热辅助磁记录介质和磁存储装置制造方法及图纸

提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L1

【技术实现步骤摘要】
热辅助磁记录介质和磁存储装置
本专利技术涉及热辅助磁记录介质和磁存储装置。
技术介绍
近年，将近场光等照射至磁记录介质以对其表面进行局部加热，从而使磁记录介质的顽磁力(coercivity)下降并进行记录的热辅助记录方式，是一种可实现2Tbit/inch2左右的较高的面记录密度的记录方式，作为下一代的记录方式受到了广泛的关注。采用热辅助记录方式时，即使是室温下的顽磁力为数十kOe的磁记录介质，藉由磁头的记录磁场，也可容易地对其进行记录。为此，磁性层可使用磁晶各向异性常数(Ku)较高的材料、即高Ku材料，这样，不仅可维持热稳定性，而且还可对磁性颗粒的粒径进行微细化。作为高Ku材料，熟知有FePt合金(Ku～7×106J/m3)、CoPt合金(Ku～约5×106J/m3)等的具有L10结构的合金。专利文献1的实施例15、18中，作为包含具有L10结构的合金的磁性膜，公开了27Fe－27Pt－6Ge－10BN－30C(at％)和27Fe－27Pt－6Ge－6SiO2－34C(at％)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1](日本)特开2016－194147号公报
技术实现思路
[要解决的技术问题]这里，为了提高热辅助磁记录介质的面记录密度，需要提高热辅助磁记录介质的电磁转换特性。然而，当形成包含具有L10结构的合金的磁性膜时，需要将基板加热至300～650℃。为此，如果晶界偏析材料的含量较小，则无法对磁性颗粒进行微细化，导致热辅助磁记录介质的算术平均粗糙度变大，热辅助磁记录介质的电磁转换特性变低。另一方面，如果晶界偏析材料的含量较大，则晶界偏析材料会扩散至磁性颗粒的内部，导致热辅助磁记录介质的顽磁力下降，热辅助磁记录介质的电磁转换特性变低。此外，就包含具有L10结构的合金的磁性膜而言，当向热辅助磁记录介质进行记录时，表面需被进行局部加热。为此，如果包含具有L10结构的合金的磁性膜的散热性较低，则热辅助磁记录介质的电磁转换特性变低。本专利技术的一个目的在于，提供一种电磁转换特性较优的热辅助磁记录介质。[技术方案]为了实现上述目的，提供一种热辅助磁记录介质，其依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述磁性层从所述基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN，所述第一磁性层和所述第二磁性层的所述晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内，所述第一磁性层的所述C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内，所述第一磁性层和所述第二磁性层的所述SiO2相对于所述BN的体积比位于0.25～3.5的范围内，所述第二磁性层的所述SiO2的体积分数比所述第一磁性层的所述SiO2的体积分数大5体积％以上，所述第二磁性层的所述BN的体积分数比所述第一磁性层的所述BN的体积分数小2体积％以上。[有益效果]根据本专利技术的一个形态，能够提供一种电磁转换特性较优的热辅助磁记录介质。附图说明[图1]本实施方式的热辅助磁记录介质的层结构的一个例子的剖面图。[图2]本实施方式的磁存储装置的一个例子的斜视图。[图3]图2的磁头的一个例子的示意图。[符号说明]1基板2底层3磁性层4第1磁性层5第2磁性层100热辅助磁记录介质101磁记录介质驱动部102磁头103磁头驱动部104记录和再生信号处理系统201主磁极202辅助磁极203线圈204激光二极管(LD)205激光206近场光生成元件207波导路208记录磁头209护罩210再生元件211再生磁头具体实施方式以下，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。需要说明的是，本专利技术并不限定于下述实施方式，只要不超出本专利技术的范围，还可对下述实施方式进行各种各样的变形和置换。[热辅助磁记录介质]图1示出了本实施方式的热辅助磁记录介质的层结构的一个例子。热辅助磁记录介质100依次具有基板1、底层2、及包含具有L10结构的合金的磁性层3。磁性层3从基板1侧开始具有第一磁性层4和第二磁性层5。这里，第一磁性层4和第二磁性层5分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层4和第二磁性层5的晶界部的体积分数(volumefraction)分别位于25体积％～45体积％的范围内，优选位于33体积％～45体积％的范围内。如果第一磁性层4和第二磁性层5的晶界部的体积分数分别小于25体积％，则不能对磁性颗粒进行微细化，导致热辅助磁记录介质100的算术平均粗糙度变大，热辅助磁记录介质100的电磁转换特性变低。另一方面，如果第一磁性层4和第二磁性层5的晶界部的体积分数分别超过45体积％，则构成晶界部的物质会扩散至磁性颗粒的内部，导致热辅助磁记录介质100的顽磁力下降，热辅助磁记录介质100的电磁转换特性变低。第一磁性层4的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内，优选位于8体积％～15体积％的范围内。如果第一磁性层4的C的体积分数小于5体积％未满，则晶界偏析材料会扩散至磁性颗粒的内部，导致热辅助磁记录介质100的顽磁力下降，或者，无法对磁性颗粒进行微细化，导致热辅助磁记录介质100的算术平均粗糙度变大，热辅助磁记录介质100的电磁转换特性变低。另一方面，如果第一磁性层4的C的体积分数超过22体积％，则不能对磁性颗粒进行微细化，导致热辅助磁记录介质100的算术平均粗糙度变大，热辅助磁记录介质100的电磁转换特性变低。第一磁性层4和第二磁性层5的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内，优选位于0.3～1的范围内。如果第一磁性层4和第二磁性层5的SiO2相对于BN的体积比分别小于0.25或超过3.5，则无法对磁性颗粒进行微细化，导致热辅助磁记录介质100的算术平均粗糙度变大，热辅助磁记录介质100的电磁转换特性变低。第二磁性层5的SiO2的体积分数比第一磁性层4的SiO2的体积分数大5体积％以上，优选大8体积％以上。如果第二磁性层5的SiO2的体积分数不比第一磁性层4的SiO2的体积分数大5体积％以上，则磁性层3的散热性下降，热辅助磁记录介质100的电磁转换特性变低。其原因在于，SiO2的热传导率较低。第二磁性层5的BN的体积分数比第一磁性层4的BN的体积分数小2体积％以上，优选小5体积％以上。如果第二磁性层5的BN的体积分数不比第一磁性层4的BN的体积分数小2体积％以上，则磁性层3的散热性下降，热辅助磁记录介质100的电磁转换特性变低。其原因在于，BN的热传导率较高。第一磁性层4和第二磁性层5的厚度分别优选为2nm以上，较佳为3nm以上。如果第一磁性层4和第二磁性层5的厚度分别为2nm以上，则可提高热辅助磁记录介质10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L1

【技术特征摘要】
20180829 JP 2018-1602191.一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，
所述磁性层从所述基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层，
所述第一磁性层和所述第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN，
所述第一磁性层和所述第二磁性层的所述晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内，
所述第一磁性层的所述C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内，
所述第一磁性层和所述第二磁性层的所述SiO2相对于所述BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内，
所述第二磁性层的所述SiO2的体...

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛隆之，武晃司，柴田寿人，山口健洋，茂智雄，张磊，徐晨，梅本裕二，小柳浩，丹羽和也，神边哲也，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP