一种终点检测精度高的化学机械抛光垫、制备方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种终点检测精度高的化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述化学机械抛光垫具有独特的类“三明治”结构的检测窗，包括顶层、中间层和底层，所述中间层由高折射率材料构成，保证了抛光过程中具有较高的终点检测精度，所述顶层与底层结构保证了抛光过程中的窗口块体与其他部分的抛光层具有相似的抛光性能及压缩性能。本发明专利技术的化学机械抛光垫具有终点检测精度高、抛光缺陷少等优点，适用于磁性基片、光学基片或半导体基片的化学机械抛光。光。光。

【技术实现步骤摘要】
一种终点检测精度高的化学机械抛光垫、制备方法及其应用


[0001]本专利技术属于化学机械抛光
，具体涉及一种终点检测精度高、低表面划伤的化学机械抛光垫、制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]在集成电路和其他电子器件的制造过程中，对半导体晶片表面的微细凹凸消除方法主要为化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)。抛光过程中，在晶片与抛光垫之间提供抛光介质，从而，通过垫表面和抛光介质的化学与机械作用，对晶片表面进行抛光，使其变得平坦。
[0003]通常，在CMP工艺中会采用终点检测装置来判断研磨终点是否到达。目前较为常用的是原位终点检测法。原位光学终点检测技术可分为两个基本的类别：(1)监测在单一波长下的反射的光学信号或者(2)监测多个波长的反射的光学信号。用于光学终点的常规波长包括以下范围内的波长：可见光谱(例如400
‑
700纳米)、紫外光谱(315～400纳米)和红外光谱(700～1000纳米)。
[0004]专利CN105922126B提供了一种检测窗的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种终点检测精度高的化学机械抛光垫，包括抛光层和检测窗，其特征在于，所述检测窗具有面向抛光表面的顶层、中间层和底层的类“三明治”结构，所述检测窗的厚度与抛光垫厚度相同；其中，所述顶层与所述底层材质相同，均由聚合物基质材料构成，所述中间层由包括硫醇化合物的高折射率材料构成。2.根据权利要求1所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述中间层的高折射率材料中包含的硫醇化合物为至少具有三个巯基的硫醇化合物；优选地，所述检测窗整体的折射率范围为1.55～1.67。3.根据权利要求1或2所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述抛光层由聚合物基质材料和高分子微元件组成；优选地，所述聚合物基质材料为热固性材料，更优选为聚氨酯材料，所述高分子微元件为微球；进一步优选地，微球添加量占聚氨酯总质量的2～5wt％。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述抛光层表面具有宏观结构沟槽，沟槽深度为0.5～0.8mm；优选地，所述检测窗的顶层厚度大于等于抛光层沟槽深度的1/2，小于等于沟槽深度；更优选地，所述检测窗的底层厚度大于0mm，小于0.5mm。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述检测窗的表面邵氏D硬度与所述抛光层表面邵氏D硬度相差
±
5D；优选地，所述检测窗的压缩率与所述抛光层的压缩率相差
±
0.5％。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的化学机械抛光垫，其特征在于，所述抛光垫还包括粘结层和缓冲层，所述抛光层和所述缓冲层通过所述粘结层连接贴合，其中，所述粘结层选自压敏胶或热熔胶的一种或其组合，所述缓冲层选自聚氨酯毛毡类或泡棉类结构层。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢毓，王凯，
申请(专利权)人：万华化学集团电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：