本发明提供了一种硅抛光组合物及其应用，所述硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有磷酸酯钾盐型阴离子表面活性剂和烷基糖苷型非离子表面活性剂作为助剂。本发明的硅抛光组合物中同时添加磷酸酯钾盐型阴离子表面活性剂和烷基糖苷型非离...

本发明公开了一种硅片抛光组合物及其应用，所述硅片抛光组合物以二氧化硅水溶胶及有机碱为主要抛光组分，额外添加有酯类化合物、碱金属盐化合物。本发明通过在硅片抛光组合物中额外加入酯类化合物、碱金属盐化合物，可以有效减少CMP机台在硅片抛光过程...

本发明公开了一种多晶硅抛光组合物及其应用，所述多晶硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为助剂。本发明的抛光组合物中同时添加聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为表面活性剂，绿色低毒，在保...

本发明提供一种<100>型半导体级300mm单晶硅棒沿特定晶向切割的工艺方法，通过X射线晶向检测仪对截断后的单晶硅棒进行定向测量，确定单晶硅棒径向方向上[011]、和的晶向位置，然后在粘棒时通过划线标记，严格...

本发明提出了一种用于晶棒搬运和硅料加装的装置，其包括车架；设置在所述车架上的车斗，所述车斗构造为承载晶棒或者用于硅料的加料器；旋转机构，所述旋转机构用于促动所述车斗围绕旋转轴在水平向和竖向间旋转，所述旋转轴沿着水平横向延伸并位于所述车斗...

本发明提供一种双面抛光机驱动系统及双面抛光机。双面抛光机驱动系统包括：主轴，与上抛光盘连接件固定连接；主轴空心电机，其转子与主轴固定连接，带动主轴旋转；第一空心轴，套设主轴，与主轴可转动连接，且与内齿圈固定连接；第一空心电机，套设主轴空...

本发明公开了一种适用于硅晶圆再生的抛光组合物、制备方法及其应用，所述抛光组合物以二氧化硅水溶胶及有机碱为主要抛光组分，额外添加有三价金属铈盐、金属亚铁盐及有机酸稳定剂。本发明通过在硅片抛光组合物中额外加入三价金属铈盐、金属亚铁盐及有机酸...

本发明提供了一种微孔聚氨酯抛光垫的制备方法、抛光垫及其应用，所述制备方法包括以下步骤：a)将水性聚氨酯树脂均匀涂布在缓冲层上，在烘箱中烘干，得到支撑层；b)将溶剂型聚氨酯树脂，黑色浆，表面活性剂及氟化碳纳米纤维溶于N，N

本发明公开了一种具有迷宫形凹槽的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括至少一抛光层，所述抛光层表面设有被隔离凸台分隔的不连续凹槽，所述不连续凹槽包括主凹槽和副凹槽，所述主凹槽以抛光垫中心为圆心呈不连续的同心圆分布，所述副凹槽将相邻的主凹...

本发明公开了一种具有研磨一致性终点检测窗的抛光垫及其应用，所述抛光垫包括具有抛光表面的抛光层，所述抛光层表面设有终点检测窗和三种不同形式的沟槽结构，其中，第一沟槽为抛光层表面的同心圆形圆周向沟槽；第二沟槽为围绕窗口周围的闭环状沟槽；第三...

本发明公开了一种新旧抛光液含比可控的CMP抛光垫、抛光方法及其应用，所述抛光垫的抛光层至少包含：1）在所述抛光垫径向以折线形式相连的径向抛光液传送沟槽，所述径向抛光液传送沟槽每间隔至少4个周向同心圆沟槽角度进行一次偏折，每次偏折后的径向...

本发明提供一种用于硅晶圆的化学机械精抛液、制备方法及用途，所述精抛液包括以下质量百分数的组分：5%~15%的高纯硅溶胶、0.01%~0.5%的粘度调节剂、0.1%~0.5%的pH调节剂、0.001%~0.05%的表面活性剂，余量为水。本...

本发明公开了一种具有径向微沟槽的抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层具有一旋转中心，以及与所述旋转中心同心的抛光轨迹区和环向沟槽，所述抛光轨迹区含有径向微沟槽，所述径向微沟槽的取向满足抛光时抛光介质的流型函数。本发明的抛光垫能够合理...

本发明提供了一种硅抛光组合物、制备方法及其应用，所述硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有哌嗪类物质和含有呋喃环的水溶性有机弱酸作为助剂。本发明的硅抛光组合物中同时添加哌嗪类物质和含有呋喃环的水溶性有机弱酸作为稳定性助剂...

本发明提供了一种高平坦度抛光片的制备工艺，包括如下步骤：在洁净的待抛片背面均匀涂敷一层抛光蜡，将背面涂覆抛光蜡的待抛片贴敷在高温陶瓷盘上，随后进行冷却；对贴敷在陶瓷盘上的待抛片进行抛光处理，分别经历粗抛光，中抛光，精抛光三步，得到抛光片...

本发明涉及一种化学机械抛光用抛光垫，该抛光垫在抛光轨迹区域内具有凸起的研磨表面。本发明抛光垫凸起的研磨表面能够使抛光层更紧密的与抛光元件中央部分接触，从而抵消抛光元件在抛光过程中因边缘位置的线速度较大而造成抛光元件各部位研磨速率不均匀的...

本发明提供了一种大直径单晶炉，用于生长大尺寸半导体单晶硅棒，所述单晶炉包括炉体、石英坩埚、加热器、超导磁场、坩埚旋转升降机构、籽晶提拉旋转机构。本发明采用超导磁场辅助的大直径单晶炉，可以生长出12英寸以上的半导体单晶硅，满足半导体行业发...

本发明涉及一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺，所述硅片减薄装置的研削部设有导液围堰，研削台内设有上、下两腔体，依次完成废液的收集与排放、废液的分离与冷却液的回收，废屑可集中处理、冷却液经纯化供后续减薄作业循环使用，多次加工后可...

本发明公开了一种终点检测精度高的化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述化学机械抛光垫具有独特的类“三明治”结构的检测窗，包括顶层、中间层和底层，所述中间层由高折射率材料构成，保证了抛光过程中具有较高的终点检测精度，所述顶层与底层结构保证...

本发明公开了一种高效、高精度硅片抛光组合物及其制备方法和应用，所述硅片抛光组合物以二氧化硅水溶胶为主抛光磨料，并添加有纳米氧化亚硅粒子作为辅助磨料。通过在碱性二氧化硅水溶胶中加入纳米级氧化亚硅颗粒，能够实现高硅片抛光速率及抛光后硅片表面...