一种Al‑Mg‑Si系合金板，化学组成含有0.2～0.8质量％的Si、0.3～1质量％的Mg、0.5质量％以下的Fe及0.5质量％以下的Cu，还含有0.1质量％以下的Ti和0.1质量％以下的B中的至少1种，余量由Al及不可避免的杂质构成...

本发明的一形态的有机氟化合物其通式如下，(R‑π‑E‑CH

本发明的一形态的有机氟化合物的通式如下，(R‑π‑E‑CH

一种共聚物，包含来源于含磷不饱和单体(A)的构成成分、和来源于聚合性不饱和单体(B)的构成成分，上述来源于聚合性不饱和单体(B)的构成成分包含来源于具有碳原子数和氧原子数的合计为4～10的主链的不饱和羧酸单体(b‑1)的构成成分，并且来...

本发明涉及遮蔽构件和单晶生长装置。本发明的遮蔽构件配置在单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备在内底部收纳原料的原料收纳部以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进...

一种氮化铝烧结体，包含氮化铝晶粒和复合氧化物晶粒，所述复合氧化物晶粒包含稀土元素和铝元素，所述氮化铝烧结体的特征在于，所述氮化铝晶粒的中位径为2μm以下，所述氮化铝烧结体中最长径为0.2～1μm的粒子间空隙在截面100μm见方的区域分散...

本发明的氟电解槽阳极安装部(16)具有：包围圆筒状的阳极支持部(14)的侧壁、并沿着其长度方向D重叠的环状的多个填料；包围这些多个填料的外周的圆筒状的外装部(23)；以及将多个填料和外装部(23)对于阳极支持部(14)紧固的环状的紧固部...

本发明涉及阻气性树脂组合物，其包含：氧透过系数为1.0×10

本发明提供具有低温固化性并表现优异的粘接强度的自由基聚合性树脂组合物、使用了该自由基聚合性树脂组合物的结构物修复材料。以含有(A)自由基聚合性树脂、(B)自由基聚合性不饱和单体、(C)胺系固化促进剂、以及(D)多官能硫醇化合物作为特征的...

本实施方式涉及的晶体生长装置，具备坩埚、覆盖所述坩埚的周围的绝热材料、和位于所述绝热材料的外侧且能够对所述坩埚进行感应加热的加热部，所述绝热材料具备可动部，所述可动部通过动作在所述绝热材料上形成开口部，并能够控制所述开口部的开口率。

本发明提供一种能够容易地检测工艺过程中产生的缺陷的SiC器件的制造方法。本发明的一个技术方案涉及的SiC器件的制造方法包括：离子注入工序，对具有外延层的SiC外延晶片的所述外延层进行离子注入；和评价工序，在所述离子注入工序后，对所述Si...

本发明涉及支持SiC的单晶生长用的晶种的基座、具备该基座的SiC单晶的制造装置和制造方法。本发明的目的是提供一种基座，在用粘结剂固定了晶种的状态下，能够除去从被加热了的粘结剂中产生的气体。本发明的基座(103)是晶体生长用的晶种(102...

本实用新型提供一种能对构成电池组的全部单电池高效地冷却或加热的电池组用冷却兼加热装置。电池组用冷却兼加热装置(10)形成为下述结构：具有配置于电池组(1)下方的与单电池(2)数量相同的传热部件(11)、和配置于传热部件(11)下方且具有...

本发明的课题是提供面内的表面电阻值波动小的导电膜，其抑制了金属纳米线的使用量，表面电阻值在1000～10000Ω/□的范围。还提供生产率优异的导电膜的合适制造方法和用于该制造方法的金属纳米线墨。解决手段是一种导电膜，导电层的表面电阻值为...

本发明的SiC外延晶片具备4H‑SiC单晶基板和形成于所述4H‑SiC单晶基板上的SiC外延层，所述4H‑SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部，所述SiC外延层的膜厚为20μm以上，所述SiC外延层的从外...

本发明涉及通过液相色谱对寡核苷酸的混合物进行分离分析的方法，上述液相色谱使用了填充了在由交联有机高分子形成的多孔质粒子的表面固定二醇而成的填充剂的柱。根据该方法，与以硅胶作为基材的柱相比，能够以高灵敏度进行分离分析，并且可以将柱进行利用...

本发明涉及含有糖结合于肌醇而成的肌醇衍生物作为有效成分的葡糖胺基葡聚糖产生促进剂。此外，涉及含有上述葡糖胺基葡聚糖产生促进剂和药学上可接受的载体的葡糖胺基葡聚糖产生促进用组合物。

本发明涉及含有糖结合于肌醇而成的肌醇衍生物作为有效成分的、起因于微小粒子状物质的皮肤问题抑制剂。此外，涉及含有上述皮肤问题抑制剂和药学上可接受的载体的、起因于微小粒子状物质的皮肤问题抑制用组合物。

磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体构成，并且在面内方向上具有磁各向异性；感应部30，其具备感应磁场变化的感应元件31，所述感应元件31由软磁体构成，并且与薄膜磁铁20相对配置，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，长边方向为薄膜...

提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L1