本公开的实施例涉及集成电子器件。一种集成电子器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底。在SOI衬底中和上形成至少一个MOS晶体管。该至少一个MOS晶体管具有栅极区域，其接收控制电压；背栅极，其接收调整电压；源极/漏极区域，其具有电阻部分；第一端...

实施例涉及功率转换电路，其包括用于旁路浪涌电流限制电阻器的旁路电路。在一个实施例中，提供了一种功率转换电路，其包括桥式整流器、限流电阻器、可控电流开关器件、以及驱动器。限流电阻器具有耦合到桥式整流器的输出端子的第一端子、以及耦合到电气接...

一种半导体衬底包括具有上表面的掺杂区。掺杂区可以包括二极管的传导端子(诸如阴极)或晶体管的传导端子(诸如漏极)。在掺杂区处提供硅化物层。该硅化物层具有仅部分覆盖掺杂区的上表面的区域的区域。部分区域覆盖有助于调制集成电路器件的阈值电压和/...

本公开涉及具有不同宽度单元层的图像传感器装置及相关方法。一种图像传感器装置可以包括互连层、该互连层上的图像传感器IC以及与该互连层相邻并且具有多条第一导电迹线的镜筒。该图像传感器装置可以包括液晶聚焦单元，该液晶聚焦单元由该镜筒承载并且具...

一种开关模式功率变换器设备。该设备包括电感元件，该电感元件将接收输入电压的第一节点耦合到第二节点。第一晶体管将第二节点耦合到生成输出电压的第三节点。控制电路包括第一开关，该第一开关将第三节点耦合到第一晶体管的控制端子。

本公开的实施例涉及适用于在变温环境下操作的集成电子器件。一种集成电子器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底。在SOI衬底中和上形成至少一个MOS晶体管。该至少一个MOS晶体管具有栅极区域，其接收控制电压；背栅极，其接收调整电压；源极/漏极区域...

本公开涉及一种用于检测空气质量的设备。本公开涉及一种包括多个气体传感器的气体传感器设备。气体传感器中的每一个包括半导体金属氧化物(SMO)膜、加热器和温度传感器。SMO膜中的每一个被设计为对不同的气体浓度范围敏感。结果，气体传感器设备能...

本公开涉及反相器。一种反相器包括半导体衬底。Z

一种接近传感器，包括：具有第一侧和第二侧的包封层；多个帽脚，多个帽脚与包封层的第一侧相接触并且从包封层的第一侧延伸，多个帽脚与包封层由相同材料形成，帽脚中的两个帽脚相对于包封层的第一侧具有第一高度，并且帽脚中的一个帽脚相对于包封层的第一...

本公开涉及反相电路。一种反相器包括半导体衬底。Z

本公开的实施例涉及存储器阵列和存储器单元。存储器阵列包括以行和列布置的Z

本公开的实施例提供了一种电子器件，包括：第一MOS晶体管，具有通过沟道形成区彼此分离的源极区和漏极区；在所述沟道形成区之上的第一栅极；其中所述漏极区包括延伸区；以及在所述延伸区之上的第二栅极，其中所述第二栅极连接到所述第一栅极。

本公开涉及用于移动站的电池交换系统。例如，一种电池充电系统包括：第一电连接器，设置为面向第一搁架；第二电连接器，设置为面向第二搁架；第一充电设备，耦合至第一电连接器；以及第二充电设备，耦合至第二电连接器。一种移动设备包括第一电连接器、朝...

公开了一种半导体封装体及其形成方法，所述半导体封装体具有通过模制化合物保护侧壁的管芯。该封装体包括具有与第二表面相对的第一表面和在第一表面和第二表面之间延伸的侧壁的管芯。再分布层形成在每个管芯的第一表面上。管芯的第一表面的面积大于再分布...

本公开涉及通信设备与通信系统，具体涉及用于同步应答器内有源负载调制时钟的方法和对应应答器。应答器使用有源负载调制与读取器通信。应答器包括数字锁相环DPLL，其在操作中生成与读取器的载波时钟同步的有源负载调制ALM载波时钟。在数据帧的传输...

数据帧(包括从基础载波的调制生成的有源负载调制ALM载波信号的突发)从对象被传输至读取器。使读取器载波信号和ALM载波信号同步包括：在每个数据帧的传输之前，并且在每个数据帧的ALM载波信号的突发中的一些突发之间，执行主振荡器的输出信号的...

本发明的各个实施例涉及照相机模块及其制造方法。该照相机模块包括具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧的玻璃中介层，玻璃中介层包括：第一玻璃层和第二玻璃层；导电迹线层，在第二玻璃层中并位于第一玻璃层与第二玻璃层之间；第一导电通孔，在第一侧处并...

本公开的实施例涉及包括Z

一种用于提供ESD保护的电子器件由MOS晶体管形成。MOS晶体管包括通过沟道形成区彼此分离的源极区和漏极区。第一栅极位于沟道形成区之上。漏极区包括延伸区。第二栅极位于延伸区之上。第一栅极和第二栅极彼此电连接。

本公开的实施例涉及用于生成随机信号的集成设备和系统。一种用于生成随机信号的集成设备包括：第一端子；脉冲信号生成器，被配置为在第一端子上生成电流脉冲串；和第一控制电路，被耦合到第一端子并且被配置为将电流脉冲串转换成电压信号，该电压信号随机...