【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体加工，尤其涉及一种单晶硅棒定向截断方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、目前，半导体单晶硅棒的尺寸正逐渐向大尺寸方向发展，单晶硅棒尺寸越大，对晶片平坦度及晶向面的加工要求越严格，目前半导体单晶硅棒切片普遍采用的工艺流程路线为：单晶硅棒滚圆截断或截断滚圆后、将晶段进行定向粘接后再进行晶段切片。但目前的工艺流程方法都存在一个问题：由于滚圆工序和截断工序并未对单晶硅棒的晶向进行有效管控，仅按照单晶硅棒物理中心进行加工，造成在单晶硅棒切片加工时单晶硅棒物理中心与单晶硅棒晶向中心存在不同程度的偏差。
2、但切片时晶片的切面需要与指定晶向面严格重合，为了能够沿单晶硅棒指定晶向面进行切片，一般会将硅棒调整一定角度进行切片工序加工，，导致单晶硅棒与切片线网偏斜，在单晶硅棒头尾处截断出来的晶片出现异形，甚至造成单晶硅棒头尾掉片的现象，单晶硅棒两端在切片入刀时钢线两侧应力不均，导致头尾片质量下降，同时也增加了切片线网的断线率，晶片产量成片率及良品率相对较低，造成硅料损失。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，所述获取所述单晶硅棒的实时晶向偏差角度，包括：
3.根据权利要求1所述的单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，所述根据所述实时晶向偏差角度、预设的晶向偏差角度阈值和所述位置信息调整所述支撑模块的位置，使所述单晶硅棒的晶向偏差角度符合所述晶向偏差角度阈值，包括：
4.根据权利要求3所述的单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，所述根据所述实时晶向偏差角度和所述位置信息调整所述支撑模块的位置，包括：
5.根据权利要求4所述的单晶...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，所述获取所述单晶硅棒的实时晶向偏差角度，包括：
3.根据权利要求1所述的单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，所述根据所述实时晶向偏差角度、预设的晶向偏差角度阈值和所述位置信息调整所述支撑模块的位置，使所述单晶硅棒的晶向偏差角度符合所述晶向偏差角度阈值，包括：
4.根据权利要求3所述的单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，所述根据所述实时晶向偏差角度和所述位置信息调整所述支撑模块的位置，包括：
5.根据权利要求4所述的单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，所述根据所述第一方向实时晶向偏差角度和所述位移计算出所述支撑模块的第一方向调整位移，包括：
6.根据权利要求4所述的单晶硅棒定向截断方法，其特征在于，所述根据所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：修梓翔，李晓辉，王鹏，
申请(专利权)人：万华化学集团电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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