碳化硅单晶锭的制造方法技术

本发明专利技术涉及采用升华再结晶法的碳化硅单晶锭的制造方法。制造方法包括：升温工序，使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度；单晶生长工序，维持晶体生长温度，使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长；以及降温工序，使晶体生长炉内的温度从晶体生长温度降低而使碳化硅单晶的生长停止，在单晶生长工序与降温工序之间还包括降温准备工序，在将晶体生长炉内的温度维持为晶体生长温度的同时使晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及单晶生长工序的氮气浓度增加，使降温工序的晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及所述单晶生长工序的氮气浓度高。

Manufacturing Method of Silicon Carbide Single Crystal Ingot

【技术实现步骤摘要】
碳化硅单晶锭的制造方法
本专利技术涉及采用升华再结晶法的碳化硅单晶锭的制造方法。本申请基于在2017年12月22日向日本提出的专利申请2017-246605号主张优先权，将其内容援引至此。
技术介绍
碳化硅(SiC)与硅(Si)相比，绝缘击穿电场大一个数量级，带隙大3倍。另外，碳化硅(SiC)与硅(Si)相比，具有热导率高3倍左右等特性。期待着碳化硅(SiC)应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。碳化硅单晶通常采用升华再结晶法进行制造。升华再结晶法是使碳化硅原料升华而产生的Si、Si2C、SiC2等气体在碳化硅籽晶上再结晶而在碳化硅籽晶上进行晶体生长的方法(例如，参照专利文献1)。作为通过这样的升华再结晶法以高品质制造大口径的碳化硅单晶的方法，可以举出例如改良Lely法。在改良Lely法中，例如在由石墨坩埚等形成的晶体生长炉内，配置碳化硅原料粉末和碳化硅籽晶。然后，对晶体生长炉内进行加热，使其升温至碳化硅原料粉末进行升华的晶体生长温度例如2000℃以上(升温工序)。然后，一边维持该晶体生长温度、一边利用晶体生长炉内的温度差使原料气体在碳化硅籽晶上再结晶，而使碳化硅单晶生长(单晶生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶锭的制造方法，在晶体生长炉内以2000℃以上的温度环境使碳化硅单晶在碳化硅籽晶上生长，其特征在于，包括：升温工序，使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的所述晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度；单晶生长工序，维持所述晶体生长温度，使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长；以及降温工序，使所述晶体生长炉内的温度从所述晶体生长温度降低而使所述碳化硅单晶的生长停止，在所述单晶生长工序与所述降温工序之间还包括：降温准备工序，在使所述晶体生长炉内的温度维持为所述晶体生长温度的同时使所述晶体生长炉内的氮气浓度比所述升温工序以及所述单晶生长工序的氮气浓度增加，所述降温工序的所述晶体生长炉内的氮气...

【技术特征摘要】
2017.12.22 JP 2017-2466051.一种碳化硅单晶锭的制造方法，在晶体生长炉内以2000℃以上的温度环境使碳化硅单晶在碳化硅籽晶上生长，其特征在于，包括：升温工序，使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的所述晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度；单晶生长工序，维持所述晶体生长温度，使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长；以及降温工序，使所述晶体生长炉内的温度从所述晶体生长温度降低而使所述碳化硅单晶的生长停止，在所述单晶生长工序与所述降温工序之间还包括：降温准备工序，在使所述晶体生长炉内的温度维持为所述晶体生长温度的同时使所述晶体生长炉内的氮气浓度比所述升温工序以及所述单晶生长工序的氮气浓度增加，所述降温工序的所述晶体生长炉内的氮气浓度比所述升温工序以及所述单晶生长工序的氮气浓度高。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤川阳平，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP