垂直结构半导体电子器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直结构半导体电子器件及其制备方法。所述垂直结构半导体电子器件包括：半导体结构，包括导电层、电流通道层、反型层和沟道层，所述导电层、电流通道层和沟道层沿指定方向依次设置，所述电流通道层的第一区域中形成有电流通道，所述反型层至少局部是由电流通道层的第二区域被热氧化形成，所述第二区域环绕第一区域设置；以及，源极、漏极和栅极，所述源极和栅极设置在沟道层上，所述漏极与导电层电连接；其中，所述电流通道层、导电层及沟道层均是第一导电类型的，所述反型层是第二导电类型的。本发明专利技术提供的一种垂直结构半导体电子器件的其制备方法可以有效提高器件的击穿电压，有效降低器件的导通电阻，提高器件的饱和电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术特别涉及一种垂直结构半导体电子器件及其制备方法，属于半导体。

技术介绍

1、在现代社会中，电力电子技术是实现各种能源与电能转换和利用的核心，也国民经济和国家安全领域的基础和重要支柱，电力电子器件在电力电子
的应用和市场中起着决定性作用，它是弱电控制与强电运行之间的桥梁，是信息技术与先进制造技术，传统和现代产业实现自动化、智能化、节能化、机电一体化的基础支撑。随着高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通、电动/混合动力汽车、通讯及新一代数据中心服务器、无线通讯、无人机等无线技术的不断发展，迫切需要更高性能的电力电子器件满足其发展需求。

2、一般来讲，任何固态能量转换系统都是由电路组成，开关电源作为能量转换的基石，被广泛植入在这些电路中。如果在能量转换领域中把开关器件实现高效节能，能把整个系统的损耗降低，同时还可节省成本。因此，要实现一个零损耗的系统，首先从制作一个零损耗的功率开关开始。而要实现一个零损耗功率开关，关键在于找到一种合适的半导体材料，使得处于开启状态下开关的电阻几乎为零。

3、当前技术最为成熟的硅(si本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直结构半导体电子器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直结构半导体电子器件，其特征在于：所述导电层、沟道层、反型层的材质均为氧化镓，所述电流通道层的材质包括氮化镓或砷化镓。

3.根据权利要求1所述的垂直结构半导体电子器件，其特征在于，还包括：衬底，所述导电层、电流通道层和沟道层依次生长于衬底的第一面，所述漏极与衬底的第二面形成欧姆接触，所述第二面与第一面相背设置；

4.根据权利要求1所述的垂直结构半导体电子器件，其特征在于：所述第一导电类型、第二导电类型分别为N型、P型。

5.根据权利要求1所述的垂直结构半导体电子器...

【技术特征摘要】

1.一种垂直结构半导体电子器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直结构半导体电子器件，其特征在于：所述导电层、沟道层、反型层的材质均为氧化镓，所述电流通道层的材质包括氮化镓或砷化镓。

3.根据权利要求1所述的垂直结构半导体电子器件，其特征在于，还包括：衬底，所述导电层、电流通道层和沟道层依次生长于衬底的第一面，所述漏极与衬底的第二面形成欧姆接触，所述第二面与第一面相背设置；

4.根据权利要求1所述的垂直结构半导体电子器件，其特征在于：所述第一导电类型、第二导电类型分别为n型、p型。

5.根据权利要求1所述的垂直结构半导体电子器件，其特征在于，还包括：绝缘栅层，所述绝缘栅层分布于栅极和沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓东，范亚明，黄蓉，曾中明，张宝顺，
申请(专利权)人：江西省纳米技术研究院，
类型：发明
国别省市：