氮化物层的蚀刻速度和硅氧化物层的蚀刻速度控制为同等程度、并且即使为高深宽比的孔也可以以高蚀刻速度形成为良好形状的蚀刻方法。通过含有化学式C
  • 本发明提供可以形成即使厚度薄也具有优异的耐磨损性的润滑层,适合作为磁记录介质用润滑剂的材料的含氟醚化合物。式(1)所示的含氟醚化合物。R
  • 本发明提供能够稳定且经济地制造1,2,3,4‑四氯丁烷的1,2,3,4‑四氯丁烷的制造方法。将含有3,4‑二氯‑1‑丁烯的反应液(1)加入到与该反应液(1)接触的内面由金属形成的反应容器(11)中,向所述反应液(1)导入氯气,使所述3,...
  • 本发明能够提供成型时的树脂流动性良好、能够得到尺寸精度和机械特性、表面平滑性都优异的成型体的不饱和聚酯树脂组合物。本发明是一种不饱和聚酯树脂组合物,含有(a)不饱和聚酯树脂、(b)无机填充剂、(c)金属皂、(d)低收缩剂、(e)纤维增强...
  • 提供能够使通过激光焊接而形成的熔融部难以腐蚀的冷却装置。一种冷却装置,其特征在于,具备:主体,其在内部具有液体流通的流通路;以及,被接合构件,其在重叠于主体上的状态下通过激光焊接而被接合,通过激光焊接而形成的熔融部的电位高于主体或被接合...
  • 本发明的SiC单晶制造装置是在配置于坩埚内的籽晶的生长面上进行结晶生长从而制造SiC单晶的SiC单晶制造装置,坩埚(1)包含坩埚下部(1A)和坩埚上部(1B),坩埚下部(1A)能够在内部收纳SiC单晶用原料(M),且具有底部(1Aa)和...
  • 一种凝胶组合物,其含有:(a)选自生育酚磷酸酯及其盐中的至少1种;(b)角叉莱胶;(c)刺槐豆胶;(d)选自琼脂和葡甘露聚糖中的至少1种;以及(e)水。