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昭和电工株式会社专利技术
昭和电工株式会社共有2541项专利
锂离子二次电池用正极和锂离子二次电池制造技术
课题是提供一种即使在充分增大了电极的孔隙率的情况下,也兼顾了良好的大电流特性和高耐久性的锂离子二次电池用电极和锂离子二次电池。解决手段是一种锂离子二次电池用正极,包含集电体和正极活性物质层,所述集电体在片状导电性基材的单面或两面形成有被...
氧还原催化剂、电极、膜电极接合体和燃料电池制造技术
本发明提供在燃料电池工作环境下电极电位高的氧还原催化剂、含有该氧还原催化剂的电极、阴极是所述电极的膜电极接合体和具有该膜电极接合体的燃料电池。使用了一种氧还原催化剂,作为元素含有钴、硫和氧,在粉末X射线衍射测定中具有CoS的六方晶结构,...
锂离子二次电池和锂离子二次电池的制造方法技术
锂离子二次电池(1)具备:不锈钢制的基板(10)、包含负极活性物质且层叠于基板(10)上的负极层(20)、包含显示锂离子传导性的无机固体电解质且层叠于负极层(20)上的固体电解质层(30)、包含正极活性物质且层叠于固体电解质层(30)上...
遮蔽构件和单晶生长装置制造方法及图纸
本发明的遮蔽构件被配置于单晶生长装置中,所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部,所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部,所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热,所述单晶生长装置使原料从所述...
坩埚和SiC单晶生长装置制造方法及图纸
本发明的目的是提供能够提高原料的使用效率的坩埚和SiC单晶生长装置。该坩埚具备盖和容器,所述容器具有与所述盖对向的底部,在所述底部具有朝向所述盖凹陷的凹部。
SiC单晶生长装置和SiC单晶的生长方法制造方法及图纸
本实施方式涉及的SiC单晶生长装置,具备:在与原料相对的位置能够设置晶种的晶种设置部;引导构件,其从所述晶种设置部的周围朝向原料延伸,引导在引导构件的内侧进行的结晶生长;和能够在所述引导构件的外侧沿着所述引导构件的延伸方向移动的绝热材料。
氧还原催化剂、电极、膜电极接合体和燃料电池制造技术
本发明提供了在燃料电池工作环境下电极电位高的氧还原催化剂、含有该氧还原催化剂的电极、阴极是所述电极的膜电极接合体和具有该膜电极接合体的燃料电池。使用了一种氧还原催化剂,其作为元素含有钴、硫和氧,在粉末X射线衍射测定中具有CoS2的立方晶...
氧化铝烧结体、磨料粒和磨轮制造技术
要解决的技术问题是提供具有高硬度和优异耐磨性的氧化铝烧结体、磨料粒和磨轮。技术方案是一种氧化铝烧结体,其包含:含有氧化铝晶粒的内层;和从外部覆盖至少一部分内层的外层,其具有比内层更高的碱土金属含量,并含有氧化铝晶粒,其中在外层中所含的碱...
拒油剂组合物制造技术
一种拒油剂组合物,其包含:共聚物(A)分散在水性介质(B)中而成的水系乳液,所述共聚物(A)具有基于烯属不饱和羧酸酯单体(A1)的结构单元和基于烯属不饱和羧酸单体(A2)的结构单元;以及聚醚改性聚二甲基硅氧烷(C)。
固化型水系树脂乳液组合物制造技术
一种固化型水系树脂乳液组合物,其含有:(甲基)丙烯酸酯系环氧树脂(a)100质量份;聚合性不饱和单体(b)1~200质量份;固化促进剂(c)0.1~10质量份;反应性表面活性剂(d)1~50质量份;水(e)10~2000质量份;自由基聚...
磁记录介质、含氟醚化合物及磁记录介质用润滑剂制造技术
本发明的含氟醚化合物由下述通式(1)表示。(在通式(1)中,X表示三价原子或三价原子团,A表示包含至少1个极性基的连接基,B表示具有全氟聚醚链的连接基,D表示极性基或末端具有极性基的取代基。)
感光性树脂组合物制造技术
本发明提供高灵敏度的黑色正型感光性树脂组合物。本发明的感光性树脂组合物包含:(A)粘合剂树脂;(B)具有3个以上酚性羟基的酚化合物(以下有时称为“3元以上的酚化合物”。)的醌二叠氮加成物;以及(C)黑色着色剂,(B)醌二叠氮加成物包含:...
铝合金粉末及其制造方法、铝合金挤压材料及其制造方法技术
本发明能够提供一种在高温下的机械特性优异的铝合金挤压材料,该铝合金挤压材料含有Fe:5.0质量%~9.0质量%、V:0.1质量%~3.0质量%、Mo:0.1质量%~3.0质量%、Zr:0.1质量%~2.0质量%、Ti:0.02质量%~2...
磁记录介质用润滑剂及磁记录介质的制造方法技术
本发明提供能够形成与保护层的密合性优异的润滑层的磁记录介质用润滑剂。所述磁记录介质用润滑剂包含含氟醚化合物,上述含氟醚化合物在全氟烷基聚醚链的一个或两个末端配置有具有烯属碳‑碳双键的基团。优选在上述全氟烷基聚醚链的一个末端配置有上述具有...
含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质制造技术
本发明涉及一种含氟醚化合物,其特征在于,由下述通式(1)表示。
SiC晶片及SiC晶片的制造方法技术
本发明提供一种SiC晶片以及SiC晶片的制造方法。该SiC晶片中,在第一面外露的穿透位错的穿透位错密度与在第二面外露的穿透位错的穿透位错密度之差为所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面上的穿透位错密度的10%以下,在所述第一面和...
体积排阻色谱用填充剂和其制造方法技术
本发明的课题是提供能够以简单的工序制造,即使是小粒径、柱的压力损失也小、适合作为需要大量处理的分取目的的体积排阻色谱用填充剂使用的填充剂、和该填充剂的制造方法。本发明通过含有以下工序的制造方法得到体积排阻色谱用填充剂:将甘油‑1,3‑二...
通过人工光进行植物苗的栽培方法技术
本发明提供了植物苗的栽培方法,其能够栽培出没有引起细长生长、具有粗茎、和即使在种植后也有利地生长的苗。本发明的植物苗的栽培方法是通过用人工光照射植物苗促进生长的植物苗的栽培方法,该方法包括:在期间(A)用蓝色照明光连续照射植物苗,其中用...
固化性树脂组合物、其固化物及包含该固化物的结构体制造技术
本发明提供可以通过固化来获得耐热性和阻燃性优异的固化物的固化性树脂组合物。一种固化性树脂组合物,其包含具有至少2个式1(a)所示的结构单元的聚烯基酚化合物(A)、和多马来酰亚胺化合物(B)。(式中,R
传热装置制造方法及图纸
本实用新型提供能够灵活应对各种管道布局的传热装置。传热装置(1)具备传热介质流通体(2)、设置于流通体(2)并且将传热介质向流通体(2)供给的入口部件(3)、和设置于流通体(2)并且将传热介质从流通体(2)排出的出口部件(4)。传热介质...
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