本公开的各实施例总体上涉及图像传感器。一种图像传感器包括像素阵列，其中每个像素形成在衬底的与衬底的其他部分电绝缘的部分中。每个像素包括光电检测器；传输晶体管；以及包括一个或多个晶体管的读出电路。读出电路的晶体管形成在该部分的至少一个阱的...

本公开涉及从半导体衬底晶片制造集成电路的方法。集成电路由半导体衬底晶片支撑。每个集成电路包括电有源区域。沿着划片路径在各种集成电路的有源区域周围形成导热保护结构。保护结构位于集成电路的电有源区域和划片路径的激光烧蚀区域之间。集成电路的分...

本公开涉及光电二极管和光电二极管的制造方法。在具有第一表面和第二表面的半导体衬底中形成光电二极管。半导体衬底包括通过外延生长形成的第一N型半导体区域和从第一表面延伸到第一N型半导体区域中的第二N型半导体区域(比第一区域更重掺杂)。第一N...

本公开涉及一种存储器单元(1)和一种擦除存储器单元(1)的方法。存储器单元包括第一导电类型的掺杂阱(100)和晶体管(T)。晶体管(T)包括与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂的第一区域(106)，第一掺杂区域在掺杂阱(100)中延伸...

本公开涉及电子器件。本描述涉及一种针对电子器件在衬底中制造绝缘沟槽的方法，该方法包括以下连续步骤：(a)使用第一绝缘材料填充在衬底中形成的沟槽；(b)在第一材料上沉积第一蚀刻停止层；(c)在第一蚀刻停止层上沉积第二绝缘材料的第二层；(d...

本公开的实施例涉及背照式图像传感器。提供了图像传感器和制造图像传感器的方法。一种这种方法包括形成一种结构，该结构包括从前侧延伸到背侧的半导体层以及延伸穿过半导体层的电容性绝缘壁。电容性绝缘壁包括被导体或半导体材料的区域分离的第一绝缘壁和...

本公开涉及一种用于产生电子组件的方法。通过该方法在公共衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管。

本公开涉及光电装置。一种装置，其包括：第一像素，基于量子点，被配置为递送用于生成基于事件的图像的基于事件的数据；以及第二像素，每个第二像素基于量子点，被配置为递送用于生成光强度图像的光强度数据。

本公开涉及半导体器件。本说明书涉及一种形成在半导体衬底内部和顶部上的图像传感器，该传感器包括多个像素，每个像素包括形成在衬底中的光电检测器，该传感器包括至少第一和第二二维超颖表面，第一和第二二维超颖表面在所述多个像素前侧按此顺序堆叠，每...

公开了一种电子器件。该电子器件包括双极晶体管，双极晶体管包括：双极晶体管的基极区域，包括：层部分；以及边缘部分，边缘部分从层部分的上表面延伸以限定腔体；腔体中的绝缘层部分，与边缘部分的内侧壁接触；发射极区域，在腔体中并且覆盖绝缘层部分；...

本公开的一个或多个实施例涉及晶体管、电子器件及射频开关。晶体管包括：半导体层；堆叠，所述堆叠在所述半导体上，所述堆叠包括栅极绝缘体以及在所述栅极绝缘体上的栅极区域；其中所述栅极区域包括第一部分和第二部分，所述第二部分在所述第一部分与所述...

一种变容二极管，在第一导电类型的掺杂半导体衬底上形成。二极管包括在半导体衬底中的第二导电类型的第一掺杂区域。在第一掺杂区域的部分中的第一导电类型的第二掺杂区域、和在第一掺杂区域的另一部分中的第二导电类型的第三掺杂区域形成二极管的PN结。...

本公开涉及图像采集设备。一种图像传感器包括形成在半导体衬底内部和顶部上的光电检测像素。互连网络覆盖半导体衬底的表面。互连网络包括通过其下表面与光电检测像素接触的导电过孔的层级。导电过孔由掺杂的多晶硅制成，并且在其下表面侧具有比在其上表面...

本公开涉及电光调制器及其形成方法。在一个实施例中，电光调制器包括波导，波导具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。腔体被设置在波导中。多个量子阱被设置在腔体中。

本描述涉及一种针对电子器件在衬底中制造绝缘沟槽的方法，该方法包括以下连续步骤：(a)使用第一绝缘材料填充在衬底中形成的沟槽；(b)在第一材料上沉积第一蚀刻停止层；(c)在第一蚀刻停止层上沉积第二绝缘材料的第二层；(d)向下蚀刻到蚀刻停止...

本公开提供了电子器件的制造方法。第一晶圆包括第一半导体层和位于第一半导体层的第一表面侧上的第一金属接触件。第二晶圆包括第二半导体层和位于第二半导体层的第一表面侧上的第二金属接触件。将柄部接合到第二晶圆的与第二半导体层相对的表面上。然后去...

公开了晶体管制造方法。双极晶体管通过以下方式制造：形成集电极区域；形成由基极区域的材料制成的第一层和绝缘第二层；形成到达集电极区域的腔体；在该腔体中形成集电极区域的一部分和基极区域的一部分；在该腔体的底部的周边形成由与绝缘第二层相同的材...

一种电子器件包括覆盖由掺杂半导体材料制成的第二层的绝缘第一层。形成腔以穿过第一层并到达第二层。绝缘间隔件抵靠腔的侧壁形成。第一掺杂半导体区域填充腔。第一掺杂半导体区域具有从第二层开始降低的掺杂浓度。

一种制造电子芯片的方法，包括以下连续的步骤：a)在第二半导体层的顶部上并且与第二半导体层接触地形成第一层，第二层在第三半导体层的顶部上并且与第三半导体层接触；b)对第一层进行掺杂，以在第二层上形成第一导电类型的第一掺杂子层以及第二导电类...

本公开涉及光电装置。一种装置，其包括：第一像素，基于量子点，被配置为递送用于生成基于事件的图像的基于事件的数据；以及第二像素，每个第二像素基于量子点，被配置为递送用于生成光强度图像的光强度数据。