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本发明公开了一种垂直结构半导体电子器件及其制备方法。所述垂直结构半导体电子器件包括：半导体结构，包括导电层、电流通道层、反型层和沟道层，所述导电层、电流通道层和沟道层沿指定方向依次设置，所述电流通道层的第一区域中形成有电流通道，所述反型层至...
该专利属于江西省纳米技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过江西省纳米技术研究院授权不得商用。

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