本发明公开了一种降低12英寸硅片单片磨削背面Pit不良的方法，在单片磨削前增加研磨前清洗工序，所述研磨前清洗工序包含一个清洗槽和一个漂洗槽；所述清洗槽为药剂清洗槽，同时具有加温控温，底振和前后侧振，以及使清洗片盒上下抛动，清洗槽底部鼓泡...

本发明提供了一种硅晶圆表面的清洗方法，包括：臭氧处理步骤：将含有臭氧的水溶液喷淋至硅晶圆的表面，并用纯水冲洗硅晶圆的表面；寡聚谷氨酸及HF叠加处理步骤：在进行臭氧处理步骤之后，依次用寡聚谷氨酸清洗液、HF药液喷淋硅晶圆的表面，重复上述步...

本发明公开了一种抗冻超高纯硅溶胶的制备方法、抗冻超高纯硅溶胶及其应用，采用醇盐法制备硅溶胶，然后经溶胶凝胶、浓缩、水置换等步骤得到超高纯水系硅溶胶，在溶胶凝胶反应步骤中通过不同种类的添加剂比例以及配比，以调控体系的低温稳定性，最后通过过...

本申请公开了一种单晶炉液口距的控制方法、存储介质和电子设备，所述方法包括获取当前溶液质量、当前熔液密度和坩埚尺寸数据，并根据获得的当前熔液质量、当前熔液密度和坩埚尺寸数据确定熔液深度，再根据熔液深度确定重量液口距，最后根据重量液口距对坩...

本发明提供一种环氧树脂组合物及其应用，其包含以下重量份的组分：(a)18～25份的环氧树脂；(b)6～12份的胺类固化剂，所述的胺类固化剂为二苯甲烷型胺类化合物与含硫的苯环型胺类化合物的组合物；(c)0～5份的微胶囊包裹固化促进剂；(d...

本发明公开了一种适用于集成电路制造中铜互连结构化学机械抛光的抛光组合物及其应用，所述化学机械抛光组合物包括研磨离子、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂、骨架和侧链分别为聚甲基丙烯酰胺和两性化合物的聚合物、pH调节剂、任选的非离子聚合物和去离子水...

本申请公开一种槽式清洗设备晶片检测系统及方法，系统包括传感器支架；第一传感器，沿传感器支架的延伸方向布置有多个，第一传感器用于检测其检测范围内是否有待测晶片；第二传感器，沿传感器支架的延伸方向布置有多对，每一对第二传感器对称地设置于预存...

本发明公开了一种漏硅检测装置、漏硅检测方法及长晶炉，所述漏硅检测装置包括漏硅检测系统和任选的称重辅助检测系统，所述漏硅检测系统包括石英坩埚、容纳石英坩埚的拼接式石墨坩埚、托举石墨坩埚的坩埚托盘、支撑托杆、漏硅检测杆、检测触角和控制系统。...

本发明了提供一种12英寸硅片碱腐蚀的方法，包括依次执行清洗机械手、超声波溢流清洗、轻碱腐蚀、热水漂洗、碱腐蚀、热水漂洗、SC2药液、漂洗、混酸药液、漂洗、溢流、慢拉、烘干的十三个工序步骤。本发明的方法强化了金属清洗，两个碱槽用螯合的方法...

本发明公开了一种具有轨道支撑结构的化学机械抛光垫及其应用，所述化学机械抛光垫包括依次粘结贴合的顶部抛光层、支撑构件层和支撑层，所述支撑构件层为间隔分布的支撑构件，所述间隔分布的支撑构件作为顶部抛光层的轨道支撑结构，使得所述顶部抛光层、支...

本发明公开了一种12寸研磨片波纹度的可视化检测方法，包括以下步骤：1）扫描硅片，量测每个扫描点上表面对应上极板的电容值C1及下表面对应下极板的电容值C2；2）计算每个扫描点上表面对应上极板的高度值Z1和下表面对应下极板的高度值Z2及硅片...

本发明提供了一种单晶硅棒定向截断方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括：截断单晶硅棒得到单晶硅棒的光滑表面；获取用于支撑单晶硅棒的支撑模块的位置信息，位置信息包括支撑模块距离光滑表面的位移和支撑模块的倾角；获取单晶硅棒的实时晶向偏差...

本发明公开了一种硅片抛光组合物及其应用，所述硅片抛光组合物以二氧化硅水溶胶为抛光磨料，并添加有两类不同酸度系数pKa的有机碱作为速率稳定剂，其中一类有机碱或其共轭酸的酸度系数pKa至少有一个为9.5‑10.5，另一类有机碱或其共轭酸的酸...

本发明公开了一种高速率的钨插塞化学机械抛光液及其应用，所述钨插塞化学机械抛光液包含如下质量百分含量的组分：2%～20%研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.01%～0.05%的速率促进剂，余量为去离子水。本...

本发明公开了一种减少凹陷的钨插塞化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包含如下质量百分含量的组分：2%‑20%研磨剂、0.5％～5％氧化剂、0.01％～0.5％钨催化剂，0.01%‑0.05%腐蚀抑制剂，其余部分为去离子水。本发明的钨插塞化...

本实用新型涉及一种异形高纯石墨纸的切割装置，包括刀片构件

本申请提供一种长晶炉硅晶加工监控方法

本发明公开一种持片机构清洁系统及其控制方法

本发明公开了一种半导体单晶硅退火片及其退火工艺，所述单晶硅退火片正表面表层具有无缺陷的洁净层，从洁净层到硅片背表面的硅片基体内具有高密度的氧沉淀体微缺陷

本发明公开了一种化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述的抛光垫至少包括抛光顶层、缓冲层及贴合层，所述的抛光垫内部性能包括硬度和压缩偏移量会随着抛光浆料的注入而发生变化，当酸性值达到一定程度后，所述抛光顶层的硬度及压缩偏移量表现出差异性分...