一种12英寸硅片碱腐蚀的方法技术

本发明专利技术了提供一种12英寸硅片碱腐蚀的方法，包括依次执行清洗机械手、超声波溢流清洗、轻碱腐蚀、热水漂洗、碱腐蚀、热水漂洗、SC2药液、漂洗、混酸药液、漂洗、溢流、慢拉、烘干的十三个工序步骤。本发明专利技术的方法强化了金属清洗，两个碱槽用螯合的方法，两个酸槽用反应的方法；还设计了浓度控制，可以有效控制腐蚀速率的差异；设计了来料大颗粒清洗，解决了万级设备与千级对接的问题，避免了抛光因为来料大颗粒造成的划伤；最终硅片在同一个换液周期不同批次之间去除量波动≤0.2µm；不同换液周期之间去除量波动≤0.2µm；中央和边缘（切边2mm）体金属Cu/Ni≤6.21E7。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于12寸硅片加工，具体涉及一种12英寸硅片的碱腐蚀优化工艺。

技术介绍

1、12寸硅片在研磨以后要进行腐蚀，目的是释放研磨加工的应力，去除研磨损伤层，优化平坦度，为抛光做好准备。根据研磨方式不同，常采用酸腐蚀和碱腐蚀两种工艺方法。即双面研磨(lapping)+酸腐蚀或双面磨削(grinding)+碱腐蚀。双面研磨(lapping)后损伤层较深，酸腐蚀去除量通常是30微米，反应速度较快，是各向同性反应，会造成硅片边缘塌边，ttv(总厚度偏差)较差；grinding(双面磨削)后损伤层较浅，碱腐蚀去除量是5微米，反应速度可控，是各向异性反应，不会造成塌边，ttv较好。两种工艺方法体金属bulk cu/ni都可以满足生产要求。目前，12寸硅片厂绝大多数选择碱腐蚀的方法。

2、cn112951710a公开了一种硅抛光片碱腐蚀工艺，顺次执行sc2药液、水洗槽、sc1-1药液、水洗槽、koh药液槽、qdr水洗槽、sc1-2药液、超声水洗槽药、溢流水洗槽、甩干工序处理；其中控制koh药液腐蚀时间为500±20s，koh药液槽滚轴转速为10-30转本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种12英寸硅片碱腐蚀的方法，其特征在于，包括依次执行清洗机械手、超声波溢流清洗、轻碱腐蚀、第一热水漂洗、碱腐蚀、第二热水漂洗、SC2药液、漂洗、混酸药液、漂洗、溢流、慢拉、烘干的十三个工序步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗机械手工序在装有去离子水的No.1槽中进行；优选地，清洗温度为40-60℃，工艺时间为5-10s。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超声波溢流清洗工序在装有去离子水的No.2槽中进行，所述No.2槽具有36-44kHz的超声波，以及上下摇动、硅片滚动和溢流功能；优选地，清洗温度为室温，工艺时间为4-7m...

【技术特征摘要】

1.一种12英寸硅片碱腐蚀的方法，其特征在于，包括依次执行清洗机械手、超声波溢流清洗、轻碱腐蚀、第一热水漂洗、碱腐蚀、第二热水漂洗、sc2药液、漂洗、混酸药液、漂洗、溢流、慢拉、烘干的十三个工序步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗机械手工序在装有去离子水的no.1槽中进行；优选地，清洗温度为40-60℃，工艺时间为5-10s。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超声波溢流清洗工序在装有去离子水的no.2槽中进行，所述no.2槽具有36-44khz的超声波，以及上下摇动、硅片滚动和溢流功能；优选地，清洗温度为室温，工艺时间为4-7min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轻碱腐蚀工序在装有低浓度碱液的no.3槽中进行，所述no.3槽具有化学品浓度在线检测和自动补给、以及上下摇动、硅片滚动功能；优选地，所述低浓度碱液为质量浓度3.49-6.82％的koh碱液、2-5克的edta粉末和余量的去离子水；更优选地，所述清洗温度为70-90℃，工艺时间为4-7min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一热水漂洗工序、第二热水漂洗工序分别在装有去离子水的no.4槽、no.6槽中进行，所述no.4槽、no.6槽的清洗温度为50-60℃；优选地，所述no.4槽具有喷淋和硅片滚动功能，工艺时间为4-7min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碱腐蚀工序在装有高浓度碱液的no.5槽中进行，所述no.5槽具有化学品浓度在线检测和自动补给、以及上下...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智斌，宗芳，
申请(专利权)人：万华化学集团电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：