反相器制造技术

本公开涉及反相器。一种反相器包括半导体衬底。Z

Inverter

【技术实现步骤摘要】
反相器
本公开总的来说涉及诸如反相电路的电子电路。
技术介绍
反相电路或反相器是能够使信号反相的电路。这种电路是包括晶体管的组件。
技术实现思路
本技术总的来说涉及电子电路，更具体地，涉及逻辑电路。具体实施例应用于形成反相器。本技术用于提供至少部分地解决现有技术中的技术问题的反相器。根据一些实施例，提供了一种反相器。该反相器包括：半导体衬底；Z2-FET开关，设置在所述半导体衬底的第一表面处；以及又一开关，设置在所述半导体衬底的所述第一表面处，所述又一开关具有在第一参考端子和第二参考端子之间与所述Z2-FET开关的电流路径串联耦合的电流路径。在一些实施例中，所述Z2-FET开关包括耦合至反相器输入端子的第一栅极。在一些实施例中，所述Z2-FET开关为N型。在一些实施例中，所述Z2-FET开关为P型。在一些实施例中，所述又一开关包括第二Z2-FET开关。在一些实施例中，所述Z2-FET开关是N型Z2-FET开关，并且所述又一开关是P型Z2-FET开关。在一些实施例中，所述Z2-FET开关具有耦合至所述第一参考端子的阳极和耦合至反相器输出端子的阴极，并且所述又一开关具有耦合至所述反相器输出端子的阳极和耦合至所述第二参考端子的阴极。在一些实施例中，所述第一参考端子是电源端子。在一些实施例中，所述第二参考端子是参考端子。在一些实施例中，所述参考端子为地。在一些实施例中，所述Z2-FET开关和所述又一开关均包括第一栅极和第二栅极。在一些实施例中，所述第一栅极位于所述半导体衬底的上表面上，并且其中所述第二栅极位于所述半导体衬底的下表面上，所述下表面与所述上表面相对。在一些实施例中，每一个第二栅极都包括N型掺杂部分和P型掺杂部分。在一些实施例中，对于所述Z2-FET开关和所述又一开关，所述P型掺杂部分耦合至正电位，并且所述N型掺杂部分耦合至负电位。在一些实施例中，所述Z2-FET开关包括：阳极区；阴极区；P型掺杂区，将所述阳极区与所述阴极区隔开；以及绝缘栅极区，位于所述P型掺杂区的顶部上且与所述P型掺杂区的一部分接触。在一些实施例中，所述又一开关包括MOSFET。根据一些实施例，提供了一种反相器。该反相器包括：N型Z2-FET开关，具有耦合至反相器输出端子的阴极、耦合至正参考端子的阳极、耦合至反相器输入端子的顶部栅极以及背部栅极，所述背部栅极具有耦合至正电位的P型掺杂部分和耦合至负电位的N型掺杂部分；以及P型Z2-FET开关，具有连接至所述N型Z2-FET开关的阴极和所述反相器输出端子的阴极、耦合至负参考端子的阳极、耦合至所述反相器输入端子的顶部栅极以及背部栅极，所述背部栅极具有耦合至所述正电位的P型掺杂部分和耦合至负电位的N型掺杂部分。根据一些实施例，提供了一种反相器。该反相器包括：绝缘体上硅衬底，具有在绝缘层之上的半导体层，所述绝缘层在半导体衬底之上；第一Z2-FET开关，具有设置在所述半导体层中的阳极区、设置在所述半导体层中的阴极区、在所述阳极区和所述阴极区之间设置在所述半导体层中的P型掺杂区、位于所述P型掺杂区的顶部且与所述P型掺杂区的一部分接触的绝缘栅极区以及在所述阳极区、所述阴极区和所述P型掺杂区下方设置在所述半导体衬底中的背部栅极；第二Z2-FET开关，具有设置在所述半导体层中的阳极区、设置在所述半导体层中的阴极区、在所述阳极区和所述阴极区之间设置在所述半导体层中的P型掺杂区、位于所述P型掺杂区的顶部且与所述P型掺杂区的一部分接触的绝缘栅极区以及在所述阳极区、所述阴极区和所述P型掺杂区下方设置在所述半导体衬底中的背部栅极；输入端子，耦合至所述第一Z2-FET开关的栅极区和所述第二Z2-FET开关的栅极区；输出端子，耦合至所述第一Z2-FET开关的阴极区和所述第二Z2-FET开关的阴极区；第一参考端子，耦合至所述第一Z2-FET开关的阳极区；以及第二参考端子，耦合至所述第二Z2-FET开关的阳极区。在一些实施例中，所述第一Z2-FET开关的背部栅极包括第一N型掺杂部分和第一P型掺杂部分，并且其中所述第二Z2-FET开关的背部栅极包括第二N型掺杂部分和第二P型掺杂部分。在一些实施例中，所述第一P型掺杂部分和所述第二P型掺杂部分耦合至正电位，并且所述第一N型掺杂部分和所述第二N型掺杂部分耦合至负电位。在一些实施例中，所述第一Z2-FET开关为N型，并且所述第二Z2-FET开关为P型。在一些实施例中，所述第一参考端子是电源端子，并且所述第二参考端子是接地端子。一个实施例提供了一种包括Z2-FET开关的反相器。根据一个实施例，Z2-FET开关的第一栅极耦合至施加第一电位的第一端子。根据一个实施例，Z2-FET开关为N型。根据一个实施例，Z2-FET开关为P型。根据一个实施例，该反相器包括至少两个Z2-FET开关。根据一个实施例，第一开关是N型Z2-FET开关，以及第二开关是P型Z2-FET开关。根据一个实施例，第一开关的阳极耦合至施加第二电位的第二端子且阴极耦合至施加第三电位的第三端子，以及第二开关的阳极耦合至第二端子且阴极耦合至施加第四电位的第四端子。根据一个实施例，第二电位是电源电位。根据一个实施例，第四电位是参考电位。根据一个实施例，参考电位是地。根据一个实施例，每个Z2-FET开关都包括第二栅极。根据一个实施例，第二栅极位于与第一栅极位于其上的表面相对的表面上。根据一个实施例，第二栅极包括N型掺杂部分和P型掺杂部分。根据一个实施例，P型掺杂部分耦合至施加第五正电位的第五端子，以及N型掺杂部分耦合至施加第六负电位的第六端子。根据一个实施例，每个Z2-FET开关都在衬底上包括阳极区、阴极区、将阳极区与阴极区分开的P型掺杂区以及位于P型掺杂区顶部且与P型掺杂区的一部分接触的绝缘栅极区。本技术的实施例相对于现有技术在一个或多个方面具有一个或多个优点。将在下面结合附图的具体实施例的非限制性描述中详细讨论前述和其他特征以及优点。附图说明图1是示出N型Z2-FET开关的简化截面图；图2是示出P型Z2-FET开关的简化截面图；图3是反相器的一个实施例的电路图；以及图4是反相器的另一个实施例的电路图。具体实施方式在不同的附图中，相同的元件用相同的参考数字表示。为了清楚，仅示出并详细描述有助于理解所述实施例的那些步骤和元件。在下面的描述中，当提及限定绝对位置的术语(诸如术语“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”等)或相对位置的术语(诸如术语“上方”、“下方”、“上部”、“下部”等)或限定方向的术语(诸如术语“水平”、“垂直”等)时，其表示附图的方向。本文使用术语“近似”、“基本”和“量级”来指定所述值的正负10％、优选正负5％的公差。在本说明书中，术语“连接”将用于表示直接的电气连接而没有中间电子部件，例如通过导电轨道，而术语“耦合”或术语“链接”将用于表示直接的电气连接(表示“连接”)或者经由一个或多个中间部件(电阻器、电容器等)的连接。图1是示意性示出Z2-FET开关的截面图，更具体地是N型开关IN。在图1中，开关IN更具体为双接地平面(DGP)Z2-FET型开关。开关IN形成在SOI(“绝缘体上硅”)结构的内部和顶部，SOI结构包括半导体层1(当前由硅制成)，半导体层1位于绝缘层3(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反相器，其特征在于，包括：半导体衬底；Z

【技术特征摘要】
2018.03.13 FR 18521651.一种反相器，其特征在于，包括：半导体衬底；Z2-FET开关，设置在所述半导体衬底的第一表面处；以及又一开关，设置在所述半导体衬底的所述第一表面处，所述又一开关具有在第一参考端子和第二参考端子之间与所述Z2-FET开关的电流路径串联耦合的电流路径。2.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述Z2-FET开关包括耦合至反相器输入端子的第一栅极。3.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述Z2-FET开关为N型。4.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述Z2-FET开关为P型。5.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述又一开关包括第二Z2-FET开关。6.根据权利要求5所述的反相器，其特征在于，所述Z2-FET开关是N型Z2-FET开关，并且所述又一开关是P型Z2-FET开关。7.根据权利要求6所述的反相器，其特征在于，所述Z2-FET开关具有耦合至所述第一参考端子的阳极和耦合至反相器输出端子的阴极，并且所述又一开关具有耦合至所述反相器输出端子的阳极和耦合至所述第二参考端子的阴极。8.根据权利要求7所述的反相器，其特征在于，所述第一参考端子是电源端子。9.根据权利要求7所述的反相器，其特征在于，所述第二参考端子是参考端子。10.根据权利要求9所述的反相器，其特征在于，所述参考端子为地。11.根据权利要求5所述的反相器，其特征在于，所述Z2-FET开关和所述又一开关均包括第一栅极和第二栅极。12.根据权利要求11所述的反相器，其特征在于，所述第一栅极位于所述半导体衬底的上表面上，并且其中所述第二栅极位于所述半导体衬底的下表面上，所述下表面与所述上表面相对。13.根据权利要求11所述的反相器，其特征在于，每一个第二栅极都包括N型掺杂部分和P型掺杂部分。14.根据权利要求13所述的反相器，其特征在于，对于所述Z2-FET开关和所述又一开关，所述P型掺杂部分耦合至正电位，并且所述N型掺杂部分耦合至负电位。15.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述Z2-FET开关包括：阳极区；阴极区；P型掺杂区，将所述阳极区与所述阴极区隔开；以及绝缘栅极区，位于所述P型掺杂区的顶部上且与所述P型掺杂区的一部分接触。16.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述又一开关包括MOSFET。17.一种反相器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·埃尔迪拉尼，P·福特内奥，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，意法半导体克洛尔二公司，
类型：新型
国别省市：法国,FR