一种降低12英寸硅片单片磨削背面Pit不良的方法技术

本发明专利技术公开了一种降低12英寸硅片单片磨削背面Pit不良的方法，在单片磨削前增加研磨前清洗工序，所述研磨前清洗工序包含一个清洗槽和一个漂洗槽；所述清洗槽为药剂清洗槽，同时具有加温控温，底振和前后侧振，以及使清洗片盒上下抛动，清洗槽底部鼓泡的功能；所述漂洗槽为常温漂洗槽，同时具有溢流，底振和前后侧振，以及使清洗片盒上下抛动，漂洗槽底部鼓泡的功能。采用本发明专利技术的方法，可达到降低Pit不良的目的，使硅片背面Pit不良由清洗前的Pit不良率10%降为0.8‑1%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于12英寸半导体单晶硅片加工，具体涉及一种降低12英寸硅片单片磨削背面pit不良的方法。

技术介绍

1、12英寸硅片成型工艺从线切割到抛光目前有两种路线，一种是双面研磨工艺，即切片、脱胶清洗、粗倒角、双面研磨(lapping)、精倒角、打码、酸腐蚀、抛光的工艺路线；另一种是单片磨削工艺，即采用切片、脱胶清洗、单片磨削(grinding)、倒角、打码、碱腐蚀、抛光的工艺路线，如图1所示。

2、通常，双面研磨(lapping)的磨削机采用行星式磨削，分为上磨盘、载体环、硅片和下磨盘，针对12英寸硅片，设备安装有5载体环、每个载体环内放置3或4片硅片，硅片放置在各载体环内成为行星轮，绕太阳轮做行星运动，同一批次完成15或20片硅片磨削加工。

3、单片磨削(grinding)工艺为，机械手自动从装载片盒里取出1片硅片，放置传送带上，经过v槽定位后，搬送并装入磨削仓(箱)，硅片由载体环带动按一定速度转动，由左右静压板的气压将硅片树立在砂轮中间，安装有砂轮的两根主轴相向排列、靠近工件进行磨削加工；砂轮磨削面积从硅片圆心到硅片边缘，砂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低12英寸硅片单片磨削背面Pit不良的方法，其特征在于，在单片磨削前增加研磨前清洗工序，所述研磨前清洗工序包含一个清洗槽和一个漂洗槽；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗槽和漂洗槽的槽体材料是316L不锈钢，内衬是Teflon或PTFE中的至少任一种或。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述药剂清洗槽使用电子级碱性清洗剂，优选为DP146-S或花王LC-895中的任一种；更优选地，所述电子级碱性清洗剂DP146-S或花王LC-895中的金属离子含量小于≤100ppb。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清...

【技术特征摘要】

1.一种降低12英寸硅片单片磨削背面pit不良的方法，其特征在于，在单片磨削前增加研磨前清洗工序，所述研磨前清洗工序包含一个清洗槽和一个漂洗槽；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗槽和漂洗槽的槽体材料是316l不锈钢，内衬是teflon或ptfe中的至少任一种或。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述药剂清洗槽使用电子级碱性清洗剂，优选为dp146-s或花王lc-895中的任一种；更优选地，所述电子级碱性清洗剂dp146-s或花王lc-895中的金属离子含量小于≤100ppb。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗槽的清洗温度为55-65℃，加热功率为8-12kw。

5.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述清洗槽的药剂体积浓度为3-5％...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智斌，宗芳，
申请(专利权)人：万华化学集团电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：