SiC单晶的评价用样品取得方法技术

一种SiC单晶的评价用样品取得方法，其特征在于，具有：使用从晶种沿着c轴方向使SiC结晶生长而成的SiC锭，在从构成结晶生长方向的顶端面的弯曲面朝向所述晶种的厚度位置在径向上切断所述SiC锭，得到包含所述弯曲面的头构件的工序；和研磨所述头构件的硅面从而得到评价用样品的工序。

Sample preparation method for evaluation of SiC single crystal

【技术实现步骤摘要】
SiC单晶的评价用样品取得方法
本专利技术涉及SiC单晶的评价所使用的SiC单晶的评价用样品取得方法。本申请基于在2018年12月5日向日本提出的专利申请2018－227984号要求优先权，将其内容援引于此。
技术介绍
碳化硅(SiC)与硅(Si)相比绝缘击穿场强大1个数量级，带隙为3倍大。另外，碳化硅(SiC)具有与硅(Si)相比热导率为3倍左右高等等的特性。碳化硅(SiC)被期待着应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。在半导体等的器件中，使用在SiC晶片上形成有外延膜的SiC外延晶片。在SiC晶片上通过化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition：CVD)设置的外延膜，成为SiC半导体器件的活性区域。因此，需求没有开裂等破损、缺陷少、高品质的SiC晶片。为了得到高品质的SiC晶片，在各工序中进行品质的评价。例如，SiC锭的品质，是在将评价用晶片切割加工之后，通过X射线形貌解析(XRT)等的非破坏检查以及KOH腐蚀等的破坏检查来评价(例如，参照专利文献1)。要更准确地评价SiC锭的位错密度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC单晶的评价用样品取得方法，其特征在于，具有：/n使用从晶种沿着c轴使SiC结晶生长而成的SiC锭，在从构成结晶生长方向的顶端面的弯曲面朝向所述晶种的厚度位置在径向上切断所述SiC锭，得到包含所述弯曲面的头构件的工序；和/n研磨所述头构件的硅面，得到评价用样品的工序。/n

【技术特征摘要】
20181205 JP 2018-2279841.一种SiC单晶的评价用样品取得方法，其特征在于，具有：
使用从晶种沿着c轴使SiC结晶生长而成的SiC锭，在从构成结晶生长方向的顶端面的弯曲面朝向所述晶种的厚度位置在径向上切断所述SiC锭，得到包含所述弯曲面的头构件的工序；和
研磨所述头构件的硅面，得到评价用样品的工序。


2.根据权利要求1所述的SiC单晶的评价用样品取得方法，其特征在于，所述厚度位置设定在：比所述SiC锭的直径随着趋向结晶生长方向而开始缩小的位置靠近所述晶种的位置。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口骏介，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP