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本发明公开了一种降低12英寸硅片单片磨削背面Pit不良的方法，在单片磨削前增加研磨前清洗工序，所述研磨前清洗工序包含一个清洗槽和一个漂洗槽；所述清洗槽为药剂清洗槽，同时具有加温控温，底振和前后侧振，以及使清洗片盒上下抛动，清洗槽底部鼓泡的功...
该专利属于万华化学集团电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万华化学集团电子材料有限公司授权不得商用。

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