一种固态驱动装置，包括：包括基底和侧壁的壳体，所述侧壁沿所述基底的周边向上延伸；具有金属柱和静电吸收构件的防静电结构，所述金属柱与所述侧壁间隔开并且从所述基底的至少部分表面突出，所述静电吸收构件在所述金属柱的至少部分表面上；所述壳体中的安装在所述防静电结构上的封装衬底模块；和覆盖所述壳体和所述封装衬底模块的盖。
Solid state drive including antistatic structure
【技术实现步骤摘要】
包括防静电结构的固态驱动装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0103028的优先权，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。
本专利技术构思的示例实施例涉及固态驱动装置。例如，至少一些示例实施例涉及包括防静电结构的固态驱动装置。
技术介绍
当固态驱动装置被用作存储装置时，可能以高速度来输入和输出大容量数据，因此对固态驱动装置的需求增加。随着固态驱动装置的数据处理速度的增加，由于外部静电放电，可能在固态驱动装置内部接收到某一频带的噪声。在接收到噪声的情况下，当固态驱动装置处理数据时，可能产生软错误或软故障，例如，一个比特到若干个比特的比特错误。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例提供了一种固态驱动装置，包括能够减少(或备选地，防止)外部静电放电产生的软错误的防静电结构。根据本专利技术构思的示例实施例，提供了一种固态驱动装置，包括：壳体，包括基底和侧壁，侧壁沿基底的周边垂直于基底延伸；防静电结构，从基底的至少部分表面突出，所述防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，金属柱与壳体的侧壁间隔开，并且静电吸收构件位于金属柱的至少部分表面上；封装衬底模块，在壳体中位于防静电结构上；盖，覆盖壳体和封装衬底模块。根据本专利技术构思的示例实施例，提供了一种固态驱动装置，包括：壳体，包括基底和侧壁，侧壁沿基底的周边垂直于基底延伸；防静电结构，与侧壁分开一定距离，防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，金属柱包括多个子柱，多个子柱中具有孔，并且静电吸收构件位于金属柱和孔上；封装衬底模块，位于壳体的侧壁中的多个衬底安装单元上并且位于防静电结构上；和盖，覆盖壳体和封装衬底模块。根据本专利技术构思的示例实施例，提供了一种固态驱动装置，包括：壳体，包括基底和侧壁，侧壁沿基底的周边垂直于基底延伸；防静电结构，与侧壁分开一定距离，防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，金属柱包括多个子柱和子连接柱，子连接柱连接子柱的一部分侧壁，孔位于子柱中的至少一个子柱和子连接柱中，并且静电吸收构件位于金属柱和孔上；封装衬底模块，在壳体中位于侧壁中的多个衬底安装单元上并且位于防静电结构上；和盖，覆盖壳体和封装衬底模块。根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置包括防静电结构，所述防静电结构包括在壳体中靠近半导体芯片的金属柱和金属柱上的静电吸收构件，其中所述半导体芯片安装在封装衬底模块上。因此，根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置可以减少(或备选地，防止)外部静电放电产生的软错误，例如比特错误。附图说明根据接下来结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本专利技术构思的示例实施例，在附图中：图1是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图；图2是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构；图3是图2的壳体的后表面的透视图；图4是沿图2的线IV-IV′截取的横截面图；图5是示出了根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的封装衬底模块的透视图；图6和图7是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的壳体的后视图和侧视图；图8是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的壳体的平面图；图9和图10是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的壳体的侧视图；图11是沿图8的线XI-XI′截取的横截面图；图12是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构；图13是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构；图14是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的分解透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构；图15是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的框图；以及图16是根据本专利技术构思的示例实施例的系统的框图。具体实施方式将参考附图来详细描述本专利技术构思的示例实施例。本专利技术构思的示例实施例可以由示例实施例中的某一个或示例实施例中的一个或多个的组合来实现。因此，本专利技术构思的示例实施例的精神不应仅通过一个示例实施例来解释。附图不一定按某种比例来示出。在一些示例实施例中，为了清楚地示出示例实施例的特性，可以将附图中所示的结构的至少一部分的比例进行放大。在固态驱动装置中，形成封装衬底模块的基底衬底或半导体芯片可能被高电压的电应力严重损害，这是由外部静电放电引起的，从而可能在硬件中产生硬故障。在固态驱动装置中，随着部件质量的提高，由外部静电放电引起的硬故障逐渐减少。然而，随着固态驱动装置的数据处理速度的增加，在固态驱动装置中，由于外部静电放电引起的高电压的电应力，可能将某一频带的噪声从电子系统接收到固态驱动装置的内部。在接收到噪声的情况下，当固态驱动装置处理数据时，可能产生损害软件的软错误或软故障，例如一个比特到若干个比特的比特错误。在本专利技术构思的一个或多个示例实施例中，可以提供固态驱动装置，以减少(或备选地，解决)由静电放电引起的软错误(或软故障)。图1是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图。参考图1，固态驱动装置500包括壳体100、防静电结构(图2的206)、封装衬底模块300和盖400。可以机械地接触外部装置的螺纹孔116和118可以被定位在连接到壳体100的一对侧壁104中的相应一个的部分中。封装衬底模块300被安装在壳体100中，并且外部连接器310可以被定位在封装衬底模块300外部。外部连接器310可以包括端子312和主体314。外部连接器310的形状可以改变，并且本专利技术构思的示例实施例不限于此。外部连接器310将固态驱动装置500连接到外部主机，并且可以发送和接收信号和/或可以接收电力。例如，外部连接器310可以包括被配置为通过根据以下标准的方法连接到外部装置的连接器：并行高级技术附件(PATA)标准、串行高级技术附件(SATA)标准、小型计算机系统接口(SCSI)标准或程序控制的中断(PCI)高速(PCIe)标准。在此，SATA标准包含所有基于SATA的标准，例如SATA-2、SATA-3、外部SATA(e-SATA)以及SATA-1。PCIe标准包含所有基于PCIe的标准，例如，PCIe2.0、PCIe2.1、PCIe3.0和PCIe4.0、以及PCIe1.0。SCSI标准包含所有基于SCSI的标准，例如，并行SCSI、串行组合SA-SCSI(SAS)和iSCSI。在一些实施例中，外部连接器310可以是被配置为支持M2接口、mSATA接口或2.5″接口的连接器。固态驱动装置500可以包括覆盖壳体100和封装衬底模块300的盖400。稍后将更详细地描述壳体100、防静电结构(图2的206)和封装衬底模块300的配置。图2是根据本专利技术构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种固态驱动装置，包括：/n壳体，包括基底和侧壁，所述侧壁沿所述基底的周边垂直于所述基底延伸；/n防静电结构，从所述基底的至少部分表面突出，所述防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，所述金属柱与所述壳体的所述侧壁间隔开，并且所述静电吸收构件位于所述金属柱的至少部分表面上；/n封装衬底模块，在所述壳体中位于所述防静电结构上；和/n盖，覆盖所述壳体和所述封装衬底模块。/n
【技术特征摘要】
20180830 KR 10-2018-01030281.一种固态驱动装置，包括：
壳体，包括基底和侧壁，所述侧壁沿所述基底的周边垂直于所述基底延伸；
防静电结构，从所述基底的至少部分表面突出，所述防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，所述金属柱与所述壳体的所述侧壁间隔开，并且所述静电吸收构件位于所述金属柱的至少部分表面上；
封装衬底模块，在所述壳体中位于所述防静电结构上；和
盖，覆盖所述壳体和所述封装衬底模块。
2.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱与所述壳体一体，使得所述金属柱与所述壳体的所述基底和所述侧壁一体。
3.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱的高度小于所述壳体的所述侧壁的高度。
4.根据权利要求1所述的固态驱动装置，还包括：
热传递材料构件，位于所述静电吸收构件上。
5.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述封装衬底模块包括：
封装基底衬底和半导体芯片，所述半导体芯片位于所述封装基底衬底的上表面和下表面中的至少一个表面上，其中
所述半导体芯片位于所述金属柱上。
6.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱具有的形状形成暴露所述基底的多个单独孔，所述多个单独孔被间隔开并且具有不同的大小。
7.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱具有的形状形成暴露所述基底的连通孔。
8.根据权利要求1所述的固态驱动装置，还包括：
附加静电吸收构件，在所述金属柱的周边上或所述静电吸收构件上间隔开，使得所述附加静电吸收构件与所述侧壁分开一定距离。
9.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱包括：
散热器件，被配置为将所述封装衬底模块产生的热量耗散到所述固态驱动装置外部。
10.一种固态驱动装置，包括：
壳体，包括基底和侧壁，所述侧壁沿所述基底的周边垂直于所述基底延伸；
防静电结构，与所述侧壁分开一定距离，所述防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，所述金属柱包括多个子柱，所述多个子柱中具有孔，并且所述静电吸收构件位于所述金属柱和所述孔上；
封装衬底模块，在所述壳体中位于所述侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晟基，郭仁燮，尹一汉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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