热辅助磁记录介质和磁存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L1

Thermal auxiliary magnetic recording medium and magnetic storage device

【技术实现步骤摘要】
热辅助磁记录介质和磁存储装置
本专利技术涉及热辅助磁记录介质和磁存储装置。
技术介绍
将近场光等照射至磁记录介质以对其表面进行局部加热，从而使磁记录介质的顽磁力(coercivity)下降并进行写入的热辅助记录方式，是一种可实现1Tbit/inch2左右的面记录密度的记录方式，作为下一代的记录方式受到了广泛的关注。采用热辅助记录方式时，即使是室温下的顽磁力为数十kOe的磁记录介质，藉由磁头的记录磁场，也可容易地对其进行写入。为此，磁性层可使用磁晶各向异性常数Ku为106J/m3左右的高Ku材料，这样，不仅可维持磁性层的热稳定性，而且还可将磁性颗粒的粒径微细化至6nm以下。作为高Ku材料，熟知具有L10结构的FePt合金(Ku～7×106J/m3)、CoPt合金(Ku～5×106J/m3)等。为了提高热辅助磁记录介质的面记录密度，需要通过提高磁性层的结晶取向性(orientation)，对磁性颗粒进行微细化，并降低磁性颗粒间的交换耦合，来提高热辅助磁记录介质的顽磁力。在磁性层使用具有L10结构的FePt合金的情况下，为了提高磁性层的结晶取向性，磁性层需要进行(001)取向。为此，底层最好使用进行了(100)取向的MgO。这里，MgO的(100)面可与具有L10结构的FePt合金的(001)面进行晶格匹配(latticematching)。此外，还公开了这样一种技术，即：为了对磁性颗粒进行微细化，并使磁性颗粒间的交换耦合降低，形成以MgO为主成分，且含有从SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、及ZnO中选出的至少一种氧化物的底层(例如，参照专利文献1)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1](日本)特开2011－165232号公报
技术实现思路
[要解决的技术问题]然而，还希望进一步提高热辅助磁记录介质的面记录密度，即，进一步提高热辅助磁记录介质的顽磁力。本专利技术的一个目的在于，提供一种顽磁力较优的热辅助磁记录介质。[技术方案]根据本专利技术的一个形态，提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，该化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。[有益效果]根据本专利技术的一个形态，可提供一种顽磁力较优的热辅助磁记录介质。附图说明[图1]本实施方式的热辅助磁记录介质的层结构的一个例子的剖面图。[图2]本实施方式的热辅助磁记录介质的层结构的其它例子的剖面图。[图3]本实施方式的磁存储装置的一个例子的斜视图。[图4]图3的磁头的一个例子的示意图。[符号说明]1基板2A、2B底层3磁性层4第二底层5第一底层6第二底层100A、100B、100磁记录介质101磁记录介质驱动部102磁头103磁头驱动部104记录和再生信号处理系统201主磁极202辅助磁极203线圈204激光二极管(LD)205激光206近场光生成元件207波导路208记录磁头209护罩210再生元件211再生磁头具体实施方式以下对用于实施本专利技术的方式进行说明，但本专利技术并不限定于下述实施方式，只要不超出本专利技术的范围，还可对下述实施方式进行各种各样的变形和置换。[热辅助磁记录介质]图1表示本实施方式的热辅助磁记录介质的层结构的一个例子。热辅助磁记录介质100A依次具有基板1、底层2A、及包含具有L10结构的合金的磁性层3。这里，就底层2A而言，第二底层4和第一底层5依次进行了层叠。此外，第一底层5包含氧化镁(magnesiumoxide)和从由氧化钒(vanadiumoxide)、氧化锌(zincoxide)、氧化锡(tinoxide)、氮化钒(vanadiumnitride)、及碳化钒(vanadiumcarbide)所组成的组中选出的一种以上的化合物，上述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。另外，第二底层4包含氧化镁。热辅助磁记录介质100A通过具有如上所述的结构，可提高包含具有L10结构的合金的磁性层3的(001)取向性。此外，还可对热辅助磁记录介质100A的磁性层3中所含的磁性颗粒进行微细化，进而可降低磁性颗粒间的交换耦合。其结果为，可提高热辅助磁记录介质100A的顽磁力。这里，包含氧化镁的第二底层4由于进行了(100)取向，所以可使包含具有NaCl型结构的氧化镁的第一底层5进行(100)取向。其结果为，第一底层5的(100)面可与具有L10型结晶结构的磁性层3的(001)面进行晶格匹配，由此可提高磁性层3的(001)取向性。另一方面，第一底层5中所含的上述化合物可对第一底层5中所含的氧化镁颗粒进行微细化。此外，还可促进在一个氧化镁晶粒之上进行用于构成磁性层3的一个磁性晶粒的成长的“Onebyone成长”。据此，可提高磁性层3的(001)取向性。另外，不仅可对磁性层3中所含的磁性颗粒进行微细化，而且还可促进磁性颗粒间的分离，从而可降低磁性颗粒间的交换耦合。这里，由于上述的“Onebyone成长”可被进行促进，所以第一底层5优选与磁性层3进行了接触，但第一底层5也可不与磁性层3进行接触。需要说明的是，如果使用金属状态的钒、锌、锡来取代上述化合物，则当与磁性颗粒进行接触时，金属状态的钒、锌、锡的至少一部分会扩散至磁性颗粒内，导致磁性颗粒的磁性下降。第一底层5中的上述化合物的含量位于45mol％～70mol％的范围内，但优选位于45mol％～55mol％的范围内。如果第一底层5中的上述化合物的含量小于45mol％，则难以充分地对第一底层5中所含的氧化镁颗粒进行微细化，如果超过70mol％，则第一底层5中所含的氧化镁颗粒的粒径的方差(variance)会增大，导致第一底层5的(100)取向性下降。第一底层5中的氧化镁的含量优选为30mol％以上，较佳为45mol％以上。如果第一底层5中的氧化镁的含量为30mol％以上，则可提高第一底层5的(100)取向性。第一底层5的厚度优选位于0.2nm～2nm的范围内，较佳位于0.5nm～1.5nm的范围内。如果第一底层5的厚度为0.2nm以上，则可进一步对第一底层5中所含的氧化镁颗粒进行微细化，如果为2nm以下，则可进一步改善向热辅助磁记录介质100A进行写入时的散热性。第二底层4中的氧化镁的含量优选为50mol％以上，较佳为70mol％以上。如果第二底层4中的氧化镁的含量为50mol％以上，则可提高第二底层4的(100)取向性。磁性层3中所含的具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热辅助磁记录介质，其依次具有基板、底层、及包含具有L1

【技术特征摘要】
20180627 JP 2018-1216621.一种热辅助磁记录介质，其依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，
所述底层包括第一底层，
所述第一底层包含：
氧化镁；和
从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，
所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。


2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中，
所述第一底层与所述磁性...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤伸，福岛隆之，张磊，柴田寿人，山口健洋，徐晨，神边哲也，茂智雄，丹羽和也，桥本笃志，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP