热辅助磁记录介质和磁存储装置制造方法及图纸

提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L1

【技术实现步骤摘要】
热辅助磁记录介质和磁存储装置
本专利技术涉及热辅助磁记录介质和磁存储装置。
技术介绍
将近场光等照射至磁记录介质以对其表面进行局部加热，从而使磁记录介质的顽磁力(coercivity)降低并进行写入的热辅助记录方式，是一种可实现1Tbit/inch2左右的面记录密度的记录方式，作为下一代的记录方式受到了广泛的关注。采用热辅助记录方式时，即使是室温下的顽磁力为数十kOe的磁记录介质，藉由磁头的记录磁场，也可容易地对其进行写入。为此，磁性层可使用磁晶各向异性常数Ku为106J/m3左右的高Ku材料，这样，不仅可维持磁性层的热稳定性，而且还可将磁性颗粒的粒径微细化至6nm以下。作为高Ku材料，熟知具有L10结构的FePt合金(Ku～7×106J/m3)、CoPt合金(Ku～5×106J/m3)等。为了提高热辅助磁记录介质的面记录密度，需要提高磁性层的结晶取向性(orientation)，对磁性颗粒进行微细化，并降低磁性颗粒间的交换耦合，由此来提高热辅助磁记录介质的电磁变换特性。在磁性层使用具有L10结构的FePt合金的情况下，为了提高磁性层的结晶取向性，磁性层需要进行(001)取向。为此，底层最好使用进行了(100)取向的MgO。这里，MgO的(100)面可与具有L10结构的FePt合金的(001)面进行晶格匹配(latticematching)。此外，还公开了这样一种技术，即：为了对磁性颗粒进行微细化，并使磁性颗粒间的交换耦合降低，形成以MgO为主成分，且含有从SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、及ZnO中选出的至少一种氧化物的底层(例如，参照专利文献1)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1](日本)特开2011－165232号公报
技术实现思路
[要解决的技术问题]然而，还希望进一步提高热辅助磁记录介质的面记录密度，即，进一步提高热辅助磁记录介质的电磁变换特性。本专利技术的一个侧面的目的在于，提供一种电磁变换特性较优的热辅助磁记录介质。[技术方案]为了实现上述目的，根据本专利技术的一个侧面，提供一种热辅助磁记录介质，其具备基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。其中，所述底层是从所述基板侧开始依次对包含具有bcc结构的物质的bcc底层、与所述bcc底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层进行了层叠的层。所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁。所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。[有益效果]根据本专利技术的一个侧面，可提供一种电磁变换特性较优的热辅助磁记录介质。附图说明[图1]本实施方式的热辅助磁记录介质的层结构的一例的截面示意图。[图2]本实施方式的磁存储装置的一例的斜视图。[图3]图2的磁头的一例的示意图。[符号说明]1基板2底层21bcc底层22第一氧化物层23第二氧化物层3磁性层100磁记录介质101磁记录介质驱动部102磁头103磁头驱动部104记录和再生信号处理系统201主磁极202辅助磁极203线圈204激光二级管(LD)205激光206近场(nearfield)光生成元件207波导路208记录磁头209护罩(shield)210再生元件211再生磁头具体实施方式以下参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。需要说明的是，就下述说明中所使用的附图而言，为了容易地对特征进行理解，也存在对作为特征的部分进行扩大表示的情况，所以各构成要素的尺寸比例等并不一定完全相同。[热辅助磁记录介质]图1示出了本实施方式的热辅助磁记录介质的层结构的一例。热辅助磁记录介质100具备基板1、底层2、及包含具有L10结构的合金的磁性层3。这里，就底层2而言，其为从基板1的一侧开始依次对包含具有bcc结构的物质的bcc底层21、与bcc底层21接触的第一氧化物层22、及与磁性层3接触的第二氧化物层23进行了层叠(积层)的层。此外，第一氧化物层22和第二氧化物层23包含氧化镁(MgO)，第二氧化物层23还包含从由氧化钒(V2O3)、氮化钒(VN)、及碳化钒(VC)所组成的组中选出的一种以上的化合物(以下称钒化合物)。热辅助磁记录介质100通过具有如上所述的结构，可提高包含具有L10结构的合金的磁性层3的(001)取向性。此外，热辅助磁记录介质100的磁性层3中所含的磁性颗粒还可被进行微细化，由此可降低磁性颗粒间的交换耦合。据此可提高热辅助磁记录介质100的电磁变换特性。这里，包含具有bcc结构的物质的bcc底层21进行了(100)取向，所以可使包含具有NaCl型结构的氧化镁的第一氧化物层22进行(100)取向。此外，第一氧化物层22进行了(100)取向，所以可使包含具有NaCl型结构的氧化镁的第二氧化物层23也进行(100)取向。其结果为，就第二氧化物层23的(100)面而言，可与包含具有L10结构的合金的磁性层3的(001)面进行晶格匹配，由此可提高磁性层3的(001)取向性。另一方面，第二氧化物层23中所含的钒化合物可对第二氧化物层23中所含的氧化镁颗粒进行微细化。另外，还可促进在一个氧化镁晶粒之上进行用于构成磁性层3的一个磁性晶粒的成长的“Onebyone成长”。据此，不仅可对磁性层3中所含的磁性颗粒进行微细化，而且还可促进磁性颗粒间的分离，从而可降低磁性颗粒间的交换耦合。需要说明的是，如果取代钒化合物而使用金属状态存在的钒，则当与磁性颗粒接触时，金属状态存在的钒的至少一部分会扩散至磁性颗粒内，从而引起磁性颗粒的磁性下降。第一氧化物层22中的氧化镁的含量优选为85mol％以上，较佳为90mol％以上。如果第一氧化物层22中的氧化镁的含量为90mol％以上，则可提高第一氧化物层22的(100)取向性。第二氧化物层23中的氧化镁的含量优选为50mol％以上，较佳为70mol％以上。如果第二氧化物层23中的氧化镁的含量为60mol％以上，则可提高第二氧化物层23的(100)取向性。第二氧化物层23中的钒化合物的总含量优选位于2mol％～40mol％的范围内，较佳位于2.5mol％～15mol％的范围内。如果第二氧化物层23中的钒化合物的总含量为2mol％以上，则可进一步对第二氧化物层23中所含的氧化镁颗粒进行微细化，如果为40mol％以下，则可进一步提高第二氧化物层23的(100)取向性。第二氧化物层23的厚度优选位于0.2nm～2nm的范围内，较佳位于0.5nm～1.2nm的范围内。如果第二氧化物层23的厚度为0.2nm以上，则可进一步对第二氧化物层23中所含的氧化镁颗粒进行微细化，如果为2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热辅助磁记录介质，具有：/n基板、底层、及包含具有L1

【技术特征摘要】
20180625 JP 2018-1200421.一种热辅助磁记录介质，具有：
基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，
其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括：包含具有bcc结构的物质的bcc底层、与所述bcc底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层，
所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁，
所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。


2.如权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中，
所述第二氧化物层中的氧化钒、氮化钒、及碳化钒的总含量位于2mol％～40mol％的范围内。


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【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，徐晨，福岛隆之，丹羽和也，神边哲也，柴田寿人，山口健洋，茂智雄，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP