碳化硅单晶的制造方法技术

本发明专利技术的碳化硅单晶的制造方法是使用导向构件而使上述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，并且在上述单晶生长工序与上述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，所述单晶生长工序以在上述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与上述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面的晶体的间隙不闭塞的方式使碳化硅单晶生长，所述晶体生长结束工序使温度降低来结束晶体生长，所述间隙扩大工序将上述间隙的入口附近的原料气体内的Si2C的分压Pin与上述间隙的出口附近的原料气体内的Si2C的分压Pout之差Pin‑Pout维持为0.18torr以下的状态来扩大上述间隙。

Manufacturing Method of Silicon Carbide Single Crystal

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅单晶的制造方法
本专利技术涉及一种碳化硅单晶的制造方法。本申请基于2016年12月26日在日本提出的专利申请2016-251177号要求优先权，并且将其内容援引于此。
技术介绍
碳化硅(SiC)的绝缘击穿电场比硅(Si)大1个数量级，带隙比硅(Si)大3倍。另外，碳化硅(SiC)具有导热率比硅(Si)高3倍左右等特性。碳化硅(SiC)被期待应用于功率器件、高频器件、高温运作器件等中。碳化硅单晶利用升华法来制造。升华法是使用使原料升华得到的气体在晶种上进行晶体生长的方法。作为对于碳化硅单晶的长大化(长尺寸化)有效的方法，已知：为了控制坩埚内的原料气体流向，使晶种上效率良好地聚集原料气体，而使用筒状或圆锥状的导向构件的方法(例如参照专利文献1～3)。在先技术文献专利文献专利文献1：日本专利第3961750号公报专利文献2：日本特开2005-225710号公报专利文献3：日本特开2012-254892号公报
技术实现思路
无助于碳化硅单晶生长的原料气体在晶种的周边的构件和/或坩埚的内壁结晶化而形成多晶。在使用导向构件的碳化硅单晶的制造方法中，有时在导向构件的内壁析出的多晶与在晶种上生长的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶的制造方法，是使用导向构件而使所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，在配置于坩埚内的碳化硅晶种附近配置所述导向构件的一端，所述导向构件将原料气体向碳化硅晶种侧引导，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，在所述单晶生长工序与所述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，在所述单晶生长工序中，以在所述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与所述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面上的晶体的间隙不完全闭塞的方式生长碳化硅单晶，在所述晶体生长结束工序中，使温度降低来结束晶体生长，在所述间隙扩大工序中，使所述间隙的入口附近的原料气体内的Si2C的分压Pin与所述间...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.26 JP 2016-2511771.一种碳化硅单晶的制造方法，是使用导向构件而使所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，在配置于坩埚内的碳化硅晶种附近配置所述导向构件的一端，所述导向构件将原料气体向碳化硅晶种侧引导，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，在所述单晶生长工序与所述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，在所述单晶生长工序中，以在所述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与所述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面上的晶体的间隙不完全闭塞的方式生长碳化硅单晶，在所述晶体生长结束工序中，使温度降低来结束晶体生长，在所述间隙扩大工序中，使所述间隙的入口附近的原料气体内的Si2C的分压Pin与所述间隙的出口附近的...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤川阳平，鹰羽秀隆，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP