本发明公开了一种化学机械抛光清洗液及其使用方法，该清洗液包含络合剂、表面活性剂、润湿剂、pH调节剂、余量为水。本发明的化学机械抛光清洗液是一种高度浓缩的清洗液，能够通过调节稀释倍数同时满足对化学机械抛光后的晶圆片和抛光垫的清洗。圆片和抛...

本发明公开了一种蓝宝石化学机械抛光液及其应用，所述抛光液由按重量百分比计的下列组分构成：硅溶胶10～50％、pH调节剂1％～10％、表面活性剂0.1％～3％、含锰络合物0.1％～5％、其余部分为去离子水，所述抛光液的pH值范围为8～12...

本发明公开一种光终点检测窗及其制备方法。所述光终点检测窗，包括异氰酸酯封端预聚物、固化剂和表面修饰纳米材料为反应原料反应得到。所述的表面修饰纳米材料为异氰酸酯表面修饰的纳米材料。所述的异氰酸酯封端预聚物，制备原料包括异氰酸酯、未修饰纳米...

本发明公开了一种存储稳定的硅片抛光组合物的制备方法、抛光组合物及其使用方法，在有机胺作为化学助剂加入抛光组合物之前，利用有机羧酸类物质与有机胺在加热的条件下进行脱水缩合反应后再加入抛光组合物中得到存储稳定的硅片抛光组合物；所述抛光组合物...

本发明公开了一种化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述抛光垫至少包括抛光层、粘结层及缓冲层，所述抛光层硬度及压缩率沿竖直剖面方向上呈现梯度变化趋势，所述抛光面与远离抛光面的背面之间硬度差为0.1～2D，压缩率差为0.1～2％。本发明的抛...

本发明公开了一种具有终点检测窗的抛光垫及其应用，所述抛光垫至少包括抛光表面和终点检测窗，所述抛光表面至少具有第一及第二沟槽，所述第一沟槽是以抛光垫中心为圆心的同心圆或同心多边形形状，所述第二沟槽位于紧邻窗口与第一沟槽相交的两面处。本发明...

本发明公开了一种带有优化沟槽的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括抛光层，其具有环形抛光轨迹区、位于抛光轨迹区内的圆形中间区及抛光轨迹区外部的环形外缘区；以及位于抛光层表面的沟槽，包括圆周向沟槽及径向沟槽，所述径向沟槽呈放射状由最靠近...

本发明公开了一种多结构体化学机械抛光垫、制造方法及其应用，包括：主结构体，表面改性的次级结构体，保护结构体以及将主结构体与表面改性的次级结构体粘接起来的上连接体，和将表面改性的次级结构体与保护结构体粘接起来的下连接体。本发明表面改性的次...

本发明涉及一种浇注型聚氨酯弹性体的制造方法，该法包含了特定的浇铸和成型工艺条件等，具体是先形成包含端异氰酸酯基聚氨酯预聚物、二胺类扩链剂和含氟烃类化合物的浇注混合物，然后使浇注混合物在特定温度条件下停留一段时间，最后进行固化；借由该法制...

本发明公开了一种单质硅水解制备超高纯硅溶胶的方法、超高纯硅溶胶及应用，该方法以胍类化合物为催化剂，通过高纯硅粉与水反应制备初始硅溶胶，然后通过过滤除杂、催化剂去除、水置换、浓缩一系列步骤得到质量分数20％以上、粒径20‑100nm的超高...

本发明公开了一种用于化学机械抛光垫抛光层及其制备方法，其通过包含异氰酸酯预聚物、固化剂以及功能填料原料制备得到，预聚物是由二异氰酸酯和聚四氢呋喃多元醇分两步反应得到，固化剂组分是胺类交联剂，功能填料是已膨胀聚合物空心微球。由其制备的抛光...

本发明涉及一种基于单晶硅片的可调式磨削装置及单晶硅片的磨削加工方法，适用于精磨加工或常规磨削加工后经检测硅片面型不达标的小批次再加工。在磨削加工中，根据位移传感器可视化曲线、硅片面型参数的在线测量结果，传递信号至装置内部位移传感器嵌入式...

本发明公开了一种蓝宝石抛光组合物及其用途，所述抛光组合物至少包括以下质量百分比的组分：硅溶胶20％～40％、速率促进剂0.01％～2％、增稠剂0.5％～5％、润湿剂为0.01％‑2％、pH调节剂1％‑5％、余量为水。本发明提供的抛光液通...