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意法半导体有限公司专利技术
意法半导体有限公司共有402项专利
用于场景的景深图评估的方法和设备技术
确定场景的景深图的方法包括产生由飞行时间测量获取的场景的距离图,从两个不同视角采集场景的两个图像,以及考虑距离图而立体视觉处理两个图像。距离图的产生可以包括逐个区段的产生场景的距离直方图,以及立体视觉处理包括,对于景深图的对应于采集区段...
电子装置和电子设备制造方法及图纸
本公开涉及电子装置和电子设备。电子装置包括:飞行时间传感器,被配置用于产生场景的距离图,所述飞行时间传感器被配置用于逐个采集区段地产生所述场景的距离直方图;立体视觉图像采集装置,被配置用于在两个不同视角处采集所述场景的两个图像;以及立体...
马赫-曾德尔(MZ)环形光学调制器制造技术
本申请涉及马赫‑曾德尔环形光学调制器。马赫‑曾德尔环形调制器包括具有第一二极管的第一光学路径和具有第二二极管的第二光学路径。第一二极管和第二二极管中的每个通过修改光信号的相位来响应于电压信号而工作。第一光学耦合器分别向第一光学路径和第二...
马赫-曾德尔环形调制器和光学链路装置制造方法及图纸
本申请涉及马赫‑曾德尔环形调制器和光学链路装置。马赫‑曾德尔环形调制器包括具有第一二极管的第一光学路径和具有第二二极管的第二光学路径。第一二极管和第二二极管中的每个通过修改光信号的相位来响应于电压信号而工作。第一光学耦合器分别向第一光学...
具有减小长度的马赫-曾德尔二极管的光学调制器制造技术
一种Mach‑Zehnder调制器(MZM)包括第一光学路径,具有耦合至第一电压信号节点并配置用于修改通过第一光学路径发送的第一光信号的相位的第一二极管。另一二极管位于第一光学路径中并配置用于将相位偏移引入第一光信号。第二光学路径包括耦...
半导体传感器封装体制造技术
一种用帽盖封装的封装体。该封装体的特征在于形成集成嵌入或集成在基底内的锁定机构的多个沟槽、多个通孔和非导电耦接元件。该封装体具有通过超声波塑料焊接而耦接至该非导电耦接元件的帽盖。该封装体保护晶粒免受外界环境或外部应力或两者影响。期望一种...
气体传感器制造技术
本公开涉及气体传感器,该气体传感器包括有源传感器区域,该有源传感器区域被暴露于环境下以便检测元素。该气体传感器可以是可被固定就位或者由用户携带的空气质量传感器。该气体传感器包括在腔室上方形成的加热器。该气体传感器包括在该加热器上方的形成...
用于检测空气质量的器件制造技术
本公开涉及一种用于检测空气质量的器件,例如一种气体传感器,该气体传感器包括有源传感器区域,该有源传感器区域被暴露于环境下以便检测元素。该气体传感器可以是可被固定就位或者由用户携带的空气质量传感器。该气体传感器包括在腔室上方形成的加热器。...
时钟信号发生器制造技术
本发明涉及时钟信号发生器。提供一种用于生成时钟信号(206)的装置,该装置包括:第一光敏电阻器(214H),该第一光敏电阻器将电容输出节点(218)耦合到用于施加第一电势的节点(216H)上;以及第二光敏电阻器(214L),该第二光敏电...
时钟信号发生器制造技术
本发明涉及时钟信号发生器,例如,一种用于将光脉冲转换为电子脉冲的设备,该设备包括具有第一和第二端子并且能够接收源自锁模激光源(202)的脉冲激光信号(204)的光敏电阻器(302),其中:该第一端子经由并联连接的电阻元件(214)和电容...
对RF放大器的调节制造技术
本发明涉及对RF放大器的调节,例如,射频放大器(1)的电源和偏置级(4),该射频放大器的放大级(3)包括至少一个MOS晶体管,该MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子(31),并且该MOS晶体管的第一导电端子被连接到输出端子(36),其...
马赫-曾德尔调制器和光学链路制造技术
本公开涉及马赫‑曾德尔调制器和光学链路。一种马赫‑曾德尔调制器,包括第一光学路径,具有耦合至第一电压信号节点并配置用于修改通过第一光学路径发送的第一光信号的相位的第一二极管。另一二极管位于第一光学路径中并配置用于将相位偏移引入第一光信号...
电子设备制造技术
本文公开了一种电子设备,包括:第一激光源,被配置成投射第一激光束,和第二激光源,被配置成投射第二激光束,第二激光束在第一方向上与第一激光束对齐但在第二方向上相对于第一激光束成角度。镜装置被定位以便反射第一和第二激光束。控制电路被配置成控...
用于将光脉冲转换为电子脉冲的设备和时钟信号发生器制造技术
本实用新型涉及用于将光脉冲转换为电子脉冲的设备和时钟信号发生器,例如,一种用于将光脉冲转换为电子脉冲的设备,该设备包括具有第一和第二端子并且能够接收源自锁模激光源(202)的脉冲激光信号(204)的光敏电阻器(302),其中:该第一端子...
用于保护免于静电放电的设备和集成电路制造技术
本申请涉及用于保护免于静电放电的设备和集成电路。设备在位于掩埋隔离层上的半导体薄膜中及其上制造,该掩埋隔离层自身位于半导体阱的顶部上。该设备包括:第一端子和第二端子;至少一个模块,包括至少一个MOS晶体管,该MOS晶体管在第一端子与第二...
集成人工神经元器件和集成电路制造技术
本公开的实施例涉及集成人工神经元器件和集成电路。一种集成人工神经元器件包括不应电路,不应电路被配置为在传递输出信号之后,在抑制持续时间内抑制信号积分。不应电路包括第一MOS晶体管,第一MOS晶体管耦合在输入节点和参考节点之间,并且具有通...
光学传感器封装体以及电子设备制造技术
本公开的实施例涉及光学传感器封装体以及电子设备。一个或多个实施例涉及一种用于光学器件的系统级封装(SiP),包括接近度传感器封装。一个实施例涉及一种包括衬底、图像传感器裸片和发光器件的光学传感器。该图像传感器裸片的第一表面耦合至该衬底,...
集成式人工神经元装置和集成式电路制造方法及图纸
一种集成式人工神经元装置和集成式电路,所述集成式人工神经元装置包括输入信号节点、输出信号节点和参考电源节点。积分器电路接收输入信号并且对输入信号进行积分从而产生积分信号。发生器电路接收积分信号,并且当积分信号超过阈值时,传送输出信号。积...
气体感测设备、室内固定装置、移动单元以及空气质量监测器制造方法及图纸
涉及一种电子多种类气体感测设备和微电子空气质量监测器。微电子空气质量监测器包括被调节为用于检测不同气体种类的多个感温气体传感器。通过对相邻加热器进行编程来调节每个气体传感器。形成在该传感器下方的绝缘气穴有助于将传感器保持在所期望温度。温...
用于使用分布式触发电路保护免于静电放电的设备制造技术
本申请涉及用于使用分布式触发电路保护免于静电放电的设备。设备在位于掩埋隔离层上的半导体薄膜中及其上制造,该掩埋隔离层自身位于半导体阱的顶部上。该设备包括:第一端子和第二端子;至少一个模块,包括至少一个MOS晶体管,该至少一个MOS晶体管...
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